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300 W general purpose wide-range SMPS PFC + TTF Evaluation Board

2018-05-06 INFINEON 应用笔记或设计指南 英文
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组合PFC/PWM控制器ICE1CS02 ICE1CS02G

25 July 2008  - 数据手册 本资料介绍了ICE1CS02组合PFC/PWM控制器,适用于离线SMPS电流模式PFC/PWM应用。该控制器具有内部同步和外部同步功能,提供预短路保护和AC欠压功能,支持宽输入电压范围,并采用BiCMOS技术提供广泛的性能。

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材料含量数据表MA001051868

29. August 2013  - 测试报告 本资料为Infineon Technologies AG公司生产的ICE1CS02G元器件的材料内容数据表。数据表详细列出了该元器件中各组成部分的材料、CAS编号、重量、平均质量百分比、总和百分比以及平均质量浓度和总和浓度。资料强调Infineon Technologies AG基于第三方提供的信息提供完整材料声明,并采取了合理措施确保信息的代表性和准确性。同时,资料指出某些信息可能属于专有信息,因此可能无法提供全部CAS编号和其他有限信息。所有声明基于当前知识,提供“现状”且可能因技术要求和开发而随时更改,无需通知。

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300W通用宽量程开关电源PFC+TTF评估板

2015-10-20  - 应用笔记或设计指南 本文介绍了300W通用宽范围SMPS PFC + TTF评估板的设计和应用。该评估板采用Infineon Combi Controller IC ICE1CS02,分为功率因数校正(PFC)阶段和双晶体管正激(TTF)阶段。电源可从通用输入(90VAC至265VAC,50~60Hz)运行,并提供42VDC的稳定输出。文章详细描述了系统设计、拓扑结构、保护功能和关键组件的设计选择。

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金属氧化物半导体场效应晶体管™ P6 600V CoolMOS™ P6功率晶体管IPx60R190P6

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材料含量数据表MA001033032

29. August 2013  - 测试报告 本资料为ICE1CS02元器件的材料成分数据表。表格详细列出了该元器件的构造元素、物质、CAS编号、重量、平均质量百分比、总和百分比、平均质量ppm和总和ppm等信息。资料还包含重要备注,指出Infineon Technologies AG提供的信息基于第三方提供的信息,并已采取合理措施提供代表性和准确的信息。

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600W半桥有限责任公司评估板EVAL-600W-12V-LLC-A模拟EVAL-600W-12V-LLC-D数字

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ICE3PCS01G PFC+TTF控制卡附录至ANEVAL\U 201410\U PL52\U 002

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金属氧化物半导体场效应晶体管™ P6 600V CoolMOS™ P6功率晶体管IPZ60R041P6

2015-07-13  - 数据手册 本资料介绍了Infineon Technologies的CoolMOS™P6系列高压功率MOSFET,该系列基于超级结(SJ)原理设计,具有低开关和导通损耗,适用于PFC阶段、硬开关PWM阶段和 resonate switching阶段,如计算机、服务器、电信和UPS等应用。

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材料含量数据表MA001064178

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CoolMOS™CE

2017/11/02  - 技术文档 CoolMOS™ CE系列高压MOSFET产品,电压范围从500V至800V不等,RDS(on)范围从0.19Ω至3.4Ω。产品适用于多种电源拓扑和市场需求,包括适配器/充电器、PC电源、LCD电视、LED驱动等。

INFINEON  -  COOLMOS™ CE

金属氧化物半导体场效应晶体管™ P6 600V CoolMOS™ P6功率晶体管IPZ60R099P6

2015-07-13  - 数据手册 本资料介绍了Infineon Technologies的CoolMOS™P6系列高压功率MOSFET,该系列基于超级结(SJ)原理设计,结合了SJMOSFET供应商的经验和高级创新。这些器件提供了快速切换SJMOSFET的所有好处,同时不牺牲易用性。极低的开关和导通损耗使开关应用更加高效、紧凑、轻便和冷却。

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英飞凌EiceDRIVER™栅极驱动IC 选型指南

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Infineon(英飞凌) solutions for switch mode power supplies Bringing energy efficiency to the next level

2016/12/03  - 应用及方案 Infineon提供针对开关电源的高效半导体解决方案,满足能源效率、功率密度和可靠性方面的最高要求。产品包括600 V CoolMOS™ C7 MOSFETs和2EDN EiceDRIVER™门驱动器,适用于高效和成本驱动应用。

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先进硅器件应用与技术趋势

March 2015  - 应用及方案 本文探讨了硅器件与氮化镓器件在关键性能指标上的比较,以及在硬开关和谐振电路中的应用对比。文章详细分析了硅器件的优化和改进,包括超结器件的性能提升和GaN器件在功率密度和效率方面的优势。此外,还讨论了布局实践、封装技术对器件性能的影响,以及GaN在谐振转换器中的应用前景。

INFINEON  -  100 V OPTIMOS™ BSC034N10NS5,EOSS,SIC,RDSON / SSO8,COOLMOS™ C7 / SIC G5,COOLMOS™ C7 35 MOHM,GAN,SJ,RDSON*A,4.5 KW/L (74W/IN³),COOLMOS™ CP,COOLMOS™ C7 65 MOHM,VDS,TCM PFC 3 KW,RON*QOSS,SMD,GAN 70 MOHM / IGBT F5 40A + 16A SIC SBD,COOLMOS™ CP 600V,MOHM,MOHM*NC *100,QG,SI,200 V OPTIMOS™ BSZ22DN20NS3,COOLMOS™,QOSS,RDSON*QOSS

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