VIS30728 30V N-Channel SGT MOSFET

知识图谱
2023-05-15 VOLTAIC 数据手册 英文


●一般说明
■SGT MOSFET技术
■4.5V VGS时RDS低(ON)
■低栅极电荷
■高电流能力
■符合RoHS和无卤素标准
●产品摘要
■电压:30伏
■内径(VGS=10V时):90A
■RDS(ON)(VGS=10V时,典型值):2.6mΩ
■RDS(开启)(VGS=4.5V时,典型值):4.1mΩ
■100%UIS测试
■100%Rg测试

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产品型号
品类
lD (A)
VTH (V)
RDS(ON) @4.5VTyp(mΩ)
RDS(ON) @10VTyp(mΩ)
QG (nC)
BVDSS (V)
VIS30728
MOS管
90
1.8
3.6
2.3
34
30
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产品型号
品类
Polarity
VDS(V)
ID(A)
Typ RDS(ON)@VGS=10V(mΩ)
Max RDS(ON)@VGS=10V(mΩ)
Min VGS(TH) (V)
Max VGS(TH) (V)
Qg(nC)
Ciss(pF)
CR10N50FA9K
N-MOSFET
N
500
10
530
750
2
4
30
1600
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