N-Channel 100 V (D-S) MOSFET SUM70040M

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2018-03-14 VISHAY 数据手册 英文


●特性
■ThunderFET®功率MOSFET
■最高175°C结温
■100%RG和UIs测试

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产品型号
品类
电压量程
最大功率
源精度
T.C.R. PPM/℃
测量精度
SMM02040D2672BB300-LST
贴片圆柱金属膜电阻
≤200V
0.25W
 0.1%
25PPM
0.001
立即选型
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鑫飞宏MOS管选型表

选型表  -  鑫飞宏 鑫飞宏提供MOSFET功率器件选型,涵盖N沟道、P沟道、N+P双沟道及半桥驱动等细分品类,电压覆盖±12V至500V,电流范围0.7A-330A,Rds(on)低至0.8mΩ。产品支持2.5V/4.5V/10V多栅极驱动电压,部分型号集成ESD保护。封装形式多样,包括SOT-23/523、DFN2x2/3x3、PDFN3.3x3.3/5x6、TO-252/263、TOLL及WLCSP等,适用于消费电子、电机驱动、电源管理及工业控制领域。

产品型号
品类
VDS
ID
Vgs (±V)
Vth(V)
ESD Diode
RDS(on) mΩ 10V(Typ)
RDS(on) mΩ 10V(Max)
RDS(on) mΩ 4.5V(Typ)
RDS(on) mΩ 4.5V(Max)
RDS(on) mΩ 2.5V(Typ)
RDS(on) mΩ 2.5V(Max)
Ciss Typ(pF)
Qg Typ(nC)
Type
Package
FHC1208
MOS管
12(Vss)
8(Is)
8
0.4~1.4
Yes
/
/
4.7(Rss)
5.5(Rss)
6.8(Rss)
9.0(Rss)
2760
24.7
N+N
WLCSP6-2.14x1.67x0.1
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鲁光电子(LGE)MOSFET选型表

选型表  -  鲁光电子 鲁光提供多种MOSFET选型,覆盖N沟道/P沟道、高压600V-1700V、大电流0.1A-152A全谱;封装含TO-220/247/263、SOT-23/323/523、DFN、PDFN5×6-8L等,Rdson低至0.0024Ω,Qg<5nC超低栅荷,Coss<50pF高速,TJ 150-175℃,适配电源、电机、光伏、车载等需求。

产品型号
品类
封装/外壳/尺寸
PD(W)
ID
VDSS(V)
Polarity
Qg(nC)@10V(typ)
VGSS(V)
RDS(on)mΩ@10V
LGE1N60P
MOSFET
TO-220AB
40
1.2A
600
N
5
±30
9300
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