eGaN® FETs and ICs for Networking Point of Load Converters APPLICATION BRIEF
●对负载转换器的小型、高效、高速响应点的需求不断增加，这推动了对更快、更高效的功率开关的需求。
●氮化镓FET在小型转换器中提供高效率
●低QOSS和低QG以及低电感是氮化硅场效应管在POL转换器中具有优势的关键。
●氮化镓FET实现：
■高频高效大电流
■单级转换
■轻载节能
■快速瞬态响应
●在POL转换器设计中氮化铝FET的优点：
■更高的电流能力–提高输出能力
■更高的效率–更低的导通和开关损耗，零反向恢复损耗
■更小的占地面积–更高的功率密度
■高降压比-单级转换
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|
产品型号
|
品类
|
QRR(nC)
|
Configuration
|
Package(mm)
|
QG typ(nC)
|
CRSS (pF)
|
Max RDS(on) (mΩ)
@ 5 VGS
|
QGD typ (nC)
|
ID(A)
|
QGS typ (nC)
|
Max TJ (°C)
|
Development Board
|
Pulsed ID (A)
|
CISS (pF)
|
COSS (pF)
|
QOSS typ (nC)
|
VDSmax(V)
|
VGSmax(V)
|
Launch Date
|
|
EPC2014C
|
Enhancement Mode Power Transistor
|
0
|
Single
|
LGA 1.7 x 1.1
|
2
|
6.5
|
16
|
0.3
|
10
|
0.7
|
150
|
EPC9005C
|
60
|
220
|
150
|
4
|
40
|
6
|
Apr, 2016
|
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