BSDD06G65E2 Silicon Carbide Schottky Diode
●一般信息
■Bourns®BSDD06G65E2碳化硅(SiC)肖特基二极管具有出色的载流能力。这种先进、高效的功率元件适用于需要高峰值正向浪涌能力、低正向电压降、降低热阻和低功率损耗的转换器等应用
■Bourns提供碳化硅肖特基二极管,用于各种风格的整流应用。BSDD06G65E2型号采用TO252(DPAK)封装,非常适合高频开关电源
●特点
■高效低功耗
■低反向漏电流
>
■高峰值正向浪涌电流(IFSM)
■降低电磁干扰<1>
■最高工作温度TJ可达175°Cp>
■环氧化合物阻燃,符合UL 94V-0标准,符合RoHS标准*,无铅无卤**<>
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|
产品型号
|
品类
|
封装
|
PD(mW)
|
VZ@IZT Nom(V)
|
VZ@IZT Min(V)
|
VZ@IZT Max(V)
|
IZT(mA)
|
ZZT@IZT(Ω)
|
ZZK@IZK(Ω)
|
IZK(mA)
|
IR(µA)
|
VR(V)
|
VF(V)
|
IF(mA)
|
|
BZT52B5V1
|
稳压二极管
|
SOD-123
|
350
|
5.1
|
5
|
5.2
|
5
|
60
|
480
|
1
|
2
|
2
|
0.9
|
10
|
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|
产品型号
|
品类
|
封装
|
PD(mW)
|
VR(V)
|
VR@IR(µA)
|
IFM(mA)
|
IO(mA)
|
IR(µA)
|
IR@VR(V)
|
VF(V)
|
VF@IF(mA)
|
Trr(ns)
|
|
1N4148W
|
小信号二极管
|
SOD-123
|
350
|
75
|
10
|
300
|
150
|
1
|
75
|
1.25
|
150
|
4
|
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|
产品型号
|
品类
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封装
|
Vds(V)
|
ID(A)Tc=25℃
|
ID(A)Tc=100℃
|
Rds on(mR) Tj=25℃ Typ
|
Rds on(mR) Tj=175℃ Typ
|
VGSmax(V)
|
Igss(nA)(25℃)
|
gfs(s)
|
Idss(uA) Tj=25℃ Typ.
|
Idss(uA) Tj=25℃ MAX
|
Idss(uA) Tj=175℃ Typ.
|
VGS th(V) Tj=25℃ Typ.
|
VGS th(V) Tj=25℃ MAX
|
VGS th(V) Tj=175℃ Typ.
|
Ciss(pF)
|
Coss(pF)
|
Crss(pF)
|
|
XRC120R15P
|
SiC MOS
|
TO247-4L
|
1200
|
166
|
117
|
13.5
|
23.5
|
-10/22
|
250
|
41 Vds=10V,ID=75A
|
0.1
|
20
|
0.5
|
2.9
|
4.5
|
2
|
5527
|
235
|
10
|
电子商城
服务市场
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