N32G43X & N32L40X & N32L43X 系列硬件设计指南

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2023-08-25 国民技术 应用笔记或设计指南 中文
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■本文档详细介绍 N32G43X/N32L40X/N32L43X 系列 MCU 硬件设计检查列表,以便为用户提供硬件设计指导。
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【产品】国民技术 N32L43X系列 微控制器

产品特性:1.32-bit ARM Cortex-M4 + FPU,单周期乘除法硬件指令,支持DSP指令和MPU。 2.内置2KB指令缓存,支持闪存加速单元执行程序0等待。 3.运行频率最高108MHz,135DMIPS。 4.支持加密内存,最多128KByte嵌入式Flash存储器,支持加密存储、多用户分区管理和数据保护。 5.低功耗管理模式:STANDBY模式为1.5uA,所有备份寄存器保持,IO保持,可选RTC运行,8KByte SRAM2保持,快速唤醒;STOP2模式为3uA,RTC运行,8KByte SRAM2保持,CPU寄存器保持,IO保持,快速唤醒;RUN模式为90uA/MHz@108MHz;LPRUN模式:PLL关闭,MSI作为系统主时钟,MR关闭,LPR打开,USB/CAN/SAC电源关闭,其他外设可选项。 6.集成低功耗旋转计数器(LPRCNT),支持低功耗LC非磁性测量。 7.段LCD显示驱动器,支持多达176段(4x44)或320段(8x40)。 8.高性能模拟接口:1x 12bit 5Msps ADC,多个精度可配置,采样率在6位模式下可达9Msps,最多16个外部单端输入通道,支持差分模式;2x轨到轨运算放大器,内置最大32倍可编程增益放大器;2x高速模拟比较器,内置64级可调比较参考电压,COMP1支持工作在STOP2模式;1x 12bit DAC,采样率为1Msps。 9.内部2.048V独立参考电压源。 10.内置低压检测单元。 11.多种时钟源:HSE、LSE、HSI、MSI、LSI、PLL、MCO。 12.支持多种复位方式:上电/欠压/外部引脚复位、看门狗复位。 13.支持5x U(S)ART接口,包括3x USART接口和支持ISO7816、IrDA、LIN的UART接口;1x LPUART,支持唤醒MCU在STOP2模式;2x SPI接口,最高27Mbps,支持I2S;2x I2C接口,最高1MHz,主从模式可配置,从模式支持双地址响应;1x USB2.0 FS设备接口;1x CAN 2.0A/B总线接口。 14.内置DMA控制器,每个控制器支持8个通道,通道源地址和目的地址可以任意配置。 15.内置RTC实时时钟,支持闰年永历日、闹钟事件、定期唤醒、支持内部和外部的时钟校准。 16.定时计数器:2x 16位高级定时器计数器,支持输入捕获、互补输出、正交编码输入,最大控制精度9.25ns;每个计时器有4个独立的通道,其中3个通道支持6路互补PWM输出;5x 16位通用定时器计数器,每个计时器有4个独立的通道,支持输入捕获/输出比较/PWM输出;2x 16位基本定时器计数器;1x 16位低功耗定时器计数器,支持双脉冲计数功能,可以在STOP2模式下工作;1x 24位SysTick;1x 7位窗口看门狗(WWDG);1x 12位独立看门狗(IWDG)。 17.支持SWD/JTAG在线调试接口和UART/USB Bootloader。 18.内置密码算法硬件加速引擎,支持AES、DES、TDES、SHA1/224/256、SM1、SM3、SM4、SM7算法。 19.支持闪存存储加密、多用户分区管理单元(MMU)、真随机数发生器(TRNG)、CRC16/32操作、写保护(WRP)、多重读保护(RDP)级别(L0/L1/L2)。 20.工作条件:供电电压范围1.8V~3.6V,工作温度范围-40℃ ~ 105℃,ESD±4KV(HBM模型),±1KV(CDM模型)。 21.封装类型:LQFP32(7mm×7mm)、LQFP48(7mm×7mm)、LQFP64(10mm×10mm)、LQFP80(12mm×12mm)。;

系列型号: N32L436RBL7; N32L436R8L7; N32L436MBL7; N32L436CBL7; N32L436C8L7; N32L433KBL7; N32L433K8L7; N32L436CBQ7

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N32G43XGQ_STB 开发板硬件使用指南

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N32G43x&N32L40x&N32L43x系列硬件设计指南

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【产品】国民技术 N32L40X系列 微控制器

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N32L40XX8/XB产品简介

2022.9.5  - 数据手册

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N32L43X 芯片可靠性测试报告

2021-01-20  - 测试报告 本报告为国民技术股份有限公司于2021年1月发布的N32L43X芯片可靠性测试报告。报告内容包括实验目的、适用范围、实验项目、实验流程和实验结果。实验项目涵盖数据擦写、数据存储、高温运行寿命和拉线推球等,旨在验证芯片的存储器数据擦写和存储能力,检验高温运行寿命和封装关键wire bond质量。实验结果显示,所有测试项目均通过,表明N32L43X芯片具有良好的可靠性。

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