E Series Power MOSFET with Fast Body Diode Data Sheet
■特征
●采用E系列技术的快体二极管MOSFET
●降低t-rr、Q-rr和I-RRM
●低优值(FOM)R-on x Q-g
●低输入电容(C-iss)
●Q-rr降低,开关损耗低
●超低栅电荷(Q-g)
●额定雪崩能量(UIS)
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|
产品型号
|
品类
|
Package
|
VDS
|
ID
|
Rds
|
|
CM7N65PDX100
|
Silicon Carbide Power MOSFET
|
PDFN5x6
|
650V
|
7A
|
540mΩ
|
HYPERSEMI MOSFET选型表
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|
产品型号
|
品类
|
Package
|
Polarity
|
VDS
|
ID
|
Rds(VGS=10V)
|
VGS(th)
|
VGS
|
|
HMJ8N65PEX100
|
MOSFET
|
DFN8x8
|
N
|
650V
|
8.7A
|
365mΩ
|
3.58V
|
±30V
|
天波电子继电器选型表
选型表 - 天波电子 天波电子继电器选型:本选型表提供信号继电器与功率继电器的选型。产品涵盖信号继电器(如TR5V、HJR系列)及功率继电器(如HQJ-15F、TRAF系列),支持多路触点配置(1H/1D/1Z)。核心可选参数包括触点负载(如1A 120VAC、2A 24VDC;或10A 240VAC、7A 240VAC等)、最大切换电流(1A~30A)、最大切换功率(30W~7200VA/560W)、最大切换电压(120VAC/60VDC~277VAC/30VDC)。优势特性为高负载能力(最高30A/7200VA)与双电压适应能力,部分型号含TUV认证。适用于低功率信号控制及高功率工业负载场景。
|
产品型号
|
品类
|
触点负载
|
最大切换电流(A)
|
最大切换功率(W)
|
最大切换电压(VAC、VDC)
|
|
TR5V L-S-Z 12VDC
|
信号继电器
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1A 120VAC 1A 24VDC
2A 120VAC 2A 24VDC
|
1A/2A
|
1200VA/30W
240VAC/48W
|
120VAC/60VDC
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