Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

知识图谱

发布时间： 2018-03-14 品牌： VISHAY 资料类型：数据手册语言：英文

●特征
■沟道MOS肖特基技术第2代
■极低轮廓-典型高度为1.7 mm
■非常适合自动放置
■低正向压降，低功率损耗
■高效运行
■符合MSL 1级，根据J-STD-020，LF最大峰值为260°C
■AEC-Q101合格可用：-汽车订购代码：基本P/NHM3

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双高压沟道MOS势垒肖特基整流器V10D202C

10-Feb-15 - 数据手册该资料介绍了Vishay公司生产的V10D202C型号双高压沟槽MOS势垒肖特基整流器。该产品采用第二代沟槽MOS肖特基技术，具有低正向压降、低功耗、高效率等特点，适用于高频DC/DC转换器、开关电源、续流二极管、OR二极管和反向电池保护等应用。

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TMBS®整流器SMPD（TO-263AC）

2017/11/05 - 快速参考指南本资料介绍了VISHAY公司生产的TMBS®系列肖特基整流器，包括不同型号和规格的产品，适用于SMPD (TO-263AC)封装。资料详细列出了各型号的额定正向电流、反向电压范围、最大正向压降等关键参数，并标注了是否满足AEC-Q101汽车级认证要求。

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V10D202C威海通用半导体双高压沟道MOS势垒肖特基整流器

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V10D202C Vishay General Semiconductor双高压TMBS®（沟槽式MOS势垒肖特基）整流器

13-Mar-2019 - 数据手册该资料介绍了Vishay公司生产的V10D202C型号双高压TMBS®（沟槽MOS势垒肖特基）整流器。该产品采用第二代沟槽MOS肖特基技术，具有低正向压降、低功耗、高效率等特点，适用于高频DC/DC转换器、开关电源、续流二极管、OR二极管和反向电池保护等应用。

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二极管低剖面，低正向电压降TMBS®整流器减少功率损耗，提高效率

2017/11/05 - 数据手册 Vishay Intertechnology, Inc.推出的TMBS®肖特基整流器，采用低剖面SMPD（TO-263AC）封装，具有低正向压降，适用于高频DC/DC转换器、开关电源、续流二极管、OR二极管和反向电池保护等应用。

VISHAY - LOW-PROFILE, LOW FORWARD VOLTAGE DROP TMBS® RECTIFIERS,扁平、低正向压降TMBS®整流器,V20DL45HM3,V30D60CHM3,V40DL45BP-M3,V40D120C-M3,V10D100CHM3,V40DL45HM3,V40D100CHM3,V30DL50C-M3,V30DM120C-M3,V30D202CHM3,V20DM120HM3,V10D60CHM3,V10D120C-M3,V40DL45-M3,V60D45CHM3,V10D120CHM3,V30D45CHM3,V30DL50CHM3,V30D202C-M3,V30DL45BP-M3,V30D60C-M3,V30DM120-M3,V10D45CHM3,V20DM120CHM3,V40DM120C-M3,V10D100C-M3,V10D60C-M3,V60D120CHM3,V20DL45-M3,V30D60CL-M3,V60D100C-M3,V20D202CHM3,V35DM120-M3,V60D45C-M3,V20DM120-M3,V20D202C-M3,V30DL45HM3,V20DL45BP-M3,V30DM120CHM3,V60D120C-M3,V10D202CHM3,V60D100CHM3,V30D60CLHM3,V60DM120CHM3,V30DL45-M3,V40D120CHM3,V35DM120HM3,V40DM120CHM3,V10D45C-M3,V40D100C-M3,V20DM120C-M3,V10D202C-M3,V30DM120HM3,V30D45C-M3,V60DM120C-M3,高频DC/DC变换器,开关电源,HIGH FREQUENCY DC/DC CONVERTERS,续流二极管,或ING二极管,REVERSE BATTERY PROTECTION,SWITCHING POWER SUPPLIES,FREEWHEELING DIODES,OR-ING DIODE,反向电池保护

双高压沟道MOS势垒肖特基整流器

11-May-16 - 数据手册该资料介绍了Vishay公司生产的两款高压沟槽MOS势垒肖特基整流器，MBR1090CT和MBR10100CT。这些产品采用沟槽MOS肖特基技术，具有低功耗、高效率、低正向压降和高正向浪涌能力等特点，适用于高频整流、续流二极管、DC/DC转换器和极性保护等应用。

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双高压沟道MOS势垒肖特基整流器

09-Nov-17 - 数据手册该资料介绍了Vishay公司生产的VT1060C和VIT1060C两款高压沟槽MOS肖特基整流器。这些整流器采用沟槽MOS肖特基技术，具有低正向压降、低功耗、高效率等特点，适用于高频DC/DC转换器、开关电源、续流二极管、OR二极管和反向电池保护等应用。

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双高压沟道MOS势垒肖特基整流器

09-Nov-17 - 数据手册 Vishay公司推出的V30M120C和VI30M120C是一款双高压 trench MOS 障垒肖特基整流器，具有超低正向压降（0.52V at IF = 5A），适用于高频DC/DC转换器、开关电源、续流二极管、OR二极管和反向电池保护等应用。

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双高压沟道MOS势垒肖特基整流器

02-Dec-13 - 数据手册该资料介绍了Vishay公司生产的VF40M120C-M3型号双高压 trench MOS 隧道型肖特基整流器。该产品采用Trench MOS肖特基技术，具有低正向压降、低功耗、高效率等特点，适用于高频DC/DC转换器、开关电源、续流二极管、OR二极管和反向电池保护等应用。

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双高压沟道MOS势垒肖特基整流器

02-Dec-13 - 数据手册该资料介绍了Vishay公司生产的VF30M120C-M3型号双高压沟槽MOS势垒肖特基整流器。该产品采用沟槽MOS肖特基技术，具有低正向压降、低功耗、高效率等特点，适用于高频DC/DC转换器、开关电源、续流二极管、OR二极管和反向电池保护等应用。

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双高压沟道MOS势垒肖特基整流器

02-Dec-13 - 数据手册该资料介绍了Vishay公司生产的VF20M120C-M3型号双高压沟槽MOS势垒肖特基整流器。该产品采用沟槽MOS肖特基技术，具有低正向电压降和低功耗的特点，适用于高频DC/DC转换器、开关电源、续流二极管、OR二极管和反向电池保护等应用。

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双高压沟道MOS势垒肖特基整流器

09-Nov-17 - 数据手册该资料详细介绍了Vishay公司生产的VB30M120C型号双高压沟槽MOS阻挡肖特基整流器。该产品采用沟槽MOS肖特基技术，具有低正向压降、低功耗、高效率等特点，适用于太阳能电池接线盒等领域的保护电路。

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双高压沟道MOS势垒肖特基整流器

09-Nov-17 - 数据手册该资料介绍了Vishay公司生产的VB20M120C型号双高压沟槽MOS势垒肖特基整流器。该产品采用沟槽MOS肖特基技术，具有低正向压降、低功耗、高效率等特点，适用于太阳能电池接线盒中的旁路二极管保护。

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双高压沟道MOS势垒肖特基整流器

13-Dec-16 - 数据手册 Vishay公司推出的V20M120C和VI20M120C两款高压沟槽MOS势垒肖特基整流器，具有超低正向压降（0.55V at IF = 5A），适用于高频DC/DC转换器、开关电源、续流二极管、OR二极管和反向电池保护等应用。

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双高压沟道MOS势垒肖特基整流器

17-Aug-15 - 数据手册 Vishay公司生产的VF40100C是一款双高压沟槽MOS势垒肖特基整流器，具有超低正向压降和高效能操作的特点。该产品适用于高频转换器、开关电源、续流二极管、OR二极管、DC/DC转换器和反向电池保护等应用。

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双高压沟道MOS势垒肖特基整流器

16-Dec-14 - 数据手册 Vishay公司推出的VSSA210-M3和VSSA210HM3是一款表面贴装 trench MOS 障垒肖特基整流器，具有低剖面封装、自动化放置理想、Trench MOS 肖特基技术等特点，适用于低电压、高频逆变器、续流、DC/DC转换器和极性保护等应用。

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双高压沟道MOS势垒肖特基整流器

29-Oct-13 - 数据手册该资料介绍了Vishay公司生产的VF60120C双高压沟槽MOS势垒肖特基整流器。该产品采用沟槽MOS肖特基技术，具有低正向压降、低功耗等特点，适用于高频转换器、开关电源、续流二极管、OR二极管、DC/DC转换器和反向电池保护等应用。

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双高压沟道MOS势垒肖特基整流器

17-Aug-15 - 数据手册 Vishay General Semiconductor推出的VF60100C是一款双高压沟槽MOS势垒肖特基整流器，采用沟槽MOS肖特基技术，具有低正向电压降、低功耗损失和高效率运行等特点。该产品适用于高频转换器、开关电源、续流二极管、OR二极管、DC/DC转换器和反向电池保护等领域。

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双高压沟道MOS势垒肖特基整流器

17-Aug-15 - 数据手册该资料介绍了Vishay公司生产的VF20150C双高压沟槽MOS势垒肖特基整流器。该产品采用沟槽MOS肖特基技术，具有低正向压降、低功耗、高效率等特点，适用于高频DC/DC转换器、开关电源、续流二极管、OR二极管和反向电池保护等应用。

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双高压沟道MOS势垒肖特基整流器

17-Aug-15 - 数据手册该资料介绍了Vishay公司生产的VF10150C双高压 trench MOS 障垒肖特基整流器。该产品采用 trench MOS 肖特基技术，具有低正向压降、低功耗、高效率等特点，适用于高频DC/DC转换器、开关电源、续流二极管、OR二极管和反向电池保护等应用。

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双高压沟道MOS势垒肖特基整流器

17-Aug-15 - 数据手册该资料介绍了Vishay公司生产的VF40120C双高压沟槽MOS势垒肖特基整流器。该产品采用沟槽MOS肖特基技术，具有低正向压降、低功耗、高效率等特点，适用于高频DC/DC转换器、开关电源、续流二极管、OR二极管和反向电池保护等应用。

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双高压沟道MOS势垒肖特基整流器

17-Aug-15 - 数据手册该资料介绍了Vishay公司生产的VF30120C双高压沟槽MOS势垒肖特基整流器。该产品采用沟槽MOS肖特基技术，具有低正向电压降、低功耗、高效率等特点，适用于高频DC/DC转换器、开关电源、续流二极管、OR二极管和反向电池保护等应用。

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双高压沟道MOS势垒肖特基整流器

17-Aug-15 - 数据手册该资料介绍了Vishay公司生产的VF20120C双高压沟槽MOS势垒肖特基整流器。该产品采用沟槽MOS肖特基技术，具有低正向压降、低功耗、高效率等特点，适用于高频DC/DC转换器、开关电源、续流二极管、OR二极管和反向电池保护等应用。

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双高压沟道MOS势垒肖特基整流器

17-Aug-15 - 数据手册该资料介绍了Vishay公司生产的VF20100C双高压沟槽MOS势垒肖特基整流器。该产品采用沟槽MOS肖特基技术，具有低正向电压降、低功耗、高效率等特点，适用于高频DC/DC转换器、开关电源、续流二极管、OR二极管和反向电池保护等领域。

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双高压沟道MOS势垒肖特基整流器

17-Aug-15 - 数据手册该资料介绍了Vishay公司生产的两款高压 trench MOS 隧道型肖特基整流器MBRF2090CT和MBRF20100CT。这些产品采用隧道型肖特基技术，具有低功耗、高效率、低正向压降和高正向浪涌能力等特点，适用于高频整流、续流二极管、DC/DC转换器或极性保护等应用。

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双高压沟道MOS势垒肖特基整流器

17-Aug-15 - 数据手册该资料介绍了Vishay公司生产的VF40150C双高压沟槽MOS势垒肖特基整流器。该产品采用沟槽MOS肖特基技术，具有低正向压降、低功耗、高效率等特点，适用于高频DC/DC转换器、开关电源、续流二极管、OR二极管和反向电池保护等应用。

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双高压沟道MOS势垒肖特基整流器

20-Aug-15 - 数据手册 Vishay General Semiconductor推出的VFT3060G是一款双高压沟槽MOS势垒肖特基整流器，具有超低正向压降（IF=5A时为0.40V），适用于高频DC/DC转换器、开关电源、续流二极管、OR二极管和反向电池保护等应用。

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双高压沟道MOS势垒肖特基整流器

28-Oct-13 - 数据手册 Vishay公司推出的VFT3060C是一款双高压沟槽MOS肖特基整流器，具有超低正向压降（0.38V，IF=5A）和高效率运行的特点。该产品适用于高频DC/DC转换器、开关电源、续流二极管、OR二极管和反向电池保护等应用。

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双高压沟道MOS势垒肖特基整流器

20-Aug-15 - 数据手册 Vishay General Semiconductor推出的VFT2060G是一款双高压沟槽MOS势垒肖特基整流器，具有超低正向压降（0.50V，IF=5A）和高效操作特性。该产品适用于高频DC/DC转换器、开关电源、续流二极管、OR二极管和反向电池保护等应用。

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双高压沟道MOS势垒肖特基整流器

20-Aug-15 - 数据手册 Vishay公司推出的VFT2060C是一款双高压沟槽MOS势垒肖特基整流器，采用沟槽MOS肖特基技术，具有低正向压降、低功耗、高效率等特点，适用于高频DC/DC转换器、开关电源、续流二极管、OR整流二极管和反向电池保护等应用。

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双高压沟道MOS势垒肖特基整流器

09-Nov-17 - 数据手册本资料介绍了Vishay公司生产的V60120C型号双高压沟槽MOS势垒肖特基整流器。该产品采用沟槽MOS肖特基技术，具有低正向压降、低功耗、高效率、低热阻等特点，适用于高频DC/DC转换器、开关电源、续流二极管、OR二极管和反向电池保护等应用。

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双高压沟道MOS势垒肖特基整流器

09-Nov-17 - 数据手册该资料介绍了Vishay公司生产的V40150C、VB40150C、VI40150C系列双高压 trench MOS 障垒肖特基整流器。这些产品采用 trench MOS 肖特基技术，具有低正向压降、低功耗、高效率等特点，适用于高频DC/DC转换器、开关电源、续流二极管、OR二极管和反向电池保护等应用。

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双高压沟道MOS势垒肖特基整流器

09-Nov-17 - 数据手册 Vishay公司推出的V30150C和VI30150C是一款双高压沟槽MOS势垒肖特基整流器，具有超低正向压降（0.56V at IF = 5A），适用于高频DC/DC转换器、开关电源、续流二极管、OR二极管和反向电池保护等应用。

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双高压沟道MOS势垒肖特基整流器

15-Dec-16 - 数据手册该资料介绍了Vishay公司生产的VT3060G和VIT3060G两款双高压 trench MOS 障垒肖特基整流器。这些产品采用 trench MOS 肖特基技术，具有低正向压降和低功耗的特点，适用于高频DC/DC转换器、开关电源、续流二极管、OR二极管和反向电池保护等应用。

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双高压沟道MOS势垒肖特基整流器

15-Dec-16 - 数据手册 Vishay公司推出的VT2060G和VIT2060G是一款双高压沟槽MOS势垒肖特基整流器，采用沟槽MOS肖特基技术，具有低正向电压降、低功耗的特点，适用于高频DC/DC转换器、开关电源、续流二极管、OR二极管和反向电池保护等应用。

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双高压沟道MOS势垒肖特基整流器

03-Jul-17 - 数据手册该资料详细介绍了Vishay公司生产的VF30100C-M3型号双高压沟槽MOS势垒肖特基整流器。该产品采用沟槽MOS肖特基技术，具有低正向压降和低功耗的特点，适用于高频转换器、开关电源、续流二极管、OR二极管、DC/DC转换器和反向电池保护等应用。

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双高压沟道MOS势垒肖特基整流器

11-May-16 - 数据手册 Vishay公司生产的MBR1090CT和MBR10100CT是一款双高压沟槽MOS势垒肖特基整流器，采用沟槽MOS肖特基技术，具有低功耗、高效率、低正向压降和高正向浪涌能力等特点。适用于开关电源高频整流、续流二极管、DC/DC转换器或极性保护等应用。

双高压沟道MOS势垒肖特基整流器

14-Dec-16 - 数据手册该资料介绍了Vishay公司生产的V40100G和VI40100G两款高压 trench MOS 隧道型肖特基整流器。这些整流器采用沟槽MOS肖特基技术，具有低正向电压降、低功耗、高效率运行和低热阻等特点。资料详细描述了产品的电气特性、机械数据、最大额定值、热特性、订购信息和封装尺寸。

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双高压沟道MOS势垒肖特基整流器

09-Nov-17 - 数据手册本资料介绍了Vishay公司生产的V20150C和VI20150C两款高压沟槽MOS势垒肖特基整流器。这些整流器采用沟槽MOS肖特基技术，具有低正向压降和低功耗的特点，适用于高频DC/DC转换器、开关电源、续流二极管、OR二极管和反向电池保护等应用。

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双高压沟道MOS势垒肖特基整流器

30-Aug-13 - 数据手册该资料介绍了Vishay公司生产的VB20150C-M3型号双高压 trench MOS 隧道型肖特基整流器。该产品采用Trench MOS肖特基技术，具有低正向压降、低功耗、高效率等特点，适用于高频转换器、开关电源、续流二极管、OR二极管、DC/DC转换器和反向电池保护等应用。

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双高压沟道MOS势垒肖特基整流器

09-Nov-17 - 数据手册该资料介绍了Vishay公司生产的VB60100C型号双高压沟槽MOS势垒肖特基整流器。该产品采用沟槽MOS肖特基技术，具有低正向压降、低功耗的特点，适用于高频转换器、开关电源、续流二极管、OR二极管、DC/DC转换器和反向电池保护等应用。

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双高压沟道MOS势垒肖特基整流器

09-Nov-17 - 数据手册该资料介绍了Vishay公司生产的VB40100C型号双高压沟槽MOS势垒肖特基整流器。该产品采用沟槽MOS肖特基技术，具有低正向压降、低功耗、高效率、低热阻等特点，适用于高频转换器、开关电源、续流二极管、OR二极管、DC/DC转换器和反向电池保护等应用。

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双高压沟道MOS势垒肖特基整流器

09-Nov-17 - 数据手册该资料介绍了Vishay公司生产的VB30100C型号双高压沟槽MOS势垒肖特基整流器。该产品采用沟槽MOS肖特基技术，具有低正向电压降、低功耗、高效率运行和低热阻等特点。适用于高频转换器、开关电源、续流二极管、OR二极管、DC/DC转换器和反向电池保护等应用。

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双高压沟道MOS势垒肖特基整流器

09-Nov-17 - 数据手册该资料介绍了Vishay公司生产的VB20100C型号双高压 trench MOS 隧道结肖特基整流器。该产品采用Trench MOS肖特基技术，具有低正向压降、低功耗的特点，适用于高频转换器、开关电源、续流二极管、OR二极管、DC/DC转换器和反向电池保护等应用。

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双高压沟道MOS势垒肖特基整流器

21-May-13 - 数据手册该资料介绍了Vishay公司生产的VBT2060C-M3型号双高压 trench MOS 障垒肖特基整流器。该产品采用 trench MOS 肖特基技术，具有低正向电压降、低功耗损失和高效率运行等特点。适用于高频转换器、开关电源、续流二极管、OR二极管、DC/DC转换器和反向电池保护等应用。

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双高压沟道MOS势垒肖特基整流器

14-May-13 - 数据手册本资料介绍了Vishay公司生产的VBT1060C-M3双高压沟槽MOS势垒肖特基整流器。该产品采用沟槽MOS肖特基技术，具有低正向压降、低功耗损失和高效率运行等特点。适用于高频转换器、开关电源、续流二极管、OR整流二极管、DC/DC转换器和反向电池保护等应用。

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双高压沟道MOS势垒肖特基整流器

14-May-13 - 数据手册该资料介绍了Vishay公司生产的VB20120C-M3型号双高压沟槽MOS势垒肖特基整流器。该产品采用沟槽MOS肖特基技术，具有低正向压降、低功耗损失和高效率运行等特点，适用于高频转换器、开关电源、续流二极管、OR二极管、DC/DC转换器和反向电池保护等应用。

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双高压沟道MOS势垒肖特基整流器

09-Nov-17 - 数据手册该资料介绍了Vishay公司生产的VT60M45C型号双高压沟槽MOS势垒肖特基整流器。该产品采用沟槽MOS肖特基技术，具有低正向电压降、低功耗的特点，适用于高频DC/DC转换器、开关电源、续流二极管、OR二极管和反向电池保护等应用。

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双高压沟道MOS势垒肖特基整流器

09-Nov-17 - 数据手册 Vishay公司生产的V60M120C是一款双高压沟槽MOS势垒肖特基整流器，采用沟槽MOS肖特基技术，具有低正向电压降、低功耗、高效率等特点。适用于高频DC/DC转换器、开关电源、续流二极管、OR二极管和反向电池保护等应用。

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双高压沟道MOS势垒肖特基整流器

09-Nov-17 - 数据手册 Vishay公司推出的V40M150C是一款双高压沟槽MOS势垒肖特基整流器，采用沟槽MOS肖特基技术，具有低正向电压降、低功耗、高效率等特点，适用于高频DC/DC转换器、开关电源、续流二极管、OR二极管和反向电池保护等应用。

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双高压沟道MOS势垒肖特基整流器

25-Jan-16 - 数据手册 Vishay公司推出的V30D202C型号双高压沟槽MOS肖特基整流器，采用第二代沟槽MOS肖特基技术，具有低正向压降、低功耗等特点，适用于高频DC/DC转换器、开关电源、续流二极管、OR二极管等应用。

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双高压沟道MOS势垒肖特基整流器

10-Feb-15 - 数据手册本资料介绍了Vishay公司生产的V20D202C型号双高压沟槽MOS势垒肖特基整流器。该产品采用第二代沟槽MOS肖特基技术，具有低正向压降、低功耗等特点，适用于高频DC/DC转换器、开关电源、续流二极管、OR二极管等应用。

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双高压沟道MOS势垒肖特基整流器

22-Apr-15 - 数据手册 Vishay公司推出的V60DM120C-M3和V60DM120CHM3是一款双高压沟槽MOS肖特基整流器，采用沟槽MOS肖特基技术，具有超低正向电压降，适用于高频DC/DC转换器、开关电源、续流二极管、OR二极管等应用。

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双高压沟道MOS势垒肖特基整流器

09-Mar-15 - 数据手册该资料介绍了Vishay公司生产的V30DM120-M3和V30DM120HM3型号的双高压沟槽MOS势垒肖特基整流器。这些整流器采用第二代沟槽MOS肖特基技术，具有低正向电压降、低功耗和高效运行的特点。它们适用于高频率DC/DC转换器、开关电源、续流二极管、OR二极管以及商业、工业和汽车应用中的反向电池保护。

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双高压沟道MOS势垒肖特基整流器

05-Mar-15 - 数据手册该资料介绍了V20DM120-M3和V20DM120HM3两款高压沟槽MOS势垒肖特基整流器。这些产品采用第二代沟槽MOS肖特基技术，具有低正向电压降、低功耗和高效运行的特点，适用于高频DC/DC转换器、开关电源、续流二极管、OR二极管和反向电池保护等应用。

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双高压沟道MOS势垒肖特基整流器

01-Dec-16 - 数据手册 Vishay公司生产的V60170G-M3是一款双高压沟槽MOS势垒肖特基整流器，具有超低正向压降（0.50V at IF = 5A）和高效率操作等特点。该产品适用于高频DC/DC转换器、开关电源、续流二极管、ORing二极管和反向电池保护等应用。

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双高压沟道MOS势垒肖特基整流器

01-Dec-16 - 数据手册 Vishay公司推出的V40170C-M3是一款双高压沟槽MOS势垒肖特基整流器，具有超低正向压降（0.52V at IF = 5A）和高效率操作等特点。该产品适用于高频DC/DC转换器、开关电源、续流二极管、ORing二极管和反向电池保护等应用。

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双高压沟道MOS势垒肖特基整流器

01-Dec-16 - 数据手册 Vishay公司生产的V10170C-M3是一款双高压沟槽MOS势垒肖特基整流器，具有超低正向压降（0.57V at IF = 2.5A）和高效率操作等特点。该产品适用于高频DC/DC转换器、开关电源、续流二极管、OR二极管和反向电池保护等应用。

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双高压沟道MOS势垒肖特基整流器

06-May-15 - 数据手册该资料介绍了Vishay公司生产的V60D120C-M3和V60D120CHM3型号的双高压沟槽MOS势垒肖特基整流器。这些整流器采用沟槽MOS肖特基技术，具有低正向电压降、低功耗和高效运行的特点，适用于高频DC/DC转换器、开关电源、续流二极管、OR二极管和反向电池保护等应用。

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双高压沟道MOS势垒肖特基整流器

28-Mar-15 - 数据手册 Vishay公司推出的V60D100C-M3和V60D100CHM3是一款双高压沟槽MOS势垒肖特基整流器，具有超低正向压降（0.36V at IF = 5A），适用于高频DC/DC转换器、开关电源、续流二极管、OR二极管和反向电池保护等应用。

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双高压沟道MOS势垒肖特基整流器

08-Apr-15 - 数据手册该资料介绍了Vishay公司生产的V40D120C-M3和V40D120CHM3型号的双高压沟槽MOS势垒肖特基整流器。这些整流器采用沟槽MOS肖特基技术，具有低正向电压降、低功耗、高效率等特点，适用于高频DC/DC转换器、开关电源、续流二极管、OR二极管和反向电池保护等应用。

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双高压沟道MOS势垒肖特基整流器

08-Apr-15 - 数据手册该资料介绍了Vishay公司生产的V40D100C-M3和V40D100CHM3型号的双高压沟槽MOS势垒肖特基整流器。这些整流器采用沟槽MOS技术，具有低正向压降和低功耗特性，适用于高频DC/DC转换器、开关电源、续流二极管、OR二极管和反向电池保护等应用。

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双高压沟道MOS势垒肖特基整流器

06-Feb-15 - 数据手册该资料介绍了Vishay公司生产的V10D120C-M3和V10D120CHM3型号的双高压沟槽MOS势垒肖特基整流器。这些整流器采用沟槽MOS肖特基技术，具有低正向电压降、低功耗和高效运行的特点。产品适用于高频DC/DC转换器、开关电源、续流二极管、OR二极管和反向电池保护等应用。

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双高压沟道MOS势垒肖特基整流器

06-Feb-15 - 数据手册 Vishay公司推出的V10D100C-M3和V10D100CHM3系列双高压沟槽MOS势垒肖特基整流器，采用第二代沟槽MOS肖特基技术，具有超低正向压降（0.48V，IF=2.5A），适用于高频DC/DC转换器、开关电源、续流二极管、OR二极管和反向电池保护等应用。

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双高压沟道MOS势垒肖特基整流器

04-Dec-13 - 数据手册 Vishay公司推出的V80H150PW-M3是一款双高压沟槽MOS势垒肖特基整流器，具有超低正向压降（0.51V at IF = 10 A）的特点，适用于高频DC/DC转换器、开关电源、续流二极管、OR二极管和反向电池保护等应用。

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双高压沟道MOS势垒肖特基整流器

04-Dec-13 - 数据手册 Vishay公司推出V80170PW-M3型号双高压沟槽MOS势垒肖特基整流器，采用沟槽MOS肖特基技术，具有低正向电压降、低功耗、高效率等特点，适用于高频DC/DC转换器、开关电源、续流二极管、OR二极管和反向电池保护等应用。

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双高压沟道MOS势垒肖特基整流器

04-Dec-13 - 数据手册该资料介绍了Vishay公司生产的V60H150PW-M3型号双高压沟槽MOS势垒肖特基整流器。该产品采用沟槽MOS肖特基技术，具有低正向压降、低功耗、高效率等特点，适用于高频DC/DC转换器、开关电源、续流二极管、ORing二极管和反向电池保护等应用。

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双高压沟道MOS势垒肖特基整流器

04-Dec-13 - 数据手册 Vishay公司推出的V60170PW-M3是一款双高压沟槽MOS势垒肖特基整流器，具有超低正向压降（0.52V，IF=10A）的特点。该产品采用沟槽MOS肖特基技术，适用于高频DC/DC转换器、开关电源、续流二极管、OR二极管和反向电池保护等应用。

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双高压沟道MOS势垒肖特基整流器

04-Dec-13 - 数据手册 Vishay公司推出的V40170PW-M3是一款双高压沟槽MOS势垒肖特基整流器，具有超低正向压降（0.52V，IF=5A）和高效率运行的特点。该产品适用于高频DC/DC转换器、开关电源、续流二极管、OR二极管和反向电池保护等应用。

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双高压沟道MOS势垒肖特基整流器

13-Dec-16 - 数据手册本资料介绍了Vishay公司生产的V40M120C和VI40M120C两款高压 trench MOS 障垒肖特基整流器。这些产品采用 trench MOS 肖特基技术，具有低正向压降、低功耗、高效率等特点，适用于高频DC/DC转换器、开关电源、续流二极管、OR二极管和反向电池保护等应用。

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双高压沟道MOS势垒肖特基整流器

13-Dec-16 - 数据手册该资料介绍了Vishay公司生产的V30M120C和VI30M120C两款高压沟槽MOS势垒肖特基整流器。这些产品采用沟槽MOS肖特基技术，具有低正向压降和低功耗的特点，适用于高频DC/DC转换器、开关电源、续流二极管、OR二极管和反向电池保护等应用。

双高压沟道MOS势垒肖特基整流器

08-Jan-13 - 数据手册该资料介绍了Vishay公司生产的VT40L45PW双高压沟槽MOS势垒肖特基整流器。该产品采用沟槽MOS肖特基技术，具有低正向压降、低功耗、高效率等特点，适用于高频转换器、开关电源、续流二极管、OR二极管、DC/DC转换器和反向电池保护等应用。

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双高压沟道MOS势垒肖特基整流器

15-Dec-16 - 数据手册该资料介绍了Vishay公司生产的VT1060C-M3、VIT1060C-M3、VT1060CHM3、VIT1060CHM3系列双高压沟槽MOS势垒肖特基整流器。这些产品采用沟槽MOS肖特基技术，具有低正向压降、低功耗、高效率等特点，适用于高频DC/DC转换器、开关电源、续流二极管、OR二极管和反向电池保护等应用。

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双高压沟道MOS势垒肖特基整流器

20-Dec-13 - 数据手册 Vishay General Semiconductor推出的V60200PGW是一款双高压沟槽MOS势垒肖特基整流器，具有超低正向压降（0.54V at IF = 5 A）和高效率操作等特点。该产品适用于高频转换器、开关电源、续流二极管、OR整流二极管、DC/DC转换器和反向电池保护等领域。

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双高压沟道MOS势垒肖特基整流器

20-Dec-13 - 数据手册该资料介绍了Vishay公司生产的V60100PW型号双高压沟槽MOS势垒肖特基整流器。该产品采用沟槽MOS肖特基技术，具有低正向压降、低功耗、高效率等特点，适用于高频转换器、开关电源、续流二极管、OR二极管、DC/DC转换器和反向电池保护等应用。

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双高压沟道MOS势垒肖特基整流器

22-Dec-13 - 数据手册本资料介绍了Vishay公司生产的V40100PGW型号双高压沟槽MOS势垒肖特基整流器。该产品采用沟槽MOS肖特基技术，具有低正向压降、低功耗、高效率等特点，适用于高频转换器、开关电源、续流二极管、OR整流二极管、DC/DC转换器和反向电池保护等应用。

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双高压沟道MOS势垒肖特基整流器

22-Dec-13 - 数据手册 Vishay公司推出的V40100PW是一款双高压沟槽MOS势垒肖特基整流器，具有超低正向压降（0.39V at IF = 5A）和高效运行特点，适用于高频转换器、开关电源、续流二极管、OR整流二极管、DC/DC转换器和反向电池保护等应用。

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双高压沟道MOS势垒肖特基整流器

20-Dec-13 - 数据手册 Vishay公司推出V30100PW-M3型号的Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier，具有超低正向压降和高效能操作特点，适用于高频转换器、开关电源、自由轮二极管、OR二极管、DC/DC转换器和反向电池保护等应用。

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双高压沟道MOS势垒肖特基整流器

10-May-16 - 数据手册 Vishay公司推出的V60M120C-M3和V60M120CHM3型号的高压沟槽MOS肖特基整流器，采用沟槽MOS肖特基技术，具有低正向压降、低功耗的特点。该产品适用于高频DC/DC转换器、开关电源、续流二极管、ORing二极管和反向电池保护等应用。

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双高压沟道MOS势垒肖特基整流器

08-Jan-14 - 数据手册该资料介绍了Vishay公司生产的VT80L45PW双高压沟槽MOS势垒肖特基整流器。该产品采用沟槽MOS肖特基技术，具有低正向电压降、低功耗、高效率运行等特点，适用于高频转换器、开关电源、续流二极管、OR整流二极管、DC/DC转换器和反向电池保护等应用。

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双高压沟道MOS势垒肖特基整流器

08-Jan-14 - 数据手册 Vishay公司生产的VT60L45PW是一款双高压沟槽MOS势垒肖特基整流器，具有超低正向压降（0.24V，IF=5A）和高效运行特性。该产品适用于高频转换器、开关电源、续流二极管、OR二极管、DC/DC转换器和反向电池保护等应用。

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双高压沟道MOS势垒肖特基整流器

12-Jul-17 - 数据手册 Vishay公司推出V60202PGW型号的TMBS®双高压沟槽MOS势垒肖特基整流器，具有低正向压降、低功耗、高效率等特点，适用于高频转换器、开关电源、续流二极管、OR二极管、DC/DC转换器和反向电池保护等应用。

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双高压沟道MOS势垒肖特基整流器

03-Jan-17 - 数据手册该资料介绍了Vishay公司生产的VB30100C-M3和VB30100CHM3型号的双高压沟槽MOS势垒肖特基整流器。这些整流器采用沟槽MOS肖特基技术，具有低正向电压降和低功耗的特点，适用于高频转换器、开关电源、续流二极管、OR二极管、DC/DC转换器和反向电池保护等应用。

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双高压沟道MOS势垒肖特基整流器

20-Dec-13 - 数据手册 Vishay公司推出V80100PW型号的TMBS®双高压沟槽MOS势垒肖特基整流器，具有超低正向压降（0.43V，10A电流下），适用于高频转换器、开关电源、续流二极管、OR二极管、DC/DC转换器和反向电池保护等应用。

VISHAY - 双高压沟道MOS势垒肖特基整流器,DUAL HIGH-VOLTAGE TRENCH MOS BARRIER SCHOTTKY RECTIFIER,V80100PW,V80100PW-M3/4W,开关电源,续流二极管,或ING二极管,REVERSE BATTERY PROTECTION,DC/DC变换器,SWITCHING POWER SUPPLIES,FREEWHEELING DIODES,DC/DC CONVERTERS,HIGH FREQUENCY CONVERTERS,OR-ING DIODE,高频变换器,反向电池保护

双高压沟槽MOS势垒肖特基整流器VB20M120c

19-Jun-2018 - 数据手册

VISHAY - 双高压沟道MOS势垒肖特基整流器,DUAL HIGH-VOLTAGE TRENCH MOS BARRIER SCHOTTKY RECTIFIER,VB20M120C-E3/8W,VB20M120C-M3/I,VB20M120C-E3/4W,VB20M120C,SOLAR CELL JUNCTION BOX AS A BYPASS DIODE FOR PROTECTION,太阳能电池接线盒,作为旁路二极管保护的太阳能电池接线盒,SOLAR CELL JUNCTION BOX

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VB30100C双高压沟槽MOS势垒肖特基整流器

20-Jun-2018 - 数据手册

VISHAY - 双高压沟道MOS势垒肖特基整流器,GENERAL SEMICONDUCTOR,DUAL HIGH-VOLTAGE TRENCH MOS BARRIER SCHOTTKY RECTIFIER,通用半导体,VB30100C-M3/4W,VB30100C,VB30100C-M3/8W

VB20M120C威海通用半导体双高压沟道MOS势垒肖特基整流器

09-Nov-17 - 数据手册该资料介绍了Vishay公司生产的VB20M120C型号双高压沟槽MOS势垒肖特基整流器。该产品采用沟槽MOS肖特基技术，具有低正向电压降、低功耗、高效率等特点，适用于太阳能电池接线盒等应用场景。

VISHAY - 双高压沟道MOS势垒肖特基整流器,DUAL HIGH-VOLTAGE TRENCH MOS BARRIER SCHOTTKY RECTIFIER,VB20M120C-E3/8W,VB20M120C-M3/I,VB20M120C-E3/4W,VB20M120C,太阳能电池接线盒,SOLAR CELL JUNCTION BOX

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双高压沟道MOS势垒肖特基整流器超低VF=0.55 V，IF=5 A VB20M120C

2017-11-09 - 数据手册该资料介绍了Vishay公司生产的VB20M120C型号双高压沟槽MOS势垒肖特基整流器。该产品采用沟槽MOS肖特基技术，具有低正向电压降、低功耗、高效率等特点，适用于太阳能电池接线盒等应用。

VISHAY - 双高压沟道MOS势垒肖特基整流器,DUAL HIGH-VOLTAGE TRENCH MOS BARRIER SCHOTTKY RECTIFIER,VB20M120C,太阳能电池接线盒,SOLAR CELL JUNCTION BOX

V50100PW双高压沟道MOS势垒肖特基整流器

20-Dec-13 - 数据手册本资料介绍了Vishay公司生产的V50100PW型号双高压 trench MOS 隧道结势垒肖特基整流器。该产品采用 trench MOS 肖特基技术，具有低正向电压降、低功耗、高效率等特点，适用于高频转换器、开关电源、续流二极管、OR二极管、DC/DC转换器和反向电池保护等应用。

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双高压沟道MOS势垒肖特基整流器V30D202C

25-Jan-16 - 数据手册本资料介绍了Vishay公司生产的V30D202C型号双高压 trench MOS 隧道型肖特基整流器。该产品采用第二代隧道型肖特基技术，具有低正向压降、低功耗、高效率等特点，适用于高频DC/DC转换器、开关电源、续流二极管、OR二极管等应用。

HYPERSEMI SiC Diode选型表

选型表 - HYPERSEMI HYPERSEMI提供碳化硅肖特基二极管（SiC Schottky Diode）选型。封装包括DFN8x8、PDFN5X6、TO-220AC、TO-220F-2L、TO-247-2L/3L、TO-252、TO-263等。反向重复峰值电压650V-1700V，正向平均电流5A-75A，正向压降1.21V-1.60V。适用于高频高效电源转换、电动汽车充电、光伏逆变器等需要低损耗高耐压的应用场景。

产品型号	品类	Package	VRRM	IF	VF
CR865PEX100	Silicon Carbide Schottky Diode	DFN8x8	650V	8A	1.4V

立即选型

代理服务

技术支持采购服务

HYPERSEMI SBD Module选型表

选型表 - HYPERSEMI HYPERSEMI提供肖特基二极管模块选型。封装包括M01G、M31H、M45、M58。平均正向电流100A-800A，反向重复峰值电压100V或200V，正向压降0.75V-1V，非重复浪涌电流800A-6400A。适用于高效率电源转换、高频整流等需要低正向压降与高浪涌耐受能力的应用场景。

产品型号	品类	Package	IFAV	VRRM	VFM	IFSM
HS1MZK100N1X100	Schottky Diode Module	M01G	100A	100V	1V	800A

立即选型

代理服务

技术支持采购服务

HYPERSEMI Rectifier Module选型表

选型表 - HYPERSEMI HYPERSEMI 提供整流模块选型。封装包括M01G、M02-2、M63、M80、M90、M95等。平均正向电流50A-1000A，反向重复峰值电压800V、1200V、2200V，正向压降1.2V-1.7V，非重复峰值浪涌电流350A-28000A。适用于工业电源、重型电力设备等需要大功率整流与高浪涌耐受能力的应用场景。