SiA400DJ-GE3_RC R-C Thermal Model Parameters

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2018-03-14 VISHAY 数据手册 英文


■说明:
●利用曲线拟合技术推导了R-C热模型中的参数值。包括Foster/Tank和Cauer/Filter配置中电路的R-C值。当在P-Spice中实现时,这些值具有与MOSFET的单脉冲瞬态热阻抗曲线匹配的特性曲线。

●这些RC值可用于P-SPICE模拟中,以评估在定义功率剖面下MOSFET结温度的热行为。应用说明AN609“P-Spice平台上功率MOSFET的热模拟”中描述了这些技术

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