ZMC060N120C4 1200V N-Channel SiC MOSFET
●概述
■这种碳化硅功率MOSFET器件是使用ZMJ先进的第二代SiC MOSFET技术开发的。该设备在整个温度范围内具有非常低的RDS(开启),结合了低电容和非常高的开关操作。它在频率、能效、系统尺寸和重量减轻方面提高了应用性能。
●特点
■高阻断电压
■低电容高速开关
■低RDS(ON)以最大限度地减少导电损失
■低栅极电荷用于快速开关
■低热阻
■100%雪崩测试
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真茂佳MOSFET选型表
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产品型号
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品类
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Type
|
Product Status
|
Qualification
|
Technology
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VDS(V)
|
VGS(V)
|
ID Tc=25℃(A)
|
PD
Tc=25℃(W)
|
EAS L=0.1mH(mJ)
|
Vth min/typ/max (V)
|
Rds(on) Vgs=10V max(mΩ
|
Rds(on) Vgs=10V typ/max(mΩ)
|
Rds(on)
Vgs=4.5V
max(mΩ)
|
Rds(on) Vgs=4.5V typ/max(mΩ)
|
Rds(on) Vgs=18V typ/max (mΩ)
|
Rds(on) Vgs=15V typ (mΩ)
|
Ciss(pF)
|
Coss(pF)
|
Crss(pF)
|
Rg(Ω)
|
Qg(nC)
|
Qgs(nC)
|
Qgd(nC)
|
Package Name
|
|
ZMCA88201M
|
Auto LnM MOSFET
|
N+P
|
MP
|
Automotive
|
RobustFET
|
20
|
±12
|
-4
|
17
|
10
|
-0.5/-0.7/-1.2
|
-
|
-
|
100
|
65/100
|
-
|
-
|
495
|
64
|
51
|
8
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5.3
|
1.5
|
2.4
|
DFN3*3 Dual
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真茂佳IGBT选型表
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产品型号
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品类
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Type
|
Product Status
|
Qualification
|
Technology
|
VCE(V)
|
VGE(V)
|
IC Tc=25℃(A)
|
IC Tc=100℃ (A)
|
PD Tc=25℃(W)
|
Tsc(us)
|
VCE(sat) Tj=25℃ typ/max (V)
|
VGE(th) min/typ/max (V)
|
VF Tj=25℃ typ/max (V)
|
Eon Tj=25℃(mJ)
|
Eoff Tj=25℃(mJ)
|
IF Tc=25℃ max(A)
|
Cies(pF)
|
Coes(pF)
|
Cres(pF)
|
Qg(nC)
|
Qge(nC)
|
Qgc(nC)
|
Package
|
|
ZMBGA10N065D1AF
|
IGBT
|
IGBT + Diode
|
Sample
|
Industrial
|
IGBT 650V
|
650
|
±20V
|
20
|
10
|
30
|
6
|
1.55/2
|
5/6/7
|
1.5/2.25
|
0.12
|
0.27
|
10
|
TBC
|
TBC
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TBC
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TBC
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TBC
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TBC
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TO-220F
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芯能半导体IPM选型表
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产品型号
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品类
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电压(V)
|
电流(A)
|
绝缘耐压(KV)
|
优化开关(KHz)
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器件
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推荐功率(W)
|
热接口
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自举二极管
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欠压保护
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互锁
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RDS(on)(Typ)(Ω)VCE(SAT)(Typ)(V)
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VF(Typ)(V)
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Rth(j-c)(Max)(℃/W)
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封装
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XNM03H54D5
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IPM
|
500
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3
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1.5
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20
|
MOSFET
|
50
|
PCB
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自举二极管
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欠压保护
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互锁
|
3
|
1.5
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1.6
|
PQFN8*9
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电子商城
现货市场
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