CHA8312-99F 17W X-Band High Power Amplifier GaN Monolithic Microwave IC data sheet

L、S、C、X、Ku、Ka和Q波段高性能微波单片集成电路

2024/5/15  - 商品及供应商介绍 UMS SATCOM Products提供高性能MMICs，涵盖L、S、C、X、Ku、Ka和Q波段。产品包括低噪声放大器（LNA）、功率放大器（PA）和频率转换器，适用于卫星通信终端。UMS支持客户向更高频率和更宽频带迁移，并提供多种封装解决方案，满足传统GEO和新LEO上行链路和下行链路的需求。产品目录包括多种放大器、衰减器、下变频器和功率分配器等。

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我们最新发布的国防产品精选

2024/5/27  - 商品及供应商介绍 UMS公司推出一系列新型GaN和GaAs元器件，用于雷达和电子战应用。产品包括LNA放大器和MPA放大器，涵盖不同频段和性能参数。详情请访问UMS官方网站www.ums-rf.com。

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【产品】UMS CHA7012系列 GaAs Monolithic Microwave ICHigh Power Amplifier

系列型号： CHA7012-99F

X波段高功率放大器

27 Oct 20  - 数据手册 该资料详细介绍了CHA7215-99F GaAs单片微波集成电路（MMIC）X波段高功率放大器。该放大器采用0.25微米功率pHEMT工艺制造，具有高输出功率、高线性增益和高效能等特点，适用于X波段应用。

UMS  -  高功率放大器,HIGH POWER AMPLIFIER,CHA7215-99F,X波段,X BAND

CHA8612-QDB/20 印刷电路板库 & 原理图库 & 交互式库

2025-07-25  - CAD模型库

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X波段HBT大功率放大器GaAs单片微波集成电路

27 Oct 20  - 技术文档 该资料介绍了X波段HBT高功率放大器CHA8100-99F的详细规格和特性。该芯片是一款单片双级高功率放大器，适用于X波段应用，提供11W输出功率，40%功率附加效率，并具有高鲁棒性。主要特点包括：11W脉冲模式输出功率，高增益（>18dB @ 10GHz），高功率附加效率（40% @ 10GHz），两种偏置模式（数字和模拟控制），芯片尺寸为4.9 x 3.68 x 0.1mm³。资料还提供了电气特性、绝对最大额定值、典型测量特性、芯片机械数据和引脚参考等信息。

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【产品】UMS CHA8612-QDB系列 高功率放大器

系列型号： CHA8612-QDB/20

CHA8612-QDB 15W X波段高功率放大器

19 Dec 22  - 数据手册 该资料介绍了CHA8612-QDB是一款工作在7.9至11GHz频段的15W高功率放大器，采用GaN Monolithic Microwave IC技术制造。它提供典型的15W饱和输出功率和40%的功率附加效率，适用于从军事到商业雷达和通信系统的广泛应用。

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X波段AESA芯片组

2018/04/19  - 技术文档 本资料介绍了适用于多用途相控阵雷达的GaN和GaAs解决方案，包括X波段AESA芯片组。资料详细列出了各种低噪声放大器、驱动放大器、高功率放大器、核心芯片、衰减器、移相器和反射式SPDT开关的型号、频率、增益、功率等参数。此外，还提供了UMS公司相关产品的详细信息，包括联系方式和全球分销商信息。

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CHA8710a99F 25W X波段高功率放大器氮化镓单片微波集成电路

24 May 18  - 数据手册 该资料介绍了CHA8710a99F这款25瓦X波段高功率放大器。它是一款基于GaN HEMT工艺制造的两级高功率放大器，工作频率范围为8.5至10.5GHz，提供典型的25瓦饱和输出功率和44%的功率附加效率。适用于从军事到商业通信系统的广泛应用。

UMS  -  25W X波段大功率放大器,25W X-BAND HIGH POWER AMPLIFIER,CHA8710A99F,CHA8710A99F/00,它被设计用于广泛的应用，从军事到商业通信系统。,IT IS DESIGNED FOR A WIDE RANGE OF APPLICATIONS, FROM MILITARY TO COMMERCIAL COMMUNICATION SYSTEMS.

CHA7215-RoHS兼容X波段高功率放大器GaAs单片微波集成电路

14,Oct,09  - 数据手册 CHA7215是一款基于0.25 µm Power pHEMT工艺的三级高功率放大器，适用于X波段应用。该器件提供典型的9W输出功率，在4dBc处具有35%的功率附加效率和高鲁棒性。其主要特性包括：工作频率范围为8.5至11.5GHz，饱和输出功率为39.5dBm，小信号增益为28dB。

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用于多用途相控阵雷达的X波段AESA芯片组氮化镓和GaAs解决方案

2018/06/09  - 技术文档 本资料介绍了适用于多用途相控阵雷达的GaN和GaAs解决方案，包括X波段AESA芯片组。资料详细列出了低噪声放大器、驱动放大器、高功率放大器、核心芯片、衰减器、移相器和反射式SPDT开关等元器件的型号、频率、增益、功率饱和点等参数。此外，还提供了UMS公司相关产品的详细信息，包括联系方式和全球分销商信息。

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CHA8612-QDB 18W X波段高功率放大器单片SMD无引线氮化镓微波集成电路

12 Feb 24  - 数据手册 该资料介绍了CHA8612-QDB是一款工作在7.9至11GHz频段的18W X-Band高功率放大器。它采用GaN HEMT工艺制造，具有宽带性能、高输出功率和高效率等特点，适用于军事和商业雷达及通信系统。

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