Si4134DY N-Channel 30 V (D-S) MOSFET

知识图谱

发布时间： 2021-06-08 品牌： VISHAY 资料类型：数据手册语言：英文

●特性
■TrenchFET®功率MOSFET
■100%R-g和UIS测试

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Si4134DY Vishay Siliconix N沟道30V（D-S）MOSFET

07-Sep-15 - 数据手册 Si4134DY是一款由Vishay Siliconix生产的N-Channel 30V (D-S) MOSFET。该产品具有低导通电阻、高电流承载能力和良好的热性能，适用于DC/DC转换等应用。

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xDSL调制解调器外部

2019/02/24 - 技术文档本资料详细介绍了xDSL ModemRouter的设计中使用的VISHAY元器件，包括电源和外围电路。电源部分涉及DC/DC降压转换器、能量存储、开关和CPU/DSP电源供应。外围电路包括控制灯、外部连接、WLAN模块和ESD保护。资料列出了多种产品名称、状态、描述、特性和封装，以及它们在xDSL ModemRouter设计中的应用。

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Si4134DY N沟道30v（D-S）MOSFET

07-Sep-15 - 数据手册

VISHAY - N-CHANNEL MOSFET,N沟道贴片MOS管,SI4134DY-T1-GE3,SI4134DY,SI4134DY-T1-E3,DC/DC转换,DC/DC CONVERSION,笔记本电脑系统电源,NOTEBOOK SYSTEM POWER

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N沟道30v（D-S）MOSFET硅4134dy

07-Sep-15 - 数据手册本资料介绍了Vishay Siliconix公司生产的Si4134DY N-Channel 30V MOSFET产品。该产品是一款 trenchFET® 功率MOSFET，具有低导通电阻和高压特性，适用于DC/DC转换等应用。

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SPICE器件Si4134DY型N沟道30v（D-S）MOSFET

03-Jun-13 - 数据手册本资料提供Vishay Siliconix公司生产的Si4134DY N-Channel 30 V (D-S) MOSFET的SPICE模型。该模型描述了该MOSFET的典型电气特性，包括静态和动态参数，适用于线性及开关应用。模型覆盖了-55°C至125°C的温度范围，并提供了与测量数据的比较。

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xDSL ModemRouter 产品介绍

2019/02/20 - 商品及供应商介绍本资料详细介绍了VISHAY元器件在xDSL Modem/Router设计中的应用。内容涵盖电源和外围电路两大板块。电源部分涉及DC/DC降压转换器、能量存储、开关元件等；外围电路包括控制灯、外部连接、WLAN模块等。资料中列举了多种VISHAY元器件，如功率IC控制器、MOSFET、二极管、电容器、电阻、LED、电感、瞬态/过压保护器件等，并对其特性、封装和Q-Level进行了详细说明。

xDSL调制解调器外部

2019/10/12 - 商品及供应商介绍本资料详细介绍了xDSL ModemRouter的设计中使用的VISHAY元器件，涵盖了电源和外围电路两大方面。电源部分主要涉及DC/DC降压转换器、能量存储、开关元件等，外围电路则包括控制灯、外部连接、WLAN模块等。资料中列举了多种元器件，如功率IC控制器、MOSFET、二极管、电容器、电阻、LED、电感、瞬态/过压保护器件、ESD保护器件和LDO等，并对其特性、封装和Q-Level进行了详细说明。

SiRA02DP Vishay Siliconix N沟道30v（D-S）MOSFET

24-Dec-12 - 数据手册本资料介绍了Vishay Siliconix的SiRA02DP N-Channel 30V MOSFET产品，包括其产品特性、应用领域、电气规格和热性能等详细信息。

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功率 MOSFET

2019/02/23 - 技术文档该资料主要介绍了新型中压TrenchFET®功率MOSFET的特性，包括其提高的功率密度、减少的组件数量、紧凑高效的设计以及优化的布局。资料中特别强调了新一代产品相比前一代产品在降低导通电阻（RDS(ON)）和提升效率方面的显著改进，以及其在电信、电源供应、电机驱动和可再生能源等应用中的适用性。此外，还提到了产品与现有PowerPAK SO-8封装的兼容性以及其低至0.73 mΩ的RDS(ON)值。

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功率 MOSFET

04-Feb-13 - 数据手册 Vishay Siliconix公司推出的IRFR9024、IRFU9024、SiHFR9024、SiHFU9024系列功率MOSFET，具备快速开关、加固式设计、低导通电阻和成本效益等特点。这些产品适用于表面贴装和通孔安装，提供高达1.5W的功率耗散能力。

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功率 MOSFET

04-Feb-13 - 数据手册 Vishay Siliconix推出的IRFR110和SiHFR110系列功率MOSFET，具备快速开关、加固设计、低导通电阻和成本效益等特点。这些MOSFET适用于表面贴装，并支持卷带和卷盘包装，适用于高达1.5W的功率耗散水平。

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功率 MOSFET

02-May-16 - 数据手册 Vishay Siliconix公司推出的IRFBG20和SiHFBG20系列功率MOSFET，具备快速开关、高鲁棒性和低成本等特点。这些MOSFET适用于商业工业应用，功率耗散水平约为50W，采用TO-220AB封装，具有低热阻和低封装成本。

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功率 MOSFET

21-Mar-11 - 数据手册 Vishay Siliconix推出的IRF740和SiHF740系列功率MOSFET，具备快速开关、低导通电阻和成本效益等特点，适用于商业工业应用，功率耗散水平约为50W。

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功率 MOSFET

30-May-11 - 数据手册本资料介绍了Vishay Siliconix公司生产的IRF740AS、SiHF740AS、IRF740AL、SiHF740AL系列功率MOSFET。这些产品适用于开关模式电源（SMPS）、不间断电源等领域，具有低栅极电荷、改进的栅极、雪崩和动态dV/dt鲁棒性等特点。

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功率 MOSFET

21-Mar-11 - 数据手册本资料介绍了Vishay Siliconix公司生产的IRFZ44和SiHFZ44两款第三代功率MOSFET产品。这些产品具备快速开关、坚固耐用、低导通电阻和成本效益等特点，适用于商业工业应用，功率耗散水平约为50W。资料详细介绍了产品的特性、绝对最大额定值、热阻等级、规格参数、典型特性曲线以及封装信息。

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SiSH402DN Vishay Siliconix N沟道30V（D-S）MOSFET

09-Jul-2018 - 数据手册该资料详细介绍了Vishay Siliconix公司生产的SiSH402DN N-Channel 30V MOSFET。该产品采用TrenchFET技术，具有低导通电阻和快速开关特性，适用于DC/DC转换器等应用。

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SiSHA10DN Vishay Siliconix N沟道30 V（D-S）MOSFET

24-Dec-2018 - 数据手册本资料介绍了Vishay Siliconix公司生产的SiSHA10DN N-Channel 30 V (D-S) MOSFET，包括其产品特性、应用领域、订购信息和绝对最大额定值等。

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SiRA84BDP Vishay Siliconix n沟道30 V（D-S）MOSFET

11-Mar-2019 - 数据手册该资料详细介绍了Vishay Siliconix公司生产的SiRA84BDP型号N-Channel 30V (D-S) MOSFET。该产品采用TrenchFET Gen IV功率MOSFET技术，适用于高功率密度DC/DC转换器和同步整流应用，如VRMs和嵌入式DC/DC转换器。

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SiSH472DN Vishay Siliconix N沟道30 V（D-S）MOSFET

26-Nov-2018 - 数据手册该资料详细介绍了Vishay Siliconix公司生产的SiSH472DN型号N-Channel 30V (D-S) MOSFET。该产品采用TrenchFET®技术，适用于同步降压操作，具有低导通电阻和快速开关特性，适用于笔记本CPU核心等高侧开关应用。

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SiSA14DN Vishay Siliconix N沟道30 V（D-S）MOSFET

20-Aug-2018 - 数据手册该资料详细介绍了Vishay Siliconix的SiSA14DN N-Channel 30 V (D-S) MOSFET，包括其产品概述、特性、应用领域、订购信息和热阻信息。该MOSFET采用TrenchFET Gen IV技术，具有低导通电阻和低栅极电荷，适用于同步降压转换器、DC/AC逆变器、DC/DC转换和同步整流等应用。

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SEMTECH ST达林顿三极管选型表

选型表 - SEMTECH ST 先之科提供达林顿三极管选型：涵盖NPN和PNP两种极性配置。达林顿管由两只三极管复合连接，具有极高的电流放大倍数，可用微小的基极电流控制较大的集电极电流，广泛应用于功率放大、开关驱动、电机驱动、继电器驱动、LED驱动及各类需要高增益电流放大的场合。产品提供6种封装形式，从小信号放大到大功率开关均有覆盖。该系列达林顿管电流放大倍数高达140000，可用极小的控制电流驱动大功率负载，简化驱动电路设计。集电极电流能力最高10A，配合2.3W的功耗能力，可满足中等功率开关和放大需求。饱和压降低至2V以内，降低了导通损耗。特征频率最高220MHz，适用于中高频开关应用。NPN/PNP双极性覆盖，方便推挽和桥式驱动电路设计。