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AGA40N120T 1200V N沟道沟槽场截止IGBT
Mar 2024 - 数据手册 本资料介绍了AGA40N120T型1200V N-Channel trench field stop IGBT的特性。该器件具有非常低的饱和电压、极低的开关损耗、优异的稳定性和均匀性，适用于汽车PTC加热器等领域。
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HIA20N140IH-DA 1400V N沟道沟槽场截止IGBT
Aug. 2023 - 数据手册 本资料介绍了HIA20N140IH-DA型1400V N-Channel Trench Field Stop IGBT的关键参数、电气特性、开关特性以及热阻特性。该器件具有非常低的饱和电压、极低的切换损耗、优异的稳定性和均匀性，适用于感应烹饪和微波炉等领域。
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HGW75N65IH 650V N沟道沟槽场截止IGBT
Aug 2024 - 数据手册 本资料介绍了HGW75N65IH型650V N-Channel Trench Field Stop IGBT的关键参数、电气特性、热阻特性和应用领域。该器件具有低饱和电压、极低的开关损耗、优异的稳定性和均匀性，适用于感应烹饪、太阳能转换器、功率因数校正和高频变换器等领域。
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HGW50N65IH 650V N沟道沟槽场截止IGBT
Mar 2024 - 数据手册 本资料介绍了HGW50N65IH型650V N-Channel Trench Field Stop IGBT的关键参数、电气特性、热阻特性和封装尺寸。该器件具有低饱和电压、极低的开关损耗、优异的稳定性和均匀性，适用于不间断电源（UPS）、太阳能/焊接转换器和高频转换器等领域。
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HIA40N140IH-DA 1400V N沟道沟槽场截止IGBT
Aug. 2024 - 数据手册 本资料详细介绍了HIA40N140IH-DA型1400V N-Channel Trench Field Stop IGBT的特性，包括其关键参数、电气特性、热阻特性、应用领域等。该产品具有低饱和电压、极低开关损耗、高稳定性和均匀性等特点，适用于感应烹饪和微波炉等领域。
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HIA30N140IH-DA 1400V N沟道沟槽场截止IGBT
September 2022 - 数据手册 本资料介绍了HIA30N140IH-DA型1400V N-Channel Trench Field Stop IGBT的关键参数、电气特性、热阻特性以及应用领域。该器件具有非常低的饱和电压、极低的开关损耗、优异的稳定性和均匀性，适用于感应烹饪和微波炉等领域。
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HIA75N65IH-SA 650V N沟道沟槽场截止IGBT
23.10.12 - 数据手册 本资料介绍了HIA75N65IH-SAA型650V N-Channel Trench Field Stop IGBT的关键参数、电气特性、开关特性、热阻特性和封装尺寸。该器件具有非常低的饱和电压、极低的开关损耗、优异的稳定性和均匀性、软快速反向恢复二极管以及最大结温175℃。适用于感应烹饪、太阳能转换器、功率因数校正和高频变换器等领域。
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HIA30N140IH-DB 1400V N沟道沟槽场截止IGBT
Mar 2024 - 数据手册 本资料介绍了HIA30N140IH-DB型1400V N-Channel Trench Field Stop IGBT的关键参数、电气特性、热阻特性以及应用领域。该器件具有低饱和电压、极低的开关损耗、良好的稳定性和均匀性等特点，适用于感应烹饪和微波炉等领域。
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HGW75N65T 650V N沟道沟槽场截止IGBT
Aug 2024 - 数据手册 本资料介绍了HGW75N65T型650V N-Channel Trench Field Stop IGBT的关键参数、电气特性、热阻特性和应用领域。该器件具有低饱和电压、极低的开关损耗、优异的稳定性和均匀性，适用于不间断电源（UPS）、太阳能/焊接转换器和电机驱动器等领域。
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HIH30N140IH-DB 1400V N沟道沟槽场截止IGBT
Feb 2023 - 数据手册 本资料介绍了HIH30N140IH-DB型1400V N-Channel Trench Field Stop IGBT的关键参数、电气特性、热阻特性和应用领域。该器件具有低饱和电压、极低的开关损耗、优异的稳定性和均匀性等特点，适用于感应烹饪和微波炉等领域。
SEMIHOW - N沟道沟槽场截止IGBT,N-CHANNEL TRENCH FIELD STOP IGBT,HIH30N140IH-DB,微波炉,MICROWAVE OVENS,电磁炉,INDUCTION COOKING
HIA75N65H-SA 650V N沟道沟槽场截止IGBT
Dec 2024 - 数据手册 本资料详细介绍了HIA75N65H-SA型650V N-Channel Trench Field Stop IGBT的特性、参数和应用领域。该产品具有非常低的VCE(sat)、极低的开关损耗、优异的稳定性和均匀性，适用于太阳能转换器、不间断电源（UPS）、功率因数校正（PFC）、焊接转换器和高频转换器等领域。
SEMIHOW - IGBT,HIA75N65H-SA,高频转换器,太阳能转换器,焊接转换器,功率因数校正（PFC）,不间断电源（UPS）
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HIA50N65IH-SA 650V N沟道沟槽场截止IGBT
Mar 2023 - 数据手册 本资料介绍了HIA50N65IH-SA型号的650V N-Channel Trench Field Stop IGBT的特性。该器件具有非常低的饱和电压、极低的开关损耗、优异的稳定性和均匀性、软快速反向恢复二极管等特点，适用于感应烹饪、微波炉、功率因数校正和高频转换器等领域。
SEMIHOW - N沟道沟槽场截止IGBT,N-CHANNEL TRENCH FIELD STOP IGBT,HIA50N65IH-SA,微波炉,MICROWAVE OVENS,HIGH FREQUENCY CONVERTERS,电磁炉,INDUCTION COOKING,高频变换器
HYPERSEMI IGBT Module选型表
选型表 - HYPERSEMI HYPERSEMI提供IGBT模块选型，涵盖半桥、PIM、SixPack、INPC等多种拓扑结构。封装包括34MM、62MM、EconoDUAL3、EconoPIM2/3、Easy2B、HP1-DC6i、HPD等工业标准封装。集电极-发射极电压650V-1700V，集电极电流50A-950A，饱和压降1.4V-2.5V。适用于电机驱动、电源转换、逆变器等需要高效开关与高可靠性的应用场景。
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产品型号
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品类
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Topology
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Package
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VCES
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IC
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VCE(sat)
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VF
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HGF75MA65X100
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IGBT Module
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Half-Bridge
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34MM
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650V
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75A
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2V
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1.2V
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HYPERSEMI Trench Field-stop IGBT Discrete选型表
选型表 - HYPERSEMI HYPERSEMI提供沟槽场截止型IGBT分立器件选型。产品涵盖650V、1200V、1350V耐压等级，额定电流6A-180A。封装包括TO-220、TO-220F、TO-247-3L、TO-247PLUS-3L/4L、TO-252、TO-263、TO-3PN。饱和压降1.5V-2.3V，正向导通压降1.4V-2.87V。适用于电机驱动、电源转换、逆变器等需要高效开关与高可靠性的应用场景。
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产品型号
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品类
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Package
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VCES
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IC
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VCE
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VF
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HG15T65TX100
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Trench Field-stop IGBT Discrete
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TO-220
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650V
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15A
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1.5V
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1.65V
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电子商城
服务市场
定制液冷板尺寸5mm*5mm~3m*1.8m，厚度2mm-100mm，单相液冷板散热能力最高300W/cm²。
最小起订量：1片 提交需求>
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授权代理品牌：集成电路
授权代理品牌：分立元件
授权代理品牌：接插件及结构件
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授权代理品牌：电子材料
授权代理品牌：仪器仪表及测试配组件
授权代理品牌：电工工具及材料
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