MMD80R900QZ 800V 0.90Ω N-channel MOSFET Data Sheet
● 说明：
■ MMD80R900QZ是一种功率MOSFET，采用Magnachip的先进超级结技术，可以实现极低的导通电阻和栅极电荷。通过使用优化的电荷耦合技术，它将提供更高的效率。这些用户友好的设备为设计者提供了低EMI和低开关损耗的优势。
● 特征：
■ 通过高速开关和低导通电阻降低功耗
■ 出色的ESD稳健性
■ 100%雪崩测试
■ 绿色包装-无铅电镀，无卤素
■ 关键参数
● 应用：
■ 功率因数校正电源级
■ 交换应用
■ 适配器
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|
产品型号
|
品类
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VDS
|
ID
|
Vgs (±V)
|
Vth(V)
|
ESD
Diode
|
RDS(on) mΩ 10V(Typ)
|
RDS(on) mΩ 10V(Max)
|
RDS(on) mΩ 4.5V(Typ)
|
RDS(on) mΩ 4.5V(Max)
|
RDS(on) mΩ 2.5V(Typ)
|
RDS(on) mΩ 2.5V(Max)
|
Ciss Typ(pF)
|
Qg Typ(nC)
|
Type
|
Package
|
|
FHC1208
|
MOS管
|
12(Vss)
|
8(Is)
|
8
|
0.4~1.4
|
Yes
|
/
|
/
|
4.7(Rss)
|
5.5(Rss)
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6.8(Rss)
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9.0(Rss)
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2760
|
24.7
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N+N
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WLCSP6-2.14x1.67x0.1
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产品型号
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品类
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封装/外壳/尺寸
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PD(W)
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ID
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VDSS(V)
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Polarity
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Qg(nC)@10V(typ)
|
VGSS(V)
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RDS(on)mΩ@10V
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LGE1N60P
|
MOSFET
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TO-220AB
|
40
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5
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±30
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产品型号
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品类
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L(µH)(0A)
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Rdc(mΩ)Typical
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Rdc(mΩ)Max.
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Idc(A)Typical
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Idc(A)Max.
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Isat(A)Typical
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Isat(A)Max.
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感值精度
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应用等级
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欧盟强制性环保法规
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SMBA0420-R36MRZNS
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冷压Molding电感
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0.36
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8
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9.2
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12.8
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11.5
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11
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9.5
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±20%
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工业/商业级
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ROHS
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电子商城
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