BUK7575-100A N-channel TrenchMOS standard level FET
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●采用TrenchMOS技术的塑料封装中的标准级N沟道增强型场效应晶体管（FET）。本产品的设计和鉴定符合适用于汽车关键应用的AEC标准。
●特点和优点：
■低导通电阻导致的低传导损耗
■符合Q101
■适用于标准级栅极驱动源
■由于175°C的额定温度，适合热要求较高的环境
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HIKSEMI存储芯片选型表
选型表 - HIKSEMI HIKSEMI存储芯片选型：表格涵盖eMMC、UFS、LPDDR4/4X、SSD等存储芯片，容量2GB至2TB，eMMC读取速度最高330MB/s，UFS读取速度最高1100MB/s，LPDDR5速率最高5500Mbps，封装包括BGA200、BGA315等。产品适用于移动设备、嵌入式系统、工业宽温、车规及大容量固态存储场景。
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产品型号
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品类
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电压
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时钟频率
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速率
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可选容量
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封装/尺寸
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HSEMSDW5S2B64G
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eMMC
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VCC (NAND): 2.7–3.6V
VCCQ (Controller): 1.7–1.95V/ 2.7–3.6V
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0~200MHz
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Read:320MB/S
Write:250MB/S
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64GB
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11.5mm*13mm*1.0mm BGA153
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华润微电子N+P MOS选型表
选型表 - 华润微电子 华润微电子提供N+P沟道MOSFET选型表。涵盖CRM及CRMD系列器件，耐压±30V至±100V，电流±4A至±28A。提供VGS=10V及5V条件下的导通电阻、阈值电压、栅极电荷与输入电容等核心参数。适用于需精确控制导通损耗与开关速度的电路设计场景。
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产品型号
|
品类
|
Polarity
|
VDS(V)
|
ID(A)
|
Typ RDS(ON)@VGS=10V(mΩ)
|
Max RDS(ON)@VGS=10V(mΩ)
|
Typ RDS(ON)@VGS=4.5V(mΩ)
|
Max RDS(ON)@VGS=4.5V(mΩ)
|
Min VGS(TH) (V)
|
Max VGS(TH) (V)
|
Qg(nC)
|
Ciss(pF)
|
|
CRMM4606
|
N+P沟道MOSFET
|
N+P
|
±30
|
±7
|
25/26
|
30/31.2
|
35/37
|
42/44.4
|
1/-1
|
3/-2
|
10.1
|
382
|
华润微电子N+N MOS选型表
选型表 - 华润微电子 华润微电子提供N+N沟道MOSFET器件选型，涵盖CRMM9926、CRMV0318D、CRME0402D、CRMD0041S等型号。核心参数：VDS 20V–100V，ID 4A–48A，RDS(ON)@VGS=10V典型值7.2mΩ–86.4mΩ，VGS(TH)最小0.4V–1.5V、最大1V–3V，Qg 7.2nC–62.5nC，Ciss 318pF–2350pF。产品覆盖低压小功率至高压大电流场景，高耐压型号RDS(ON)和Qg偏高，大电流型号如CRMD0041S（48A）RDS(ON)仅12mΩ typ但Ciss达1726pF。适用于电源管理、电机驱动、DC-DC转换等，用户可按耐压、电流、效率、开关速度筛选最优型号。
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产品型号
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品类
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Polarity
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VDS(V)
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ID(A)
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Typ RDS(ON)@VGS=4.5V(mΩ)
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Max RDS(ON)@VGS=4.5V(mΩ)
|
Min VGS(TH) (V)
|
Max VGS(TH) (V)
|
Qg(nC)
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Ciss(pF)
|
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CRMM9926
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N+N沟道MOSFET
|
N+N
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20
|
7
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25
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30
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0.4
|
1
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7.2
|
361
|
电子商城
现货市场
授权代理品牌：集成电路
授权代理品牌：分立元件
授权代理品牌：接插件及结构件
授权代理品牌：部件、组件及配件
授权代理品牌：电源及模块
授权代理品牌：电子材料
授权代理品牌：仪器仪表及测试配组件
授权代理品牌：电工工具及材料
授权代理品牌：机械电子元件
授权代理品牌：加工与定制
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