QFN3×3 Semiconductor Device SGS (SVHC) Test Report (CANEC23008179412)
■样品名称：QFN3×3半导体器件
■型号：QFN3×3
■客户参考信息：QFN4×4
■要求的测试：根据客户的要求，SVHC筛查根据：
●欧洲化学品管理局（ECHA）于2023年6月14日及之前发布的关于REACH第1907/2006号法规（EC）的《高度关注物质候选清单》（SVHC）中的235种物质
●2021年6月1日WTO通知中的一（1）种潜在高度关注物质（SVHC）。
●欧洲化学品管理局（ECHA）发布的关于REACH第1907/2006号法规（EC）的意向清单中的十一（11）种潜在高度关注物质（SVHC）
■测试方法：
●参照SGS内部法，采用ICP-OES、UV-VIS、GC-MS、HPLC-DAD/MS和比色法进行分析
■摘要
●根据规定的范围和评价筛选，SVHC在提交样品中的检测结果≤0.1%（w/w）：合格
| 世强先进（深圳）科技股份有限公司 | |
| 世强硬创平台www.sekorm.com | |
| 世强硬创平台电子商城www.sekorm.com/supply/ | |
| 世强硬创平台www.sekorm.com | |
| 世强硬创平台www.sekorm.com |
- |
- +1 赞 0
- 收藏
- 评论 0
本文内容由蓝箭电子品牌授权世强硬创平台转载，旨在分享知识与信息，如有内容侵权或者其他违规问题，请及时与我们联系，我们将在核实情况后尽快删除或提供适当的版权信息。对于通过本网站上传或发布的内容，世强硬创平台不承担任何版权责任。
相关推荐
TO-220半导体器件SGS测试报告（CANEC2122803316）
10 Dec 2021 - 测试报告 本报告为SGS-CSTC Standards Technical Services Co., Ltd.广州分公司出具，编号为CANEC2122803316，日期为2021年12月10日。报告内容涉及对客户提交的TO-220半导体器件（焊料连接）样品进行检测，包括卤素含量分析。检测结果显示，样品中氟、氯、溴、碘含量均符合标准要求。报告还包括检测流程图、样品照片等附件。
蓝箭电子 - 半导体器件,SEMICONDUCTOR DEVICE
TO-92半导体器件（SGS）测试报告（CANEC2224469112）
21 Nov 2022 - 测试报告 本报告为SGS-CSTC Standards Technical Services Co., Ltd.广州分公司出具，报告编号为CANEC2224469112，日期为2022年11月21日。报告内容涉及对客户提供的TO-92半导体器件样品进行的测试，包括卤素含量的检测。测试结果显示，样品中氟、氯、溴、碘含量均未超过规定限值。报告还包括了测试方法、数据、流程图和样品照片等信息。
蓝箭电子 - 半导体器件,SEMICONDUCTOR DEVICE
TO-3P半导体器件SGS测试报告（CANEC2122803318）
10 Dec 2021 - 测试报告 本报告为SGS对FOSHAN BLUE ROCKET ELECTRONICS CO.,LTD.提交的TO-3P半导体器件样品进行的RoHS指令（EU）2015/863测试报告。报告内容包括样品描述、测试项目、测试方法、测试结果和结论。测试结果显示，样品中的铅、镉、汞、六价铬、多溴联苯（PBBs）、多溴联苯醚（PBDEs）和邻苯二甲酸盐等有害物质含量均符合RoHS指令规定的限值。
蓝箭电子 - 半导体器件,SEMICONDUCTOR DEVICE
SOD-123半导体器件SGS测试报告（CANEC2122803310）
10 Dec 2021 - 测试报告 本报告为SOD-123半导体器件的测试报告，编号CANEC2122803310，测试日期为2021年12月10日。报告内容包括样品信息、测试项目、测试结果和测试方法。测试项目涉及卤素含量，包括氟、氯、溴和碘，测试结果显示氟和溴未检测到，氯含量为82mg/kg。报告还包括测试流程图和样品照片。
蓝箭电子 - 半导体器件,SEMICONDUCTOR DEVICE
TO-252半导体器件SVHC（SGS）测试报告（CANEC23009925702）
Sep 20, 2023 - 测试报告 本报告为SGS公司出具的一份关于半导体器件的SVHC（高度关注物质）测试报告。报告编号为CANEC23009925702，测试日期为2023年9月20日。报告显示，样品中检测到铅含量超过0.1%的SVHC限值，具体为0.829%。报告详细列出了所有测试的SVHC物质及其浓度，并提供了测试方法和结果。
蓝箭电子 - 半导体器件,SEMICONDUCTOR DEVICE
TO-126半导体器件SGS测试报告（CANEC2122803314）
10 Dec 2021 - 测试报告 本报告为SGS公司出具的一份关于TO-126半导体器件（焊料连接）的测试报告，编号为CANEC2122803314，测试日期为2021年12月10日。报告内容包括样品描述、测试结果和结论。测试项目包括镉、铅、汞、六价铬、多溴联苯（PBBs）、多溴联苯醚（PBDEs）和邻苯二甲酸盐等，所有测试结果均符合欧盟RoHS指令2015/863规定的限值。
蓝箭电子 - 半导体器件,SEMICONDUCTOR DEVICE
TO-277半导体器件REACH（SGS）测试报告（CANEC2122803320）
14 Dec 2021 - 测试报告 本报告为SGS出具的一份关于半导体器件（焊料连接）的测试报告，报告编号为CANEC2122803320，测试日期为2021年12月14日。报告内容涉及对样品中非常关注物质（SVHC）的筛查，结果显示样品中铅含量超过0.1%的限值。报告详细列出了测试方法、结果以及相关法规要求。
蓝箭电子 - 半导体器件,SEMICONDUCTOR DEVICE
SOT-89半导体器件SGS测试报告（CANEC2122803306）
10 Dec 2021 - 测试报告 本报告为SGS公司出具的一份关于SOT-89半导体器件的测试报告，编号为CANEC2122803306，测试日期为2021年12月10日。报告内容包括样品描述、测试项目、测试方法、测试结果和结论。测试结果显示，样品中的铅、镉、汞、六价铬、多溴联苯（PBBs）、多溴联苯醚（PBDEs）和邻苯二甲酸盐等有害物质含量均符合欧盟RoHS指令（2015/863）的规定限值。
蓝箭电子 - 半导体器件,SEMICONDUCTOR DEVICE
SOT-89半导体器件达到（SGS）测试报告（CANEC2122803302）
10 Dec 2021 - 测试报告 本报告为SGS出具的一份关于SOT-89半导体器件的SVHC（高度关注物质）测试报告。报告编号为CANEC2122803302，测试日期为2021年12月10日。测试结果显示，提交的样品中SVHC的含量均低于0.1%（重量比），符合相关法规要求，测试结果为合格。报告详细列出了测试方法、测试结果以及相关法规要求。
蓝箭电子 - 半导体器件,SEMICONDUCTOR DEVICE
TO-126F半导体器件（SGS）测试报告（CANEC2209598710）
25 May 2022 - 测试报告 本报告为SGS-CSTC Standards Technical Services Co., Ltd.广州分公司出具，报告编号为CANEC2209598710，日期为2022年5月25日。报告内容涉及对客户提供的TO-126F半导体器件样品进行的测试，包括卤素含量的分析。测试结果显示，样品中氟、氯、溴、碘的含量均未超过规定的检测限。报告还包括了测试流程图、样品照片以及相关测试方法的信息。
蓝箭电子 - 半导体器件,SEMICONDUCTOR DEVICE
TO-252半导体器件（SGS）测试报告（CANEC2224469116）
23 Nov 2022 - 测试报告 本报告为SGS-CSTC Standards Technical Services Co., Ltd.广州分公司出具，报告编号为CANEC2224469116，日期为2022年11月23日。报告内容涉及对客户提供的TO-252半导体器件样品进行卤素含量测试，包括氟、氯、溴、碘等元素。测试结果显示，样品中未检测到上述元素。报告还包括了测试方法、数据、流程图和样品照片等信息。
蓝箭电子 - 半导体器件,SEMICONDUCTOR DEVICE
TO-92半导体器件REACH（SGS）测试报告（CANEC2224452402）
23 Nov 2022 - 测试报告 本报告为SGS对佛山蓝箭电子有限公司提供的TO-92半导体器件（焊料连接）样品进行的SVHC（高度关注物质）筛查测试报告。测试结果显示，样品中存在超过0.1%（重量比）的SVHC，具体为铅及其化合物。报告详细列出了检测到的SVHC物质名称、CAS编号和浓度，并提供了相关法规要求和合规建议。
蓝箭电子 - 半导体器件,SEMICONDUCTOR DEVICE
蓝箭电子稳压IC选型表
选型表 - 蓝箭电子 提供蓝箭电子稳压IC选型：最大输入电压（V）：-35V~37V；输出电流（mA）：100~1500；静态电流（uA）：2~5000；封装包括：SOT23-3、SOT-89 、SOT-23、TO-92、、TO-220、TO-252、SOT-223等包括三端稳压78系列、LD1117系列、低压差75系列及电压基准431系列，输入电压范围大，输出电压规格齐全，稳压精度高，低压差系列产品功耗低至2μA
|
产品型号
|
品类
|
最大输入电压（V）
|
输出电压（V）
|
输出电流（mA）
|
静态电流（uA）
|
压差（mV）
|
电源抑制比（dB）
|
封装
|
|
BRCO7530MMC
|
LDO低压差线性稳压器
|
24
|
3
|
150
|
2
|
400（100mA）
|
70（1kHZ）
|
SOT23-3
|
AOSSEMI芯片选型表
选型表 - AOSSEMI AOSSEMI提供了DC-DC电源芯片、LCD驱动芯片、RS232芯片、RS-485/RS-422芯片、触发器、电池充电管理芯片、电荷泵、电压比较器、电压基准芯片、定时脉冲的双极性芯片、多路复用器、逻辑器件、监控和复位芯片、收发器、锁存器、温度传感器、线性锂电池充电芯片、线性稳压器、移位寄存器、运算放大器选型表
|
产品型号
|
品类
|
电源电压
|
工作温度
|
电路数
|
欧盟强制性环保法规
|
封装/外壳/尺寸
|
|
SN74LVC1G00DCKR
|
与非门
|
1.65V~5.5V
|
-40°C ~ +125°C
|
1路
|
ROHS
|
SC70-5
|
电隔离半导体器件 - 元件
2024/10/09 - 选型指南 本资料详细介绍了多种电隔离半导体器件，包括不同型号和封装的GH、GS、GW、GWB、GD类型器件。资料中列出了多种型号，如MG12250H-XV2MM、MG1250H-XN2MM等，并提供了型号的详细规格和封装信息。此外，资料还涵盖了功率开关半导体，包括不同电压隔离等级和封装类型的SCR、可控硅、整流器等器件，以及它们的型号和规格。
LITTELFUSE - 电隔离半导体器件,功率开关半导体器件,MD14220S-*M2MM#,Q OR HQ SERIES,MD1050A-*M2MM#,MD12200S-*M2MM#,MG1750S-BN4MM,MD2090A-*M2MM#,MG06200S-BN4MM,Q6025P5,MD14130S-*M2MM#,MD1290A-*M2MM#,MG12600WB-BN2MM,MG1275W-XN2MM,MG12150D-BN3MM,MG06200D-BR1MM,MD1850A-*M2MM#,MG06400D-BN1MM,MD12160S-*M2MM#,MD18180S-*M2MM#,MD18130A-*M2MM#,MG17150D-BN4MM,Q SERIES,S SERIES,MG1275S-BA1MM,MD08200S-*M2MM#,MG12225WB-BN2MM,MD08130A-*M2MM#,MG12300D-BN3MM,MD18200S-*M2MM#,MG17300D-BN4MM,MG12150W-XN2MM,MG12150S-BA1MM,MD20130S-*M2MM#,MG12150D-BA1MM,MD20160S-*M2MM#,MG06300D-BN1MM,MD12180S-*M2MM#,D SERIES,MG17225WB-BN4MM,MG1215H-XBN2MM,MG12100S-BA1MM,MG06150S-BN4MM,MD14180S-*M2MM#,L SERIES,MG17100D-BN4MM,Q8035P5,MD18110A-*M2MM#,MD10220S-*M2MM#,MG12300D-BN2MM,MD10160S-*M2MM#,MG12200D-BA1MM,MG1240H-XBN2MM,MD2020S-*M2MM#,MD16180S-*M2MM#,S OR HS SERIES,MD16130A-*M2MM#,MD1690A-*M2MM#,MG1275S-BN3MM,MG12600WB-BR2MM,MG06300D-BN4MM,MD10180S-*M2MM#,MG12200D-BN2MM,MD20180S-*M2MM#,MD0890A-*M2MM#,Q1359,MS0690J SERIES,MD10200S-*M2MM#,MG12250H-XV2MM,MG12150S-BN2MM,MG17450WB-BN4MM,MD20200S-*M2MM#,MD12220S-*M2MM#,Q6035P5,MD20130A-*M2MM#,MD16130S-*M2MM#,MD08130S-*M2MM#,MD1450A-*M2MM#,MD1090A-*M2MM#,MD10130A-*M2MM#,MG1250H-XN2MM,MD14110A-*M2MM#,LTL SERIES,MD14160S-*M2MM#,MG06100S-BR1MM,MG17100S-BN4MM,MG12100S-BN3MM,MG12300WB-BN2MM,MD10110A-*M2MM#,MG17200D-BN4MM,SRR SERIES,MG0675S-BN4MM,MD12130A-*M2MM#,MD20110A-*M2MM#,MG06600WB-BN4MM,MG1250W-XBN2MM,MD1890A-*M2MM#,MD16200S-*M2MM#,MG12200D-BN3MM,MG12100W-XV2MM,MD16160S-*M2MM#,MMD1490A-*M2MM#,Q8025P5,MD14130A-*M2MM#,MG06400D-BN4MM,MG17300WB-BN4MM,MD16220S-*M2MM#,MD12110A-*M2MM#,MD1650A-*M2MM#,MG1225H-XBN2MM,MG12400D-BN2MM,MG1775S-BN4MM,MD08160S-*M2MM#,MD08220S-*M2MM#,MD14200S-*M2MM#,MD18160S-*M2MM#,MG06100S-BN4MM,MG1275H-XN2MM,MG12150S-DEN2MM,MG12100S-BN2MM,电气设备,电力系统,电子产品
电子商城
服务市场
可来图定制热管最薄打扁厚度0.35±0.05mm；笔电D8热管打扁厚度1.0mm，可解40W热量；高功率D10热管可解60W热量。
最小起订量：10000 提交需求>
可定制单位/双位/三位/四位LED数码管的尺寸/位数/发光颜色等性能参数，每段亮度0.8~30mcd，主波长470~640nm，电压2~10.2V。
最小起订量：1000 提交需求>
现货市场
授权代理品牌：集成电路
授权代理品牌：分立元件
授权代理品牌：接插件及结构件
授权代理品牌：部件、组件及配件
授权代理品牌：电源及模块
授权代理品牌：电子材料
授权代理品牌：仪器仪表及测试配组件
授权代理品牌：电工工具及材料
授权代理品牌：机械电子元件
授权代理品牌：加工与定制
我要提问
登录 | 立即注册
提交评论