Power MOSFET IRFD9020
●描述：Vishay的第三代功率MOSFET为设计者提供了快速开关、加固器件设计、低导通电阻和成本效益的最佳组合。4引脚DIP封装是一种低成本机器插入式机箱类型，可以在标准0.1英寸引脚中心上以多种组合堆叠。双漏极用作安装表面的热链路，功耗高达1W。
●特征
■动态dV/dt额定值
■额定重复雪崩
■用于自动插入
■端部可堆叠
■P通道
■175°C工作温度
■快速切换
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产品型号
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品类
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Package
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VDS
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ID
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Rds
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CM7N65PDX100
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Silicon Carbide Power MOSFET
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PDFN5x6
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650V
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7A
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540mΩ
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产品型号
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品类
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Package
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Polarity
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VDS
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ID
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Rds(VGS=10V)
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VGS(th)
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VGS
|
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HMJ8N65PEX100
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MOSFET
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DFN8x8
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N
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650V
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8.7A
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365mΩ
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3.58V
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±30V
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产品型号
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品类
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触点负载
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最大切换电流(A)
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最大切换功率(W)
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最大切换电压(VAC、VDC)
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TR5V L-S-Z 12VDC
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信号继电器
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1A 120VAC 1A 24VDC
2A 120VAC 2A 24VDC
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1A/2A
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1200VA/30W
240VAC/48W
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120VAC/60VDC
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