BUK964R4-40B-VB Datasheet N-Channel 40 V (D-S) MOSFET
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VBsemi-安世MOS对照表
对照表 - VBSEMI
型号- BUK7509-75A-VB,BUK7226-75A-VB,PMPB17EPX-VB,PSMN063-150D,PSMN1R0-40YSH,BUK7606-55A-VB,BSC019N04LS-VB,BUK6D77-60EX-VB,BUK7628-100A,PSMN4R6-60BS,BUZ76A,BSC200P03LS G,BSC019N04LS,BSO615NV-VB,BUK7Y1R0-40N,BUK444-450B,BUK9840-55-VB,BSL806N-VB,BSC028N06LS3 G,BSC029N025S G,BUK6607-55C-VB,PSMN1R7-40YLD-VB,BSP170P,PMN34UN-VB,BSH205G2AR,BUK7515-100A,BSO080P03NS3E G,PMN25EN,PSMN1R6-40YLC,115-VB,BSP108-VB,PSMN025-100D-VB,PMV48XPA2R,PMV32UP/MIR,BUK769R6-80E,BUK437-500A,BUK7520-55A,BSP318S-VB,BUK437-500B,PSMN1R0-40ULD,PMPB12EPX-VB,BUK78150-55,BUK554-200A,PMV50EPEAR-VB,BSL308PE,BSO200N03S-VB,PSMN2R7-30BL,BUK6213-30C-VB,BUK9J0R9-40H-VB,BUK555-60B-VB,BSP372NH6327-VB,PSMN1R5-40YSD,PMV22EN,BUK663R2-40C-VB,BUK962R8-60E,BUK6211-75C,BUK453-60A,BSC240N12NS3 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VBsemi场效应管选型表
选型表 - VBsemi VBsemi提供如下参数的场效应管选型,Vds(V):-250V~900V,Vth(V):-3V~5V,Ida(A):-90A~98A及TO252,TO251,TO220F等多种不同封装, 广泛应用于消费电子,汽车电子,工业应用及通讯等领域
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产品型号
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品类
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Vds(V)
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Vth(V)
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Ida(A)
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沟道
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封装
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BUK964R4-40B-VB
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MOSFET
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40V
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2.5V
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100A
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Single-N
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TO263
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选型表 - 鑫飞宏 鑫飞宏提供MOSFET功率器件选型,涵盖N沟道、P沟道、N+P双沟道及半桥驱动等细分品类,电压覆盖±12V至500V,电流范围0.7A-330A,Rds(on)低至0.8mΩ。产品支持2.5V/4.5V/10V多栅极驱动电压,部分型号集成ESD保护。封装形式多样,包括SOT-23/523、DFN2x2/3x3、PDFN3.3x3.3/5x6、TO-252/263、TOLL及WLCSP等,适用于消费电子、电机驱动、电源管理及工业控制领域。
|
产品型号
|
品类
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VDS
|
ID
|
Vgs (±V)
|
Vth(V)
|
ESD
Diode
|
RDS(on) mΩ 10V(Typ)
|
RDS(on) mΩ 10V(Max)
|
RDS(on) mΩ 4.5V(Typ)
|
RDS(on) mΩ 4.5V(Max)
|
RDS(on) mΩ 2.5V(Typ)
|
RDS(on) mΩ 2.5V(Max)
|
Ciss Typ(pF)
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Qg Typ(nC)
|
Type
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Package
|
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FHC1208
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MOS管
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12(Vss)
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8(Is)
|
8
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0.4~1.4
|
Yes
|
/
|
/
|
4.7(Rss)
|
5.5(Rss)
|
6.8(Rss)
|
9.0(Rss)
|
2760
|
24.7
|
N+N
|
WLCSP6-2.14x1.67x0.1
|
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