R-C Thermal Model Parameters IRFIBC40G_RC, SiHFIBC40G_RC
■说明:
●利用曲线拟合技术推导了R-C热模型中的参数值。包括Foster/Tank和Cauer/Filter配置中电路的R-C值。当在P-Spice中实现时,这些值具有与MOSFET的单脉冲瞬态热阻抗曲线匹配的特性曲线。
●这些RC值可用于P-SPICE模拟中,以评估在定义功率剖面下MOSFET结温度的热行为。应用说明AN609“P-Spice平台上功率MOSFET的热模拟”中描述了这些技术
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VISHAY - CRCW1218 E3,CRCW2512-P E3,RCHR1005,RCWP0603,D12/CRCW0805 E3,D12/CRCW0805-IF E3,CRCW1210-HP E3,RCG1206,CRCW2512-TR E3,RCWP0201,D12 AP,CRMV2512,CRMV2510,D25/CRCW1206-IF E3,RCA0805 E3,RCWL2512 E3,RCA2010 E3,RCWE1206 E3,RCWE0402 E3,RCWE0805 E3,RC1206,RCG0402,RCWP5100,CRCW2512-HP E3,RCV0805,RCWL2010 E3,RCWP0575,RCWP2512,RC2010,RCL0612,D11/CRCW0603-P E3,CRHV2010,RC0540,RCV1206,RCHR0805,RCG0805,RCWL0603,RCWE2512 E3,RCWP5150,RCWP0302,CRCW2010-P E3,RC5150,RCWP0540,CRHV1210,CRCW1210-AP,RC1100,CRCW2010-HP E3,RCWP7225,D25/CRCW1206 E3,RCWL2512,CRCW1218-P E3,RCWL0402 E3,D25/CRCW1206-HR E3,RCWE1210 E3,CRCW2010 E3,CRCW2512-AP,RCWL1206 E3,CRHV1206,CRCW1210-IF E3,RCWL0603 E3,RCWP0550,CRHV2510,RCWP0402,CRCW1210-P E3,RCL1225,D25 AP,D11/CRCW0603-HR E3,CRCW1218-AP,RCA1210 E3,D11/CRCW0603-IF E3,RCL1218,RCL0406,RCA0603 E3,RCA1218 E3,CRCW0402-HP E3,CRCW0201 E3,D10/CRCW0402-P E3,RC0550,RCA0402 E3,D12/CRCW0805-TR E3,RCA1206 E3,RCG0603,RCWL1206,D10/CRCW0402-IF E3,CRCW01005 E3,RC7225,D11 AP,RCHR1206,D25/CRCW1206-TR E3,CRMV1210,RCWL2010,CRHV2512,RCWE0603 E3,RCWP1100,D10/CRCW0402 E3,RCWP0502,RCWL1218 E3,RCWL1210 E3,CRCW0603-HP E3,RCWL0805,RCWL0402,D10/CRCW0402-TR E3,CRMV2010,RCWL1218,CRCW1206-HP E3,RCWL0805 E3,RCWE 0612,CRMV1206,RCWL1210,CRCW1210-TR E3,D25/CRCW1206-P E3,D10 AP,RC0575,D12/CRCW0805-P E3,RCWP1206,CRCW2512 E3,CRCW2010-AP,CRCW1218-HP E3,RCWE2010 E3,CRCW0805-HP E3,RCWE 1020,RCWP2010,CRCW2512-IF E3,D11/CRCW0603-TR E3,CRCW1210 E3,RCA2512 E3,RC5100,D11/CRCW0603 E3,CRCW2010-TR E3
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