Power MOSFET IRF9Z34S, SiHF9Z34S

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2018-03-14 VISHAY 数据手册 英文


●描述:Vishay的第三代功率MOSFET利用先进的处理技术,实现了每硅面积极低的导通电阻。这一优势,再加上功率MOSFET众所周知的快速开关速度和加固设备设计,为设计者提供了一种在各种应用中使用的极其高效和可靠的设备。D2PAK是一种表面安装电源包,能够容纳高达十六进制4的芯片尺寸。在任何现有的表面贴装封装中,它提供了最高的功率能力和最低的导通电阻。D2PAK因其低内部连接电阻而适用于大电流应用,在典型的表面贴装应用中可耗散高达2.0 W。

●特征
■先进的工艺技术
■表面安装(IRF9Z34S、SiHF9Z34S)
■175°C工作温度
■快速切换
■P通道
■全雪崩额定值

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产品型号
品类
Package
VDS
ID
Rds
CM7N65PDX100
Silicon Carbide Power MOSFET
PDFN5x6
650V
7A
540mΩ
立即选型
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HYPERSEMI MOSFET选型表

选型表  -  HYPERSEMI HYPERSEMI提供功率MOSFET选型,涵盖N沟道与P沟道器件。封装包括D2PAK、TO-220、TO-247、SO-8等。漏源击穿电压20V-1000V以上,连续漏极电流<1A-300A以上,最大导通电阻从几毫欧至几千毫欧,典型栅极电荷覆盖宽范围。适用于电源转换、电机驱动、负载开关等需要高效开关与低导通损耗的应用场景。

产品型号
品类
Package
Polarity
VDS
ID
Rds(VGS=10V)
VGS(th)
VGS
HMJ8N65PEX100
MOSFET
DFN8x8
N
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产品型号
品类
触点负载
最大切换电流(A)
最大切换功率(W)
最大切换电压(VAC、VDC)
TR5V L-S-Z 12VDC
信号继电器
1A 120VAC 1A 24VDC 2A 120VAC 2A 24VDC
1A/2A
1200VA/30W 240VAC/48W
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