Si4134DY N-Channel 30 V (D-S) MOSFET

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2018-03-14 VISHAY 数据手册 英文


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■TrenchFET®功率MOSFET
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欧创芯(OCX)中低压MOS选型表

选型表  -  欧创芯 欧创芯提供中低压MOSFET选型。耐压60~100V,连续漏极电流2~50A,采用Trench沟槽工艺,阈值电压1.5~1.8V,栅源耐压±20V,提供SOT-23、SOT-23-3L、TO-252-3L封装。导通电阻低至12mΩ@VGS=10V,输入电容321~2030pF。适用于电源管理、电机驱动及LED驱动等功率开关场景。

产品型号
品类
封装
工艺
沟道
Vos_Max(V)
DMax(A)
Ves(t)Typ(V)
Ves_Max(V)
C iss_Typ(pF)
Rps(ON)_Typ @VGS=10V(mΩ)
Ros(OMLTyp@VGS=4.5V(mΩ)
OCT2N10TS
中低压MOS
SOT-23
Trench
N
100
2.0
1.5
±20
321
220
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