GSJA6547 650V N-Channel MOSFET

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发布时间： 2023-11-23 品牌：固锝资料类型：数据手册语言：英文

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●功能和优点
■先进的MOSFET工艺技术
■适用于高效开关电源
■低导通电阻和低栅极电荷
■快速切换和反向车身恢复
●描述
■GSJA6547采用最新技术实现高电池密度和低导通电阻。这些特性使该设备非常高效和可靠，可用于高效开关电源和各种其他应用

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SSFD6974 N沟道MOSFET

Sept.2020 - 数据手册该资料介绍了SSFD6974这款65V N-Channel MOSFET的特性。它采用先进的MOSFET工艺技术，适用于高效率开关模式电源和其他多种应用。具有低导通电阻、快速切换和反向体恢复等特点。

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SSF7NS65UD N沟道MOSFET

Jan.2020 - 数据手册该资料详细介绍了SSF7NS65UD型650V N-Channel MOSFET的特性。它采用最新工艺技术，具备高电容器密度、低导通电阻和高重复雪崩击穿能力。适用于功率开关应用和其他多种应用。

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SSFD6982 N沟道MOSFET

Jun.2019 - 数据手册该资料介绍了SSFD6982型65V N-Channel MOSFET的特性。该器件采用先进的MOSFET工艺技术，适用于高效率开关电源和其他多种应用。它具有低导通电阻、快速切换和反向体恢复等特点。

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SSFN6988 N沟道MOSFET

Sept.2020 - 数据手册该资料介绍了SSFN6988型65V N-Channel MOSFET的特性。它采用了先进的MOSFET工艺技术，适用于高效率开关电源和其他多种应用。产品具有低导通电阻、快速切换和反向体恢复等特点。

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SSFD0904 N沟道MOSFET

Jun.2019 - 数据手册该资料介绍了SSFD0904型100V N-Channel MOSFET的特性。它采用先进的MOSFET工艺技术，适用于高效开关电源和其他多种应用。具有低导通电阻、快速切换和反向体恢复等特点。

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SSFD20N24 N沟道MOSFET

Apr.2019 - 数据手册本资料介绍了SSFD20N24这款200V N-Channel MOSFET的特性。该器件采用先进的MOSFET工艺技术，具有低导通电阻和高电流承载能力，适用于高效率开关电源和其他多种应用。

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SSFD6976 N沟道MOSFET

Jun.2019 - 数据手册本资料介绍了SSFD6976这款65V N-Channel MOSFET的特性。该器件采用先进的MOSFET工艺技术，适用于高效率开关电源和其他多种应用。它具有低导通电阻、快速切换和反向体恢复等特点。

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SSFP8974 N沟道MOSFET

Sept.2021 - 数据手册该资料介绍了SSFP8974这款80V N-Channel MOSFET的特性。它采用了先进的MOSFET工艺技术，适用于高效率开关电源和其他多种应用。产品具有低导通电阻、快速切换和反向体恢复等特点。

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SSFN3910 N沟道MOSFET

Sept.2020 - 数据手册该资料介绍了SSFN3910这款30V N-Channel MOSFET的特性。它采用先进的MOSFET工艺技术，适用于高效开关电源和高效率转换器设计。产品具有低导通电阻、快速切换和反向体恢复等特点。

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SSFD20N08 N沟道MOSFET

Jun. 2020 - 数据手册该资料详细介绍了SSFD20N08这款200V N-Channel MOSFET的特性。它采用了先进的MOSFET工艺技术，具有低导通电阻和高效率的特点，适用于高效率开关电源和其他多种应用。

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SSFD3912 N沟道MOSFET

Aug.2020 - 数据手册本资料介绍了SSFD3912这款30V N-Channel MOSFET的特性。该器件采用先进的MOSFET工艺技术，适用于高效率开关模式电源和高电流应用。它具有低导通电阻、快速切换和反向体恢复等特点。

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SSFN6904 N沟道MOSFET

Jun.2019 - 数据手册该资料详细介绍了SSFN6904这款60V N-Channel MOSFET的特性。它采用了先进的MOSFET工艺技术，适用于高效率开关电源和其他多种应用。产品具有低导通电阻、快速切换和反向体恢复等特点。

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选型表 - 鑫飞宏鑫飞宏提供MOSFET功率器件选型，涵盖N沟道、P沟道、N+P双沟道及半桥驱动等细分品类，电压覆盖±12V至500V，电流范围0.7A-330A，Rds(on)低至0.8mΩ。产品支持2.5V/4.5V/10V多栅极驱动电压，部分型号集成ESD保护。封装形式多样，包括SOT-23/523、DFN2x2/3x3、PDFN3.3x3.3/5x6、TO-252/263、TOLL及WLCSP等，适用于消费电子、电机驱动、电源管理及工业控制领域。

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鲁光电子(LGE)MOSFET选型表

选型表 - 鲁光电子鲁光提供多种MOSFET选型，覆盖N沟道/P沟道、高压600V-1700V、大电流0.1A-152A全谱；封装含TO-220/247/263、SOT-23/323/523、DFN、PDFN5×6-8L等，Rdson低至0.0024Ω，Qg<5nC超低栅荷，Coss<50pF高速，TJ 150-175℃，适配电源、电机、光伏、车载等需求。

产品型号	品类	封装/外壳/尺寸	PD(W)	ID	VDSS(V)	Polarity	Qg(nC)@10V(typ)	VGSS(V)	RDS(on)mΩ@10V
LGE1N60P	MOSFET	TO-220AB	40	1.2A	600	N	5	±30	9300

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Chinductor(磁达）电感选型表

选型表 - Chinductor Chinductor(磁达）提供冷压Molding、热压、T-Core、不固化及车规级电感选型，覆盖0.1µH-680µH，Rdc 0.25mΩ-804mΩ，Idc 0.7A-50A，Isat 1A-80A，±20%精度，有工业/商业/车规应用等级可选，125-165℃耐温，全系列ROHS合规，封装0420-322512，适用于电源管理、DC-DC转换、汽车电子等多场景。

产品型号	品类	L(µH)(0A)	Rdc(mΩ)Typical	Rdc(mΩ)Max.	Idc(A)Typical	Idc(A)Max.	Isat(A)Typical	Isat(A)Max.	感值精度	应用等级	欧盟强制性环保法规
SMBA0420-R36MRZNS	冷压Molding电感	0.36	8	9.2	12.8	11.5	11	9.5	±20%	工业/商业级	ROHS