DE060PG P-Channel MOSFET

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发布时间： 2022-01-05 品牌：杜因特资料类型：数据手册语言：英文

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● 说明：

■ 该P沟道MOSFET采用先进的沟槽技术和设计，以低栅电荷提供优良的R-D（on）。它可用于多种应用。

● 特征：

■ V-DS=-60V，l-D=-25A，R-DS（开启）<60mΩ@V-GS=-10V
■ 低门电荷。

■ 绿色设备可用
■ 先进的高单元密度沟槽技术，用于超低R-DS（ON）。

■ 良好的散热封装。

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【产品】导通电阻最大值为60mΩ的P沟道MOSFET-DE060PG，持续漏极电流为-25A

2022-04-20 - 产品杜因特推出的P沟道MOSFET DE060PG，采用了先进的沟槽技术和设计，具有低栅极电荷和极低的导通电阻，总栅极电荷典型值为23nC（VGS=-10V，VDS=-30V，ID=-10A），其漏源电压为-60V，持续漏极电流为-25A。

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UE030PG P沟道MOSFET

2019/6/21 - 数据手册该资料介绍了P-Channel MOSFET（增强型MOS场效应晶体管）的技术规格和应用。它采用了先进的沟槽技术设计，具有低导通电阻和低栅极电荷的特点，适用于多种应用。

杜因特 - P通道MOSFET晶体管,P-CHANNEL MOSFET,UE030PG

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NB002PG P沟道MOSFET

2020/5/22 - 数据手册本资料介绍了NB002PG型P-Channel MOSFET的特性。该器件采用先进的沟槽技术设计，具有低导通电阻（RDS(on)）和低栅极电荷，适用于多种应用。

杜因特 - P通道MOSFET晶体管,P-CHANNEL MOSFET,NB002PG

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ZC011P2G P沟道MOSFET

2022/6/17 - 数据手册该资料介绍了ZC011P2G型号的P-Channel MOSFET的特性。它采用先进的沟槽技术设计，具有低导通电阻（RDS(on)）和低栅极电荷，适用于多种应用。

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BE020PG P沟道MOSFET

2022/6/14 - 数据手册该资料详细介绍了BE020PG型号的P-Channel MOSFET的特性。它采用先进的沟槽技术设计，具有低导通电阻（RDS(on)）和低栅极电荷，适用于多种应用。

杜因特 - P通道MOSFET晶体管,P-CHANNEL MOSFET,BE020PG

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UE068PG P沟道MOSFET

2021/5/14 - 数据手册本资料介绍了P-Channel MOSFET的特性，包括其低导通电阻（RDS(on)）、低栅极电荷、绿色环保设计以及先进的深沟槽技术。此外，还提供了该器件的热特性、电气特性和典型特性曲线。

杜因特 - P通道MOSFET晶体管,P-CHANNEL MOSFET,UE068PG

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VH200PG P沟道MOSFET

2022/9/13 - 数据手册本资料介绍了VH200PG型P-Channel MOSFET的特性。该器件采用先进的沟槽技术设计，具有低导通电阻（RDS(on)）和低栅极电荷，适用于多种应用。

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PE009PG P沟道MOSFET

2019/8/30 - 数据手册该资料介绍了PE009PG型号的P-Channel MOSFET的特性。它采用先进的沟槽技术设计，具有低导通电阻（RDS(on)）和低栅极电荷，适用于多种应用。资料提供了绝对最大额定值、热特性、电学特性、动态特性和开关特性等方面的详细信息。

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PD010PG P沟道MOSFET

2019/9/3 - 数据手册该资料介绍了PD010PG型号的P-Channel MOSFET的特性。它采用先进的沟槽技术设计，具有低导通电阻（RDS(on)）和低栅极电荷，适用于多种应用。

杜因特 - P通道MOSFET晶体管,P-CHANNEL MOSFET,PD010PG

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PH090PG P沟道MOSFET

2021/12/6 - 数据手册该资料详细介绍了PH090PG型号的P-Channel MOSFET的特性。它采用先进的沟槽技术设计，具有低导通电阻（RDS(on)）和低栅极电荷，适用于多种应用场景。

杜因特 - P通道MOSFET晶体管,P-CHANNEL MOSFET,PH090PG

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DO6401 P沟道MOSFET

2019/6/17 - 数据手册该资料介绍了DO6401型P沟道MOSFET的特性。它采用先进的深槽技术设计，具有低导通电阻和低栅极电荷，适用于多种应用。

杜因特 - P通道MOSFET晶体管,P-CHANNEL MOSFET,DO6401

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DO6405 P沟道MOSFET

2019/6/17 - 数据手册该资料介绍了DO6405型P沟道MOSFET的特性。它采用先进的深沟槽技术设计，具有低栅极电荷和优异的导通电阻（RDS(on)）。适用于多种应用。

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PC010PG P沟道MOSFET

2018/5/8 - 数据手册本资料介绍了P-Channel MOSFET的特性，包括其电压、电流、热阻等参数，并提供了电气特性曲线和开关特性数据。该MOSFET采用先进的沟槽技术设计，具有低导通电阻和高栅极电荷的特点。

杜因特 - P通道MOSFET晶体管,P-CHANNEL MOSFET,PC010PG

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选型表 - 杜因特杜因特提供SiC碳化硅功率MOSFET选型，涵盖平面型（Planar/Planar2）技术工艺。电压等级覆盖650V-1200V，电流承载能力7A-160A，导通电阻范围16mΩ-495mΩ，栅极阈值电压2.5V-3.5V。封装形式包括TO-252、TO-247及带开尔文源极的TO-247-4L/TO-247-4LNotch四引脚封装，支持18V/-5V驱动。适配新能源汽车、充电桩、光伏逆变、储能系统及工业电源等高频高压应用。

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杜因特功率MOSFET选型表

选型表 - 杜因特杜因特提供功率MOSFET分立器件及多芯片集成选型，涵盖Trench沟槽、SGT屏蔽栅、SJ-MOS超结及Planar平面技术工艺，含N沟道、P沟道及互补对管（N+P/N+N）。电压覆盖12V-1500V，电流0.18A-350A，导通电阻低至0.45mΩ，可选低Qg、带ESD防护及内置FRD特性。封装齐全：TO-252/251/220/263、SOP-8、SOT-23/89/223、DFN2×2/3×3/5×6及TOLLA等，适配开关电源、电机驱动、电池保护及高频同步整流应用。