WDS13N10TS 100V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
●描述
■WDS13N10TS采用先进的功率沟槽技术,该技术经过专门定制,可最大限度地降低导通电阻,同时保持卓越的开关性能
●功能
■VDS=100V,ID=13A
▲RDS(开启)<130mΩ@VGS=10V
▲RDS(开启)<190mΩ@VGS=4.5V
■高速功率平滑开关,逻辑电平
■低栅极电荷
■100%EAS保证
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产品型号
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品类
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封装
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PD(W)
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VRWM(V)Max
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IR(µA)
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IR@VR(V)
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VBR(V)Min
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IT(mA)
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VC@IPP(V)
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IPP(A)
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Tj(℃)
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SMF5.0A
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大功率TVS
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SOD-123FL
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200
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5
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800
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