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MC74HC14A十六进制施密特触发器逆变器高性能硅栅CMOS
August, 2014 - 数据手册
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MC74HC14AFL2材料成分声明
2019-07-18 - 测试报告 本资料为Onsemi公司关于其产品中物质声明的文件，包括产品编号、材料成分、RoHS合规性声明、有害物质含量等信息。文件详细列出了产品中使用的各种材料及其含量，并声明产品符合RoHS指令要求。
ONSEMI - MC74HC14AFL2
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MC74HC14A六路施密特触发器逆变器
August, 2014 - 数据手册
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MC74HC14A-六角施密特触发器逆变器高性能硅栅CMOS
2020/9/1 - 数据手册 MC74HC14A是一款高性能硅栅CMOS六反相器，具有施密特触发器功能，适用于“方波化”慢速输入上升和下降时间。该器件具有高噪声免疫特性，适用于噪声环境。其主要特性包括输出驱动能力、与CMOS、NMOS和TTL的直接接口、工作电压范围、低输入电流等。
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材料成分声明MC74HC14AFL2
2018-01-08 - 测试报告 这份资料是一份关于元器件中物质声明的文件，由制造商Onsemi提供。文件详细列出了该元器件中包含的各种物质及其含量，包括但不限于金、硅、银、环氧树脂、铁、铜等。此外，文件还声明了该元器件符合欧盟RoHS指令的要求，即限制使用铅、汞、镉等有害物质。
ONSEMI - MC74HC14AFL2
MC74HC14ANG材料成分声明
2019-07-18 - 测试报告 本资料为Onsemi公司对其产品中含有的物质进行的声明，包括RoHS指令下的限制物质含量。声明中详细列出了产品中各种材料的成分、含量以及是否符合RoHS指令的要求。此外，还提供了产品的制造信息、环境信息以及供应商的认证信息。
ONSEMI - MC74HC14ANG
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MC74HC14ADTG材料成分声明
2019-07-18 - 测试报告 本资料为Onsemi公司对特定元器件的化学物质声明，包括材料成分、RoHS合规性声明、焊接工艺参数等。资料详细列出了元器件的化学成分，如金、硅、银等，并声明该产品符合RoHS指令要求。此外，还提供了焊接工艺的温度和时间参数，以及材料的安全使用说明。
ONSEMI - MC74HC14ADTG
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MC74HC14ADG材料成分声明
2019-07-18 - 测试报告 本资料为Onsemi公司对特定元器件的化学物质声明，包括材料成分、RoHS合规性声明、环境信息等。资料详细列出了元器件的化学成分，如硅、银、环氧树脂等，并提供了每种成分的重量和CAS号。此外，还包含了RoHS指令下的限制物质含量声明，以及与环保相关的信息。
ONSEMI - MC74HC14ADG
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材料成分声明日志CMOS SCHMITT TRG HEX
2017-12-01 - 测试报告 本资料为元器件制造商对产品中物质声明的文件，包括产品名称、编号、材料组成、RoHS合规性声明、有害物质含量等信息。文件详细列出了产品中使用的各种材料及其含量，并声明了产品符合RoHS指令的要求。
ONSEMI - MC74HC14ADTR2G
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带施密特触发器输入的MC74HC14A十六进制逆变器产品概述
3/31/2019 - 数据手册 MC74HC14A是一款高性能硅栅CMOS六反相器，具有施密特触发输入。该器件的引脚配置与LS14、LS04和HC04相同，输入与标准CMOS输出兼容，并可通过上拉电阻与LSTTL输出兼容。MC74HC14A适用于“方波化”缓慢的输入上升和下降时间，因其施密特触发器的滞后电压，在噪声环境中也有应用。
ONSEMI - HIGH-PERFORMANCE SILICON-GATE CMOS,高性能硅栅CMOS,HEX INVERTER,六反相器,MC74HC14ADG,MC74HC14ADTG,LS04,LS14,NLV74HC14ADTG,NLV74HC14ADR2G,NLV74HC14ADG,HC14A,MC74HC14ADR2G,MC74HC14ADTR2G,MC74HC14A,NLV74HC14ADTR2G,HC04
材料成分声明MC74HC14ADTEL
2018-01-08 - 测试报告 这份资料是一份关于元器件中物质声明的文件，由制造商Onsemi提供。文件详细列出了产品中使用的各种材料，包括金属、塑料和涂层等，并声明了这些材料是否符合欧盟RoHS指令的规定。文件还包含了材料的重量、CAS编号和可能的RoHS豁免信息。此外，文件还提供了制造商的联系方式和认证信息。
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MC74HC14A:带施密特触发器输入的十六进制逆变器
12/11/2017 - 数据手册 MC74HC14A是一款高性能硅栅CMOS六反相器，具有施密特触发输入。该器件的引脚配置与LS14、LS04和HC04相同，输入与标准CMOS输出兼容，并可通过上拉电阻与LSTTL输出兼容。MC74HC14A适用于“方波化”缓慢的输入上升和下降时间，由于其施密特触发器的滞后电压，该器件在噪声环境中也有应用。
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采用 FAN7930 临界导通模式 (BCM) 功率因数校正 (PFC) 的设计思路
7/21/11 - 应用及方案 本文介绍了基于飞兆半导体控制器FAN7930的临界导通模式（BCM）功率因数校正器（PFC）的设计思路。内容包括电感与零电流检测（ZCD）电路设计、器件选型和闭环控制。文章通过200W实验样机验证了设计步骤的正确性，并详细阐述了BCM PFC变换器的工作原理、无过冲启动和交流断电检测等关键设计要点。
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NCP51810：用于氮化镓功率开关的高性能、150 V半桥栅极驱动器
12/2/2020 - 商品及供应商介绍 NCP51810是一款高性能的150V半桥栅极驱动器，专为驱动GaN功率开关设计。该驱动器具有快速传播延迟、宽共模电压范围、独立的欠压锁定和热关断保护功能。适用于高频操作，支持48V输入设计，适用于谐振转换器、数据中心48V到低压中间总线转换器等多种应用。
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Aug.2019 - 应用及方案
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