R-C Thermal Model Parameters IRFD9010_RC, SiHFD9010_RC

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2018-03-14 VISHAY 数据手册 英文


●说明:
■利用曲线拟合技术推导了R-C热模型中的参数值。包括Foster/tank和Cauer/filter配置中电路的R-C值。在P-SPICE中实现时,这些值的特性曲线与MOSFET的单脉冲瞬态热阻抗曲线相匹配
■这些RC值可用于P-SPICE模拟中,以评估在定义功率剖面下MOSFET结温度的热行为。应用说明AN609“P-SPICE平台上功率MOSFET的热模拟”中描述了这些技术

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