Silicon Carbide Schottky Diodes Provide Breakthrough Performance

【产品】ROHM SCS208AJ系列 Diode

系列型号： SCS208AJTLL; SCS208AJTLLZ

碳化硅肖特基势垒二极管碳化硅肖特基势垒二极管选型指南

2017/11/23  - 数据手册 本资料介绍了硅碳化物（SiC）肖特基势垒二极管（SBDs）的优势和应用。与传统硅二极管相比，SiC SBD具有更高的耐压、更低的正向电压和快速恢复时间，适用于功率电子领域，特别是在需要高效率和低损耗的应用中。

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静电放电试验结果（机型）【参考数据】SiC SBD SCS212A

2016.11  - 测试报告 本资料提供了ROHM公司生产的SiC SBD（碳化硅二极管）产品SCS212A*的电静态放电（ESD）测试结果。测试包括机器模型和人体模型，测量条件分别为C=200 pF、R=0 Ω、Ta=25°C和C=100 pF、R=1.5 kΩ、Ta=25°C 5脉冲。数据展示了不同输入电压下的累积失效率，并指出该数据为特定批次代表性值，不代表最差或保证值。

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【产品】ROHM SCS212AJ系列 Diode

系列型号： SCS212AJTLL; SCS212AJTLLZ

SCS212AJ SiC Schottky Barrier Diode

13.Apr.2018  - 数据手册 本资料为ROHM公司生产的SCS212AJ碳化硅肖特基二极管的数据手册。该器件具有650V的反向电压、12A的正向电流和18nC的快速恢复时间，适用于PFC升压拓扑、次级侧整流和数据中心等应用。

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静电放电试验结果（机型）【参考数据】SiC SBD SCS220A

2016.11  - 测试报告 本资料提供了罗姆公司（ROHM Co., Ltd.）生产的SiC SBD（碳化硅二极管）产品SCS220A*的电静态放电（ESD）测试结果。测试包括机器模型和人体模型两种情况，测量条件分别为C=200 pF、R=0 Ω、Ta=25°C和C=100 pF、R=1.5 kΩ、Ta=25°C、5脉冲。资料中展示了不同输入电压下的累积失效率，并指出数据为特定批次代表性值，不代表最差或保证值。

ROHM  -  SIC SBD,SIC备用电池,SCS220A

Rohm解决方案模拟器示意图信息A-017。三相交错式PFC VIN=200V，IIN=7.5A，DCM

2023. Feb  - 电路原理图 本资料提供了ROHM公司的一款三相交错PFC电路的仿真信息，包括电路参数、仿真设置、器件选择、波形图、损耗计算模型等。主要内容包括输入电压、电流、输出电压、开关频率等参数的设定范围，以及不同器件的选择和特性。此外，还提供了损耗计算模型和注意事项，以确保电路的安全和可靠性。

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【产品】ROHM SCS206AJ系列 Diode

系列型号： SCS206AJTLL; SCS206AJTLLZ

SCS212AJ SiC肖特基势垒二极管

14.Apr.2023  - 数据手册 本资料为ROHM公司生产的SCS212AJ碳化硅肖特基二极管的数据手册。该器件具有650V的反向电压、12A的正向电流和18nC的充电量，适用于PFC升压拓扑、次级侧整流和数据中心等应用。

ROHM  -  SIC SCHOTTKY BARRIER DIODE,SIC肖特基势垒二极管,SCS212AJ,PV POWER CONDITIONERS,光伏功率调节器,DATA CENTER,数据中心

静电放电试验结果（机器模型）[参考数据]SiC SBD SCS208A

2016.11  - 测试报告 本资料提供了ROHM公司SCS208A*型号碳化硅肖特基二极管（SiC SBD）在电静态放电（ESD）测试中的结果数据。数据包括机器模型和人体模型下的累积失效率，以及不同输入电压下的测试条件。资料指出，这些数据是基于特定批次的产品代表性值，不代表最差或保证值。

ROHM  -  SIC SBD,SIC备用电池,SCS208A

A-13。PFC DCM 3相VIN=200V IIN=7.5A模拟器原理图信息

2021. Sep  - 电路原理图 本资料提供了一种PFC DCM 3相Vin=200V Iin=7.5A的模拟参数和电路设置。包括输入电压、电流、输出电压、开关频率、温度等参数的默认值和模拟设置范围。同时，提供了可选的器件列表，包括MOSFET、SiC SBD、门驱动器等，并详细列出了各器件的产品编号、特性和选择范围。资料还包含了一些注意事项，如产品信息可能变更、使用安全措施、技术信息仅供参考等。

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SCS2xxAN（650V) SCS2xxKN（1,200V) 宽爬电距离封装SiC肖特基势垒二极管

11.2024  - 商品及供应商介绍 ROHM公司推出新型SiC肖特基势垒二极管，采用小型表贴封装，实现宽爬电距离，适用于xEV系统电压提升。产品具有低开关损耗，有助于降低设备功耗。产品包括650V和1,200V两种电压等级，适用于车载和工业设备。

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