WDS13N10TS 100V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

知识图谱
2024-07-19 韦达 数据手册 英文


●描述


■WDS13N10TS采用先进的功率沟槽技术,该技术经过专门定制,可最大限度地降低导通电阻,同时保持卓越的开关性能


●功能


■VDS=100V,ID=13A

>


▲RDS(开启)<130mΩ@VGS=10V


▲RDS(开启)<190mΩ@VGS=4.5V


■高速功率平滑开关,逻辑电平


■低栅极电荷

>
■100%EAS保证

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产品型号
品类
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