HMS8N70-VB Datasheet

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2025-10-27 VBsemi 数据手册 英文
本资料文档详细介绍了HMS8N70-VB型号的N-Channel 700V (D-S) Super Junction Power MOSFET。该器件具有低导通电阻、低输入电容、低开关和导通损耗、超低栅极电荷和雪崩能量额定等特点。适用于服务器和电信电源、开关模式电源(SMPS)、功率因数校正电源(PFC)、照明(包括高强度放电和荧光灯镇流器)以及工业应用。
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VBSEMI  -  SUPER JUNCTION POWER MOSFET,超级结功率MOSFET,HMS8N70F-VB,服务器和电信电源,照明,开关模式电源(SMPS),工业,功率因数校正电源(PFC)

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产品型号
品类
Vds(V)
Vth(V)
Ida(A)
沟道
封装
HMS8N70-VB
MOSFET
700V
3.5V
10A
Single-N
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产品型号
品类
Polarity
VDSS(V)
ID(A)
PT(W)
Tch(℃)
RDS(ON)(typ.)(Ω)
Ciss(typ.)(pF)
Qg(typ.)(nC)
Vth(typ.)(V)
Package(House Name)
P56LA4SN
MOSFET
N-channel
40
56
99
-55 to 150
0.0045
1680
38
3
LA
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