UN0308N6R0-S08 N-Channel Enhancement Mode MOSFET

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发布时间： 2023-11-09 品牌：优恩半导体资料类型：数据手册语言：英文

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●产品概述
■VDS 30V
■ID（Ta=25℃）20A
■RDS（on）（@VGS=10V ID=10A）≤9mΩ
■RDS（on）（@VGS=4.5V ID=10A）≤10.5mΩ
●特性
■专有沟槽栅器件设计和工艺
■100%雪崩测试
■可靠耐用
■符合RoHS规范

授权代理商	世强先进（深圳）科技股份有限公司
技术资料,数据手册,3D模型库,原理图,PCB封装文件,选型指南来源平台	世强硬创平台www.sekorm.com
现货商城,价格查询,交期查询,订货,现货采购,在线购买,样品申请渠道	世强硬创平台电子商城www.sekorm.com/supply/
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UN200N23T N沟道增强型MOSFET

March 1,2022 - 数据手册本资料介绍了UN200N23T型N通道增强模式MOSFET的特性、规格和应用。该器件采用先进的沟槽工艺技术，具有低阈值电压、快速开关速度等特点，适用于便携式设备的负载切换和小信号开关。

优恩半导体 - N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET,N通道增强模式MOSFET,UN200N23T,PORTABLE DEVICES,便携式设备,LOAD SWITCH,VOLTAGE CONTROLLED SMALL SIGNAL SWITCH,电压控制小信号开关,负载开关

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UN300N23T N沟道增强型MOSFET

March 1,2022 - 数据手册该资料介绍了UN300N23T型N通道增强模式MOSFET的特性、规格和应用。它采用先进的沟槽工艺技术，具有低阈值电压、快速开关速度等特点，适用于便携式设备的负载开关和小信号开关。

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UN600N23T N沟道增强型MOSFET

March 1,2022 - 数据手册该资料介绍了UN600N23T型号的N沟道增强型MOSFET。这是一种采用先进 trench 工艺技术的低阈值电压器件，具有快速开关速度和环保无卤素、无铅特性。主要应用于便携式设备的负载切换和小信号电压控制。

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UN600N52TE N沟道增强型MOSFET

March 1,2022 - 数据手册本资料介绍了UN600N52TE型号的N通道增强型MOSFET。该器件具有低栅极阈值电压、低输入电容、快速开关速度等特点，适用于便携式设备的负载切换和小信号开关。

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UN302N23T N沟道增强型MOSFET

March 1,2022 - 数据手册本资料介绍了UN302N23T型N通道增强模式MOSFET的特性、规格和应用。该器件采用先进的沟槽工艺技术，具有低阈值电压、快速开关速度等特点，适用于便携式设备的负载开关和小信号开关。

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UN304N23T N沟道增强型MOSFET

March 1,2022 - 数据手册该资料介绍了UN304N23T型号的N沟道增强型MOSFET。它采用先进的 trench工艺技术，具有低阈值电压、快速开关速度等特点。适用于便携式设备的负载切换和小信号开关应用。

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UN0410N3R2-T52 N沟道增强型MOSFET

March 1,2022 - 数据手册本资料介绍了UN0410N3R2-T52型号的N-Channel Enhancement Mode MOSFET产品，包括其产品概述、特性、应用领域、电气特性曲线、测试电路和封装尺寸等信息。

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UNNM2312 20V N沟道增强型MOSFET

December 18 , 20 2 - 数据手册本资料介绍了UN半导体公司生产的20V N-Channel增强型MOSFET。该器件采用先进的沟槽工艺技术，具有超低导通电阻和高密度单元格设计。主要参数包括漏源击穿电压、导通电阻、栅极阈值电压等，适用于多种电子设备。

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UN2N7002K N沟道增强型MOSFET

March 1,2022 - 数据手册该资料介绍了UN2N7002K型N通道增强模式MOSFET的特性、规格和应用。它采用沟槽技术制造，具有低RDS(ON)、低栅极电荷和ESD保护等特点。适用于负载开关和DC/DC转换器等应用。

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UNNM2300 20V N沟道增强型MOSFET

December 18, 2021 - 数据手册本资料介绍了UN半导体公司的20V N-Channel增强型MOSFET。该器件采用先进的沟槽工艺技术，具有高密度单元设计以实现超低导通电阻。它适用于锂离子电池组应用，具备高功率和电流处理能力。

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UN657N1K2-T20F N沟道增强型MOSFET

March 5 ,2024 - 数据手册本资料介绍了UN657N1K2-T20F型号的N-Channel Enhancement Mode MOSFET，包括其产品概述、特性、应用领域、电气特性曲线、封装尺寸等详细信息。

优恩半导体 - N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET,N通道增强模式MOSFET,UN657N1K2-T20F,LED驱动,LED DRIVER,开关模式电源,功率因素矫正,POWER FACTOR CORRECTION,SWITCHING MODE POWER SUPPLIES

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UN1021N2R0-T63 N沟道增强型MOSFET

March 1,2022 - 数据手册本资料介绍了UN1021N2R0-T63型N通道增强模式MOSFET的产品概要、特性、电气特性和封装尺寸。该器件采用先进的SGT技术，具有极低的导通电阻和优异的门电荷与导通电阻乘积（FOM），适用于电机控制、电池管理和DC/DC转换器等领域。

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XNRUSEMI（新锐半导体）SGT MOSFET选型表

选型表 - XNRUSEMI 新锐半导体提供SGT MOSFET选型。产品涵盖N沟道与P沟道，包含高压及中低压系列。VDS范围涵盖-100V至200V，支持PDFN33、PDFN56、SOP8、SOT23、TO252、TO220、TOLL等多种封装。具备低导通电阻特性，适用于电机驱动、电源管理及开关电路等应用场景。

产品型号	品类	Package Type	Configuration	MOSFET Type	VDS(V)	VGS(V)	Vth typ.(V)	RDS(ON) (mΩ) typ. at VGS=10V	RDS(ON) (mΩ) typ. at VGS=4.5V	ID(A)
XRS60N03D	SGT MOSFET	PDFN3*3	Single	N	30	±20	1.8	5	6.9	62

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XNRUSEMI（新锐半导体）N+P MOSFET选型表

选型表 - XNRUSEMI 新锐半导体提供N+P MOSFET选型。产品涵盖20V、30V、40V、60V、100V、150V电压等级，导通电阻5.5mΩ-650mΩ，电流3A-50A。封装包含SOT23-6L、SOP8、TO252-4L、PDFN22、PDFN33、PDFN5*6。具备互补配置、低导通电阻特性，适用于电机驱动、电源管理及开关电路等应用场景。

产品型号	品类	Package Type	Configuration	MOSFET Type	VDS(V)	VGS(V)	Vth typ.(V)	RDS(ON) (mΩ) typ. at VGS=10V	RDS(ON) (mΩ) typ. at VGS=4.5V	ID(A)
XR60G20F	N+P MOSFET	PDFN5*6	Complementary	N+P	60/-60	±20/±20	2.5/-2.5	25/42	31/55	20/-20

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XNRUSEMI（新锐半导体）MOSFET选型表

选型表 - XNRUSEMI 新锐半导体提供MOSFET选型。产品涵盖N沟道及P沟道，包含ESD保护及双管配置。电压范围-200V至200V，支持SOT23、SOT89、SOP8、TSSOP8、PDFN33、PDFN56、TO252、TO220、TO263、TO247等多种封装。适用于电机驱动、电源管理及开关电路等应用场景。

产品型号	品类	Package Type	Configuration	MOSFET Type	VDS(V)	VGS(V)	Vth typ.(V)	RDS(ON) (mΩ) typ. at VGS=4.5V	RDS(ON) (mΩ) typ. at VGS=2.5V	ID(A)
XR2010S	MOSFET	SOP8	Single	N	20	±12	0.7	12	17	8