E Series Power MOSFET with Fast Body Diode SiHP24N65EF
●功能
■采用E系列技术的快体二极管MOSFET
■降低trr、Qrr和IRRM
■低优值(FOM)Ron x Qg
■低输入电容(Ciss)
■Qrr降低,开关损耗低
■超低栅电荷(Qg)
■额定雪崩能量(UIS)
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HYPERSEMI SiC Mosfet选型表
选型表 - HYPERSEMI HYPERSEMI提供碳化硅功率MOSFET选型。封装包括PDFN5x6、PDFN8x8、TO-220F、TO-247-3L/4L、TO-252、TOLL、TO-263-7L等。漏源电压650V-3300V,漏极电流3.8A-150A,导通电阻13mΩ-1000mΩ。适用于新能源汽车、光伏逆变器、工业电源等高功率密度场景。
|
产品型号
|
品类
|
Package
|
VDS
|
ID
|
Rds
|
|
CM7N65PDX100
|
Silicon Carbide Power MOSFET
|
PDFN5x6
|
650V
|
7A
|
540mΩ
|
HYPERSEMI MOSFET选型表
选型表 - HYPERSEMI HYPERSEMI提供功率MOSFET选型,涵盖N沟道与P沟道器件。封装包括D2PAK、TO-220、TO-247、SO-8等。漏源击穿电压20V-1000V以上,连续漏极电流<1A-300A以上,最大导通电阻从几毫欧至几千毫欧,典型栅极电荷覆盖宽范围。适用于电源转换、电机驱动、负载开关等需要高效开关与低导通损耗的应用场景。
|
产品型号
|
品类
|
Package
|
Polarity
|
VDS
|
ID
|
Rds(VGS=10V)
|
VGS(th)
|
VGS
|
|
HMJ8N65PEX100
|
MOSFET
|
DFN8x8
|
N
|
650V
|
8.7A
|
365mΩ
|
3.58V
|
±30V
|
天波电子继电器选型表
选型表 - 天波电子 天波电子继电器选型:本选型表提供信号继电器与功率继电器的选型。产品涵盖信号继电器(如TR5V、HJR系列)及功率继电器(如HQJ-15F、TRAF系列),支持多路触点配置(1H/1D/1Z)。核心可选参数包括触点负载(如1A 120VAC、2A 24VDC;或10A 240VAC、7A 240VAC等)、最大切换电流(1A~30A)、最大切换功率(30W~7200VA/560W)、最大切换电压(120VAC/60VDC~277VAC/30VDC)。优势特性为高负载能力(最高30A/7200VA)与双电压适应能力,部分型号含TUV认证。适用于低功率信号控制及高功率工业负载场景。
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产品型号
|
品类
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触点负载
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最大切换电流(A)
|
最大切换功率(W)
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最大切换电压(VAC、VDC)
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TR5V L-S-Z 12VDC
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信号继电器
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1A 120VAC 1A 24VDC
2A 120VAC 2A 24VDC
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1A/2A
|
1200VA/30W
240VAC/48W
|
120VAC/60VDC
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电子商城
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