BSDD06G65E2 Silicon Carbide Schottky Diode

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2024-07-24 BOURNS 数据手册 英文


●一般信息


■Bourns®BSDD06G65E2碳化硅(SiC)肖特基二极管具有出色的载流能力。这种先进、高效的功率元件适用于需要高峰值正向浪涌能力、低正向电压降、降低热阻和低功率损耗的转换器等应用


■Bourns提供碳化硅肖特基二极管,用于各种风格的整流应用。BSDD06G65E2型号采用TO252(DPAK)封装,非常适合高频开关电源


●特点


■高效低功耗


■低反向漏电流

>

>
■高峰值正向浪涌电流(IFSM)

>
■降低电磁干扰

<1>
■最高工作温度TJ可达175°C

p>
■环氧化合物阻燃,符合UL 94V-0标准,符合RoHS标准*,无铅无卤**

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KINCARRY(晶凯瑞)稳压二极管选型表

选型表  -  KINCARRY KINCARRY提供如下稳压二极管选型,封装覆盖SOD-123/323/523/723、SOT-23/323/523/723。稳压值VZ 2.4V-39V,功耗PD 100mW-350mW,动态阻抗ZZT低至10Ω,反向漏电流IR 0.1μA-50μA。提供B/C精度等级,IZT 2mA/5mA可选,适用于电源稳压、过压保护、电压基准及消费电子等场景。

产品型号
品类
封装
PD(mW)
VZ@IZT Nom(V)
VZ@IZT Min(V)
VZ@IZT Max(V)
IZT(mA)
ZZT@IZT(Ω)
ZZK@IZK(Ω)
IZK(mA)
IR(µA)
VR(V)
VF(V)
IF(mA)
BZT52B5V1
稳压二极管
SOD-123
350
5.1
5
5.2
5
60
480
1
2
2
0.9
10
立即选型
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产品型号
品类
封装
PD(mW)
VR(V)
VR@IR(µA)
IFM(mA)
IO(mA)
IR(µA)
IR@VR(V)
VF(V)
VF@IF(mA)
Trr(ns)
1N4148W
小信号二极管
SOD-123
350
75
10
300
150
1
75
1.25
150
4
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