Low-power 2-input NAND Schmitt trigger
●一般说明
■74AUP1G132提供单2输入NAND施密特触发器功能，可接受标准输入信号。它们能够将缓慢变化的输入信号转换为定义清晰、无抖动的输出信号。
■该设备确保在0.8 V至3.6 V的整个V-CC范围内具有非常低的静态和动态功耗。
■该设备完全指定用于使用I-OFF的部分断电应用。I-OFF电路禁用输出，防止在设备断电时通过设备的有害回流电流。
■输入在不同点切换，以获得正向和反向信号。正电压V-T+和负电压V-T-之间的差值被定义为输入滞后电压V-H。
●功能和优点
■从0.8 V到3.6 V的宽电源电压范围
■高抗噪性
■ESD保护：
▲HBM JESD22-A114F 3A级超过5000 V
▲MM JESD22-A115-A超过200 V
▲CDM JESD22-C101E超过1000 V
■静态功耗低；ICC=0.9μA（最大）
■按照JESD 78 II级，闭锁性能超过100 mA
■输入接受高达3.6V的电压
■低噪声过冲和欠冲
■多个软件包选项
■规定温度为-40°C至+85°C和-40°C至+125°C
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NEXPERIA - 低功耗2输入NAND-SCHMITT触发器,单2输入与非门,LOW-POWER 2-INPUT NAND SCHMITT TRIGGER,SINGLE 2-INPUT NAND GATE,74AUP1G132GW-Q100,74AUP1G132-Q100,AUTOMOTIVE APPLICATIONS,MONOSTABLE MULTIVIBRATOR,WAVE SHAPER,PULSE SHAPER,脉冲整形器,波形整形器,ASTABLE MULTIVIBRATOR,单稳态多谐振荡器,汽车应用,非稳态多谐振荡器
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必易微降压转换器选型表
选型表 - 必易微 必易微提供降压转换器（Buck/DC-DC Buck）选型，覆盖宽泛电压、电流范围。输入电压涵盖2.5V至100V，输出电流最高达8A，支持固定输出（3.3V/5V/12V/18V等）与可调输出（0.6V~24V/30V可选）。全系列以PCM、CMCOT、COT控制架构为主，结合可选的PFM/FPWM轻载工作模式，静态电流低至55~350μA，工作频率覆盖100Hz~2400kHz。关键参数包括极低的MOS导通阻抗（上管RDS(on)低至20mΩ）、可选内外部软启动，同时可选集成电源正常指示功能。封裝方案丰富多样，主要为SOT23-5/6、TSOT23-6、SOT563、DFN、SOP-8、ESOP-8以及QFN等微型封装，适用于便携式设备、车载系统、通信设备、工业模块的电源降压转换场景，提供高效率、高精度的降压管理解决方案。
|
产品型号
|
品类
|
最小输入电压(V)
|
最大输入电压(V)
|
输出电流(A)
|
静态电流(µA)
|
工作频率(kHz)
|
反馈电压(V)
|
输出电压(V)
|
上管RDS(on)(mΩ)
|
下管RDS(on)(mΩ)
|
电源正常指示
|
软启动
|
控制方式
|
轻载工作模式
|
封装
|
|
KP521101R
|
降压转换器
|
2.5
|
6
|
1
|
55
|
1500
|
0.6±1%
|
0.6~6
|
185
|
120
|
否
|
内置固定
|
PCM
|
PFM
|
SOT23-5
|
必易微非隔离转换器选型表
选型表 - 必易微 必易微提供非隔离转换器选型。涵盖Buck、Buck-Boost和Flyback拓扑电路，耐压范围覆盖150V至800V，内阻可选17Ω至0.35Ω。产品提供固定输出电压（3.3V、5V、12V、15V、18V等）和可调输出，限流范围从100mA至1.2A可调，最高工作频率为30kHz至180kHz。全系列具备逐周期限流保护功能，待机功耗普遍低于50mW至100mW。封装以SOP-4、SSOP-6、SOT23-3、TO-92、ASOP-7、SOP-7/8、DIP-7/8为主，适用于家用电器、工业控制、小功率适配器以及各类非隔离低压供电场景，提供高效率、高集成度的低成本电源解决方案。
|
产品型号
|
品类
|
拓扑电路
|
耐压(V)
|
内阻(Ω)
|
最高频率(kHz)
|
逐周期限流
|
输出电压
|
典型规格（Buck应用）
|
待机功耗(mW)
|
封装
|
|
KP35026
|
非隔离转换器
|
Buck/Buckboost
|
500
|
17
|
45
|
460mA
|
固定3.3V
|
3.3V250mA
|
<20
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SOP-4
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必易微SSR转换器选型表
选型表 - 必易微 必易微提供SSR转换器（次级侧反馈电源转换器）选型。此系列涵盖MOS与GaN器件全系反激拓扑Flyback，工作模式包括DCM/QR/CCM，覆盖12W至120W推荐功率段。优势在于全系具备高压启动特性，多数型号集成LOVP/BOP线路过欠压保护或Line BOP保护，VDD电压典型范围覆盖5.5V至112V，内阻从最低0.16Ω到10Ω可选，耐压最高达1000V（KPE36291）。功率较大型号普遍采用GaN技术，支持130kHz/220kHz可选高频率，实现高效率与高功率密度，待机功耗普遍低于50mW，高性能GaN系列低于30mW。可选封装包括SOP-7、DIP-7、DIP-8、ASOP-6、ASOP7-T4、HSOP7-T3、ESOP-7、ESOP-10W、SMP-7、SOP-8等，为充电器、适配器、中大功率开关电源以及工业电源应用提供了高可靠性、高效率、超低待机功耗的集成电源解决方案。
|
产品型号
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品类
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拓扑电路
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工作模式
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MOS类型
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耐压(V)
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内阻(Ω)
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VDD电压(V)
|
最高频率(kHz)
|
推荐功率(W)
|
待机功耗(mW)
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封装
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KP2012B
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SSR转换器
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Flyback
|
DCM/CCM
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MOS
|
650
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4
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9~31
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65
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12
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<75
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DIP-7
|
电子商城
现货市场
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