MDD4N65F/MDD4N65P/MDD4N65D 650V N-Channel Enhancement Mode MOSFET（TO-220F-3L/TO-220-3L/TO-252）
●一般特性
■超低栅极电荷
■低反向传输电容
■快速开关能力
■经过测试的雪崩能量
■改进的DV/DT能力，高耐用性
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长晶科技MOSFET选型表
选型表 - 长晶科技 长晶科技提供MOSFET（金属 - 氧化物半导体场效应晶体管） 选型，含 414 款型号，涵盖 N 沟道（309 款）、P 沟道（106 款），采用 Trench 工艺，支持 ESD 防护。漏源击穿电压 - 100~650V，漏极电流 - 100.0~350.0A，4.5V 下导通电阻 0.82~5800.0mΩ，栅源电压 6.0~30.0V，阈值电压 - 4.0~4.0V，栅极电压0.65~750.0nC，适配不同功率场景。提供 PDFNWB、SOT、TO、SOP、DFN 等系列封装（如 PDFNWB5×6-8L、SOT-23），适用于电源管理、电机驱动、消费电子、工业控制等领域。
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产品型号
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品类
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Configuration
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TYPE
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Process
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V(BR)DSS(V)
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VGS（±V）
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ID(A)
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RDS(on) @4.5V TYP(mΩ)
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RDS(on) @4.5V MAX(mΩ)
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VGS(th) MAX(V)
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Qg nC
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PACKAGING TYPE
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ESD
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CJ4404SP_CSPB1111-4
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MOS
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Dual
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N
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Trench
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12
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12
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8
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22
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27
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1.3
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8.6
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CSPB1111-4
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ESD
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