eGaN® FETs and ICs PRODUCT SAMPLE CARD
氮化镓功率晶体管为最终产品的新水平提供了途径差异化。这里egallium氮化物®FET和IC与Si-MOSFET在功率方面的优势是什么设计：
•实现新功能-更高的开关频率-更低的开关损耗和更低的驱动功率-更高的效率-更低的传导和开关损耗，零反向恢复损耗-更小的占地面积-更高的功率密度
•易于使用-与N-沟道MOSFET一样工作速度更快
•经济高效
•鲁棒性超越硅的能力
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EPC - 转换器,电力电子功率器件,演示板,电力电子功率模块,DEMONSTRATION BOARD,EPC9115,EPC2021,EPC2020,公共安全设备,工业电子,消费电子,军工设备,汽车电子,通信设备
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产品型号
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品类
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VDS max(V)
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ID(max RMS)(A)
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Description
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Featured Product
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EPC9205
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评估板
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80
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10
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PCB-based GaN Power Module for 48 V – 12 V Intermediate Bus Conversion
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EPC2045
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