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INFINEON - ICE1CS02G,ICE1CS02
材料含量数据表MA001051868
29. August 2013 - 测试报告 本资料为Infineon Technologies AG公司生产的ICE1CS02G元器件的材料内容数据表。数据表详细列出了该元器件中各组成部分的材料、CAS编号、重量、平均质量百分比、总和百分比以及平均质量浓度和总和浓度。资料强调Infineon Technologies AG基于第三方提供的信息提供完整材料声明,并采取了合理措施确保信息的代表性和准确性。同时,资料指出某些信息可能属于专有信息,因此可能无法提供全部CAS编号和其他有限信息。所有声明基于当前知识,提供“现状”且可能因技术要求和开发而随时更改,无需通知。
INFINEON - MA001051868,ICE1CS02G
600W半桥有限责任公司评估板评估12V 600W有限责任公司模拟评估12V 600W有限责任公司数字
2014-11-04 - 评估板使用说明 本资料详细介绍了Infineon Technologies AG提供的600W Halfbridge LLC Evaluation Board,包括其通用描述、效率结果和设计概念。资料中展示了该评估板的系统理解,包括主要组件和配置,如CoolMOSTM IPP60R190P6和OptiMOSTM BSC010N04LS MOSFETs,以及LLC模拟和数字控制器。此外,还提供了PCB布局、主电源板和偏置板的原理图,以及效率测量结果,峰值效率达到97.8%。资料还涵盖了设计过程、共振电感器组件、增益曲线、Qoss、Imag、pk、tdead和tecs之间的关系,以及主要变压器结构和共振电感器结构。
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300W通用宽量程开关电源PFC+TTF评估板
2015-10-20 - 应用笔记或设计指南 本文介绍了300W通用宽范围SMPS PFC + TTF评估板的设计和应用。该评估板采用Infineon Combi Controller IC ICE1CS02,分为功率因数校正(PFC)阶段和双晶体管正激(TTF)阶段。电源可从通用输入(90VAC至265VAC,50~60Hz)运行,并提供42VDC的稳定输出。文章详细描述了系统设计、拓扑结构、保护功能和关键组件的设计选择。
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金属氧化物半导体场效应晶体管™ P6 600V CoolMOS™ P6功率晶体管IPx60R190P6
2015-07-10 - 数据手册 本资料介绍了Infineon Technologies的CoolMOS™P6系列高压功率MOSFET,该系列基于超级结(SJ)原理,结合了领先SJMOSFET供应商的经验和高级创新。这些器件提供快速开关SJMOSFET的所有好处,同时不牺牲易用性。极低的开关和导通损耗使开关应用更加高效、紧凑、轻便和冷却。
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材料含量数据表MA001033032
29. August 2013 - 测试报告 本资料为ICE1CS02元器件的材料成分数据表。表格详细列出了该元器件的构造元素、物质、CAS编号、重量、平均质量百分比、总和百分比、平均质量ppm和总和ppm等信息。资料还包含重要备注,指出Infineon Technologies AG提供的信息基于第三方提供的信息,并已采取合理措施提供代表性和准确的信息。
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600W半桥有限责任公司评估板EVAL-600W-12V-LLC-A模拟EVAL-600W-12V-LLC-D数字
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ICE3PCS01G PFC+TTF控制卡附录至ANEVAL\U 201410\U PL52\U 002
2015-09-17 - 应用笔记或设计指南 本资料为Infineon应用笔记“300 W通用型宽范围SMPS”的补充,介绍了使用ICE3PCS01G CCM PFC控制器IC和Texas Instruments LM5021-2 TTF控制器IC的替代控制卡。该控制卡适用于300 W开关电源设计,用于实现PFC和TTF功能。资料详细描述了电路设计、硬件修改以及保护措施,包括过压、欠压和过流保护。
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金属氧化物半导体场效应晶体管™ P6 600V CoolMOS™ P6功率晶体管IPZ60R041P6
2015-07-13 - 数据手册 本资料介绍了Infineon Technologies的CoolMOS™P6系列高压功率MOSFET,该系列基于超级结(SJ)原理设计,具有低开关和导通损耗,适用于PFC阶段、硬开关PWM阶段和 resonate switching阶段,如计算机、服务器、电信和UPS等应用。
INFINEON - 金属氧化物半导体场效应晶体管,MOSFET,POWER TRANSISTOR,METAL OXIDE SEMICONDUCTOR FIELD EFFECT TRANSISTOR,功率晶体管,IPZ60R041P6,COOLMOS™ P6,TELECOM,电信,伺服器,SERVER,不间断电源,计算,UPS,COMPUTING
材料含量数据表MA001064178
17. June 2016 - 测试报告 本资料为ICE3AR10080JZ元器件的材料内容数据表。表格详细列出了该元器件的构造元素、物质组、CAS编号、重量、平均质量百分比、总和百分比、平均质量ppm和总和ppm等信息。资料还提及Infineon Technologies AG提供全面材料声明,并符合欧盟RoHS指令2011/65/EU的要求。
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2017/11/02 - 技术文档 CoolMOS™ CE系列高压MOSFET产品,电压范围从500V至800V不等,RDS(on)范围从0.19Ω至3.4Ω。产品适用于多种电源拓扑和市场需求,包括适配器/充电器、PC电源、LCD电视、LED驱动等。
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金属氧化物半导体场效应晶体管™ P6 600V CoolMOS™ P6功率晶体管IPZ60R099P6
2015-07-13 - 数据手册 本资料介绍了Infineon Technologies的CoolMOS™P6系列高压功率MOSFET,该系列基于超级结(SJ)原理设计,结合了SJMOSFET供应商的经验和高级创新。这些器件提供了快速切换SJMOSFET的所有好处,同时不牺牲易用性。极低的开关和导通损耗使开关应用更加高效、紧凑、轻便和冷却。
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英飞凌EiceDRIVER™栅极驱动IC 选型指南
未提供 - 选型指南 本资料为英飞凌EiceDRIVER™栅极驱动IC选型指南,主要介绍了英飞凌栅极驱动IC的产品组合、技术特点、应用领域和选型建议。资料涵盖了非隔离型、结隔离、绝缘体上硅和电气隔离型栅极驱动IC技术,以及OptiMOS™、StrongIRFET™、CoolMOS™、CoolSiC™和CoolGaN™等功率器件的介绍。此外,还提供了栅极驱动IC的选型和兼容产品在线查询等信息。
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Infineon(英飞凌) solutions for switch mode power supplies Bringing energy efficiency to the next level
2016/12/03 - 应用及方案 Infineon提供针对开关电源的高效半导体解决方案,满足能源效率、功率密度和可靠性方面的最高要求。产品包括600 V CoolMOS™ C7 MOSFETs和2EDN EiceDRIVER™门驱动器,适用于高效和成本驱动应用。
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INFINEON - 100 V OPTIMOS™ BSC034N10NS5,EOSS,SIC,RDSON / SSO8,COOLMOS™ C7 / SIC G5,COOLMOS™ C7 35 MOHM,GAN,SJ,RDSON*A,4.5 KW/L (74W/IN³),COOLMOS™ CP,COOLMOS™ C7 65 MOHM,VDS,TCM PFC 3 KW,RON*QOSS,SMD,GAN 70 MOHM / IGBT F5 40A + 16A SIC SBD,COOLMOS™ CP 600V,MOHM,MOHM*NC *100,QG,SI,200 V OPTIMOS™ BSZ22DN20NS3,COOLMOS™,QOSS,RDSON*QOSS
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