ESDBS1V8AH1 DFNWB1.0X0.6-02L-G Plastic-Encapsulate Diodes
●说明:
设计用于保护电压敏感电子元件免受ESD和其他瞬变的影响。出色的箝位能力、低泄漏、高电容和快速响应时间为暴露于ESD的设计提供了一流的保护。
小尺寸、高电容和高水平ESD保护的结合使其成为HDMI、Display Port TM和MDDI接口等应用的灵活解决方案。它的设计目的是取代多层压敏电阻(MLV)在消费类设备的应用,如手机,笔记本电脑,平板电脑,机顶盒,液晶电视等。
●特征:
■单线双向ESD保护
■低电容:45pF(典型)
■低倒立−关断电压:1.8V
■低反向箝位电压
■低泄漏电流
■优质封装:1.0mm×0.6mm×0.5mm
■快速响应时间
■JESD22-A114-B每个人体模型3B级ESD等级
■IEC 61000-4-2第4级ESD保护
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长晶科技ESD Diode选型表
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产品型号
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品类
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Status
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VBRMax(V)
|
VC(V)
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VBRMin(V)
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IR(uA)
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CJ(PF)
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IPP(A)
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Ppp(W)
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VRWM(V)
|
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ESDBS1V8AH1_DFNWB1.0x0.6-2L
|
ESD Diode
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250
|
1
|
25
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4
|
45
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8
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DFNWB1.0x0.6-2L
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1.8
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3
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产品型号
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品类
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Status
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VBRMax(V)
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VC(V)
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VBRMin(V)
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IR(uA)
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CJ(PF)
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IPP(A)
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Ppp(W)
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VRWM(V)
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Package
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ESDBS1V8AH1_DFNWB1.0×0.6-2L
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ESD静电保护二极管
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Active
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4
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8
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3
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1
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25
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250
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1.8
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DFNWB1.0×0.6-2L
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电子商城

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