YJD206525NCFGHQ Silicon Carbide Power MOSFET （N-Channel Enhancement）
■特点：
●高速切换
●基本上没有开关损耗
●降低散热器要求
●175°C时的最高工作温度
●高阻塞电压
●具有低恢复电流的快速本征二极管
●高频操作
●无卤素，符合RoHS
●AEC-Q101合格
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|
产品型号
|
品类
|
Package
|
Type
|
PCM(mW)
|
IC(A)
|
BVCBO(V)
|
BVCEO(V)
|
BVEBO(V)
|
HFE_Min
|
HFE_Max
|
Vce(V)
|
Ic(A)
|
VCE(sat)(V)
|
IC(A)
|
IB(A)
|
Ft(MHz)
|
应用等级
|
|
BCP53-16Q
|
功率三极管
|
SOT-223
|
PNP
|
1.5
|
-0.001
|
-100
|
-80
|
-5
|
100
|
250
|
-2
|
-0.15
|
-0.5
|
-0.5
|
-0.05
|
100
|
车规
|
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产品型号
|
品类
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Package
|
Blocking Voltag(V)
|
Current Rating(A)
|
Generation
|
Total Power Dissipation PTOT(W)
|
Thermal resistance RthJ-C(°C/W)
|
|
YJD106502DQG3
|
SiC肖特基二极管
|
TO-252
|
650
|
2
|
Gen3
|
42
|
3.62
|
电子商城
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