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ZMC060N120C4 1200V N-Channel SiC MOSFET

2024-09-12 真茂佳 数据手册 英文


●概述
■这种碳化硅功率MOSFET器件是使用ZMJ先进的第二代SiC MOSFET技术开发的。该设备在整个温度范围内具有非常低的RDS(开启),结合了低电容和非常高的开关操作。它在频率、能效、系统尺寸和重量减轻方面提高了应用性能。

●特点
■高阻断电压
■低电容高速开关
■低RDS(ON)以最大限度地减少导电损失
■低栅极电荷用于快速开关
■低热阻
■100%雪崩测试

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真茂佳MOSFET选型表

选型表  -  真茂佳 真茂佳提供汽车级(Automotive)和工业级MOSFET选型,涵盖N/P沟道、单/双通道及SiC MOSFET,电压范围20V-3300V。产品包括Auto LnM系列(如ZMSA、ZMA等)和SiC系列(如ZMCA),可选参数:VDS 20V-3300V,VGS ±10V-±30V,ID 1.4A-475A(Tc=25℃),Rds(on)低至0.4mΩ(Vgs=10V)。优势特性包括低导通电阻、高开关速度(Qg 5.3nC-750nC)、高可靠性(AEC-Q认证),封装涵盖DFN3*3、TO-263、TO-247、TOLL等,适用于电机驱动、电源转换及新能源车载系统。SiC MOSFET支持高频高温应用,适用于充电桩和光伏逆变器。

产品型号
品类
Type
Product Status
Qualification
Technology
VDS(V)
VGS(V)
ID Tc=25℃(A)
PD Tc=25℃(W)
EAS L=0.1mH(mJ)
Vth min/typ/max (V)
Rds(on) Vgs=10V max(mΩ
Rds(on) Vgs=10V typ/max(mΩ)
Rds(on) Vgs=4.5V max(mΩ)
Rds(on) Vgs=4.5V typ/max(mΩ)
Rds(on) Vgs=18V typ/max (mΩ)
Rds(on) Vgs=15V typ (mΩ)
Ciss(pF)
Coss(pF)
Crss(pF)
Rg(Ω)
Qg(nC)
Qgs(nC)
Qgd(nC)
Package Name
ZMCA88201M
Auto LnM MOSFET
N+P
MP
Automotive
RobustFET
20
±12
-4
17
10
-0.5/-0.7/-1.2
-
-
100
65/100
-
-
495
64
51
8
5.3
1.5
2.4
DFN3*3 Dual
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真茂佳IGBT选型表

选型表  -  真茂佳 真茂佳提供IGBT及IGBT+Diode的选型,涵盖650V和1200V电压等级,适用于工业和汽车应用。产品包括ZMBGA、ZMBG等系列,可选参数:VCE 650V-1200V,VGE ±20V-±30V,IC 10A-160A(Tc=25℃),PD 30W-556W。优势特性包括低导通压降(VCE(sat) 1.45V-2.3V)、快速开关(Eon 0.09mJ-5.2mJ,Eoff 0.27mJ-3.1mJ),以及多种封装(TO-220F、TO-247、TO-263、TO-3PF等)。部分型号集成快恢复二极管,适合高频应用。汽车级产品通过AEC-Q认证,工业级具备高可靠性,满足多样化的电源和电机驱动需求。

产品型号
品类
Type
Product Status
Qualification
Technology
VCE(V)
VGE(V)
IC Tc=25℃(A)
IC Tc=100℃ (A)
PD Tc=25℃(W)
Tsc(us)
VCE(sat) Tj=25℃ typ/max (V)
VGE(th) min/typ/max (V)
VF Tj=25℃ typ/max (V)
Eon Tj=25℃(mJ)
Eoff Tj=25℃(mJ)
IF Tc=25℃ max(A)
Cies(pF)
Coes(pF)
Cres(pF)
Qg(nC)
Qge(nC)
Qgc(nC)
Package
ZMBGA10N065D1AF
IGBT
IGBT + Diode
Sample
Industrial
IGBT 650V
650
±20V
20
10
30
6
1.55/2
5/6/7
1.5/2.25
0.12
0.27
10
TBC
TBC
TBC
TBC
TBC
TBC
TO-220F
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芯能半导体IPM选型表

选型表  -  芯能半导体 芯能半导体提供 IPM(智能功率模块)选型,含 25 款产品,覆盖 MOSFET、IGBT、SiC-MOSFET 三类器件。电压 500V-1200V,电流 2A-50A,推荐功率 50W-5000W,绝缘耐压统一 1.5KV,优化开关频率 20KHz。封装有 PQFN8*9、DIP23 (SOP) 23、DIP24 等 6 种,热接口含 PCB、塑料、DBC 类型。全系列标配欠压保护、互锁功能,部分支持温度输出,结壳热阻最高 9.3℃/W,正向压降 1.25-3.5V,适用于电机驱动、电源设备等场景。

产品型号
品类
电压(V)
电流(A)
绝缘耐压(KV)
优化开关(KHz)
器件
推荐功率(W)
热接口
自举二极管
欠压保护
互锁
RDS(on)(Typ)(Ω)VCE(SAT)(Typ)(V)
VF(Typ)(V)
Rth(j-c)(Max)(℃/W)
封装
XNM03H54D5
IPM
500
3
1.5
20
MOSFET
50
PCB
自举二极管
欠压保护
互锁
3
1.5
1.6
PQFN8*9
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