Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

知识图谱
2018-03-14 VISHAY 数据手册 英文


●特性
■沟槽式MOS肖特基技术
■低功耗、高效率
■低正向压降
■高正向浪涌能力
■高频工作
■焊槽温度最高275°C,10秒,符合JESD 22-B106标准

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产品型号
品类
ESD
Package Type
Configuration
VDS(V)
VGS(V)
Vth typ.(V)
RDS(ON) (mΩ) typ. at VGS=10V
ID(A)
XR60R320
SJ超结mos
ESD
TO252
Singel
600
±30
3.5
320
9
立即选型
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XNRUSEMI(新锐半导体)SiC MOS选型表

选型表  -  XNRUSEMI 新锐半导体提供SiC MOSFET选型。产品涵盖650V、750V、1200V电压等级,导通电阻13.5mΩ-350mΩ,电流范围10A-166A。封装包含TO247-4L、TO252-3L、TO220F。具备低导通电阻、耐高温特性,适用于光伏逆变、新能源汽车充电桩及开关电源等高效能场景。

产品型号
品类
封装
Vds(V)
ID(A)Tc=25℃
ID(A)Tc=100℃
Rds on(mR) Tj=25℃ Typ
Rds on(mR) Tj=175℃ Typ
VGSmax(V)
Igss(nA)(25℃)
gfs(s)
Idss(uA) Tj=25℃ Typ.
Idss(uA) Tj=25℃ MAX
Idss(uA) Tj=175℃ Typ.
VGS th(V) Tj=25℃ Typ.
VGS th(V) Tj=25℃ MAX
VGS th(V) Tj=175℃ Typ.
Ciss(pF)
Coss(pF)
Crss(pF)
XRC120R15P
SiC MOS
TO247-4L
1200
166
117
13.5
23.5
-10/22
250
41 Vds=10V,ID=75A
0.1
20
0.5
2.9
4.5
2
5527
235
10
立即选型
代理服务

AIT Sensing(爱感智能)倾角传感器选型表

选型表  -  AIT Sensing AIT Sensing提供如下倾角传感器选型。测量范围覆盖±5°~±180°,测量精度±0.001°~±0.3°,分辨率0.0005°~0.03°。供电电压9-36V/12-36V可选,工作电流30mA/50mA。输出接口支持RS485、CAN总线、电流输出(4-20mA)、电压输出(0-10V)等多种方式。全系防护等级IP67,适用于工程机械姿态监测、桥梁结构健康监测、工业自动化平台调平、风电塔筒倾斜检测等高精度角度测量场景

产品型号
品类
供电电压
工作电流
测量范围
测量精度
分辨率
输出接口
防护等级
TS-1211-R03-485
倾角传感器
9-35V
30mA (typ.)
±180°
±0.3°
0.03°
RS485
IP67
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