60V N+P SX8G06S -Channel Enhancement Mode MOSFET
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产品型号
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Package
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RDS(mΩ)@VGS(10V Max)
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RDS(mΩ)@VGS(4.5V Typ)
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VGS(TH)(V)
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SX8G06S
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MOS
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8.5/-7.7
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38/80
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75/105
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N+P
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Trench
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SOP-8L
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产品型号
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品类
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Package
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Technology
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Schottky/FRD
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N/P
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VDSS（V）
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ID(A)25℃
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RDS(ON)(mΩ)4.5V(TYP)
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RDS(ON)(mΩ)4.5V(MAX)
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RDS(ON)(mΩ)2.5(TYP)
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RDS(ON)(mΩ)2.5V(MAX)
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VGS(V)(MAX)
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VGS(TH)(V)L
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VGS(TH)(V)TYP
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VGS(TH)(V)H
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Ciss(pF)(TYP)TYP
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Qg nC(TYP)
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Qg @VGS(V)
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DB015NG
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MOSFET
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TO-252
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Trench
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N
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N
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20
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25
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13
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15
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15
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18
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12
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0.5
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0.7
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1
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515
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12
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10
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