YJJ2612AJ N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
●产品摘要
■VDS 200V
■ID 1A
■RDS（ON）（VGS=10V时）＜590mΩ
■RDS（ON）（VGS=4.5V时）＜600mΩ
●概述
■低RDS（ON）的高密度电池设计
■高速切换
■高功率和电流处理能力
■湿度敏感度等级1
■环氧树脂符合UL 94 V-0易燃性等级
■无卤素
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欧创芯（OCX）中低压MOS选型表
选型表 - 欧创芯 欧创芯提供中低压MOSFET选型。耐压60~100V，连续漏极电流2~50A，采用Trench沟槽工艺，阈值电压1.5~1.8V，栅源耐压±20V，提供SOT-23、SOT-23-3L、TO-252-3L封装。导通电阻低至12mΩ@VGS=10V，输入电容321~2030pF。适用于电源管理、电机驱动及LED驱动等功率开关场景。
|
产品型号
|
品类
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封装
|
工艺
|
沟道
|
Vos_Max(V)
|
DMax(A)
|
Ves(t)Typ(V)
|
Ves_Max(V)
|
C iss_Typ(pF)
|
Rps(ON)_Typ @VGS=10V(mΩ)
|
Ros(OMLTyp@VGS=4.5V(mΩ)
|
|
OCT2N10TS
|
中低压MOS
|
SOT-23
|
Trench
|
N
|
100
|
2.0
|
1.5
|
±20
|
321
|
220
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250
|
华润微电子N+P MOS选型表
选型表 - 华润微电子 华润微电子提供N+P沟道MOSFET选型表。涵盖CRM及CRMD系列器件，耐压±30V至±100V，电流±4A至±28A。提供VGS=10V及5V条件下的导通电阻、阈值电压、栅极电荷与输入电容等核心参数。适用于需精确控制导通损耗与开关速度的电路设计场景。
|
产品型号
|
品类
|
Polarity
|
VDS(V)
|
ID(A)
|
Typ RDS(ON)@VGS=10V(mΩ)
|
Max RDS(ON)@VGS=10V(mΩ)
|
Typ RDS(ON)@VGS=4.5V(mΩ)
|
Max RDS(ON)@VGS=4.5V(mΩ)
|
Min VGS(TH) (V)
|
Max VGS(TH) (V)
|
Qg(nC)
|
Ciss(pF)
|
|
CRMM4606
|
N+P沟道MOSFET
|
N+P
|
±30
|
±7
|
25/26
|
30/31.2
|
35/37
|
42/44.4
|
1/-1
|
3/-2
|
10.1
|
382
|
华润微电子N+N MOS选型表
选型表 - 华润微电子 华润微电子提供N+N沟道MOSFET器件选型，涵盖CRMM9926、CRMV0318D、CRME0402D、CRMD0041S等型号。核心参数：VDS 20V–100V，ID 4A–48A，RDS(ON)@VGS=10V典型值7.2mΩ–86.4mΩ，VGS(TH)最小0.4V–1.5V、最大1V–3V，Qg 7.2nC–62.5nC，Ciss 318pF–2350pF。产品覆盖低压小功率至高压大电流场景，高耐压型号RDS(ON)和Qg偏高，大电流型号如CRMD0041S（48A）RDS(ON)仅12mΩ typ但Ciss达1726pF。适用于电源管理、电机驱动、DC-DC转换等，用户可按耐压、电流、效率、开关速度筛选最优型号。
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产品型号
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品类
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Polarity
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VDS(V)
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ID(A)
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Typ RDS(ON)@VGS=4.5V(mΩ)
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Max RDS(ON)@VGS=4.5V(mΩ)
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Min VGS(TH) (V)
|
Max VGS(TH) (V)
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Qg(nC)
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Ciss(pF)
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|
CRMM9926
|
N+N沟道MOSFET
|
N+N
|
20
|
7
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25
|
30
|
0.4
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1
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7.2
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361
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电子商城
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