NCP5901B MOSFET Driver, VR12 Compatible, Synchronous Buck

知识图谱
2022-06-23 ONSEMI 数据手册 英文


●NCP5901B是一种高性能的双MOSFET栅极驱动器,优化后可驱动两个高性能的栅极−侧边和低边−同步buck变换器中的侧功率mosfet。它可以驱动高达3nF负载,传播延迟为25ns,过渡时间为20ns。

●自适应抗干扰−交叉−导通节电操作电路为笔记本和台式机系统提供了一种低开关损耗、高效率的解决方案。双向EN-pin可以在门驱动器检测到在OVP、UVLO下发生故障时,向控制器提供故障信号。还有,一个−电压锁定功能保证电源电压低时输出低。

●特征
■上升和下降时间更快
■自适应抗干扰−十字架−传导电路
■集成自举二极管
■前OV函数
■零电流检测
■浮顶驱动器可容纳高达35伏的升压电压
■输出禁用控制关闭两个MOSFET
■低于−电压锁定
■轻载节电运行
■直接接口到NCP6151和其他兼容的PWM控制器
■热增强封装
■这些是Pb−Free设备

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NCP5901B VR12兼容型同步降压MOSFET驱动器

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计算解决方案

Mar-2019  - 应用及方案 本资料主要介绍了ON Semiconductor在计算解决方案领域的元器件产品,包括多相双边架构Vcore控制器、增强型单相RPM架构控制器、系统电源管理设备、热管理解决方案、集成MOSFET和驱动器、开关器件、时钟合成器、扇出缓冲器、图形计算时钟、零延迟缓冲器、EEPROMs、USB-C解决方案、USB 3.x和USB 2.0连接器等。产品广泛应用于服务器、桌面计算、笔记本电脑和上网本等计算设备。

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【选型】ONSEMI(安森美)双边沿/ RPM调制Vcore控制器选型指南

2017年2月  - 选型指南 本资料主要讲述以下产品:双边沿控制器,RPM调制Vcore控制器,集成MOSFET,驱动器,高性能双MOSFET,非对称双MOSFET,P沟道MOSFET,公共漏极双N沟道MOSFET,N沟道MOSFET,高级负载开关,连接器,时钟合成器 ,半导体等。

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产品概述NCV33152:高速双MOSFET驱动器

11/19/2017  - 商品及供应商介绍 NCV33152是一款高速双MOSFET驱动器,专为需要低电流数字信号驱动大电容负载的应用设计。该器件具有低输入电流,与CMOS/LSTTL逻辑兼容,具有输入迟滞功能,可实现快速输出切换,并配备两个高电流推挽输出,适用于驱动功率MOSFET。此外,还包括具有迟滞功能的欠压锁定功能,以防止在低供电电压下系统出现异常操作。典型应用包括开关电源、DC-DC转换器、电容器充电泵电压倍增器/逆变器以及电机控制器。该器件提供双列直插和表面贴装封装。

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品类:MOSFET Driver

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大电流低功耗变压器定制

可定制变压器支持60W-600W范围,额定电流最高10A,漏感稳定度最小3%;支持开关变压器、电流感测变压器、栅极驱动变压器、LLC谐振变压器、PoE变压器等产品定制。SPQ为5K。

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品类:集成电路

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