E Series Power MOSFET SiHA22N60AE

知识图谱
2018-03-14 VISHAY 数据手册 英文


●特性
■低品质因数(FOM)Ron X QG
■低输入电容(CISS)
■降低开关和导通损耗
■超低栅极电荷(QG)
■额定雪崩能量(UIs)

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产品型号
品类
Package
VDS
ID
Rds
CM7N65PDX100
Silicon Carbide Power MOSFET
PDFN5x6
650V
7A
540mΩ
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HYPERSEMI MOSFET选型表

选型表  -  HYPERSEMI HYPERSEMI提供功率MOSFET选型,涵盖N沟道与P沟道器件。封装包括D2PAK、TO-220、TO-247、SO-8等。漏源击穿电压20V-1000V以上,连续漏极电流<1A-300A以上,最大导通电阻从几毫欧至几千毫欧,典型栅极电荷覆盖宽范围。适用于电源转换、电机驱动、负载开关等需要高效开关与低导通损耗的应用场景。

产品型号
品类
Package
Polarity
VDS
ID
Rds(VGS=10V)
VGS(th)
VGS
HMJ8N65PEX100
MOSFET
DFN8x8
N
650V
8.7A
365mΩ
3.58V
±30V
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天波电子继电器选型表

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产品型号
品类
触点负载
最大切换电流(A)
最大切换功率(W)
最大切换电压(VAC、VDC)
TR5V L-S-Z 12VDC
信号继电器
1A 120VAC 1A 24VDC 2A 120VAC 2A 24VDC
1A/2A
1200VA/30W 240VAC/48W
120VAC/60VDC
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