CEP6031LS2-VB Datasheet N-Channel 30 V (D-S) MOSFET

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发布时间： 2025-10-30 品牌： VBsemi 资料类型：数据手册语言：英文

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本资料文档详细介绍了CEP6031LS2-VB型号的N-Channel 30V (D-S) MOSFET。该器件是一款 trench power MOSFET，具有低热阻封装，适用于各种电源应用。文档中包含了该产品的绝对最大额定值、电气特性、热阻、典型特性和封装尺寸等信息。

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CEP6031LS2-VB 数据手册 N沟道 30V（漏源）MOSFET

数据手册本资料详细介绍了CEP6031LS2-VB N-Channel 30 V (D-S) MOSFET的产品特性、绝对最大额定值、热阻评级、规格参数、典型特性曲线以及封装尺寸。资料涵盖了该MOSFET的电气性能、热性能和物理尺寸，适用于各种应用场景。

VBSEMI - N-CHANNEL MOSFET,N沟道贴片MOS管,CEP6031LS2-VB,电源应用

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NCEP60T18-VB 数据手册 N沟道 60V（漏源）MOSFET

2025/10/30 - 数据手册本资料详细介绍了NCEP60T18-VB型N通道60V（D-S）MOSFET的产品特性、绝对最大额定值、热阻评级、规格参数、典型特性、热评级以及封装尺寸。资料中未提及具体的应用领域。

VBSEMI - MOSFET,NCEP60T18-VB,适用于各种需要高电压、高电流的电子设备中，如电源管理、电机控制等

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NCEP60T20-VB 数据手册 N沟道 60V（漏极-源极）MOSFET

2025/10/30 - 数据手册本资料详细介绍了NCEP60T20-VB N-Channel 60 V (D-S) MOSFET的产品特性、绝对最大额定值、热阻率、规格参数、典型特性、热评级、封装尺寸以及免责声明。资料涵盖了该MOSFET的电气性能、热性能、封装信息以及相关注意事项。

VBSEMI - N-CHANNEL MOSFET,N沟道贴片MOS管,NCEP60T20-VB,适用于各种需要高电流和低导通电阻的电路，如电源管理、电机驱动等

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CEP63A3-VB 数据手册 N沟道 30V（漏源）MOSFET

2025/10/30 - 数据手册本资料详细介绍了CEP63A3-VB N-Channel 30 V (D-S) MOSFET的产品特性、绝对最大额定值、热阻评级、规格参数、典型特性曲线以及封装尺寸。资料涵盖了该MOSFET的电气性能、热性能和物理尺寸，适用于各种电子应用。

VBSEMI - N-CHANNEL MOSFET,N沟道贴片MOS管,CEP63A3-VB,电源应用

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CEP6336-VB 数据手册 N沟道 60V（漏源）MOSFET

数据手册本资料详细介绍了CEP6336-VB N-Channel 60 V (D-S) MOSFET的产品特性、电气参数、典型特性曲线以及封装尺寸。该MOSFET具有低导通电阻、快速开关特性，适用于各种电源管理应用。

VBSEMI - MOSFET,CEP6336-VB,适用于各种需要高电压、高电流开关的电路，如电源管理、电机控制等

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CEP630Z-VB 数据手册 N沟道 200V（D-S）MOSFET

2025/10/30 - 数据手册本资料详细介绍了CEP630Z-VB型号的N-Channel 200V MOSFET的特性、规格和应用。资料涵盖了该产品的绝对最大额定值、热阻率、静态和动态规格、典型特性曲线以及封装尺寸等信息。

VBSEMI - N-CHANNEL MOSFET,N沟道贴片MOS管,CEP630Z-VB,主要侧开关D

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CEP630N-VB 数据手册 N沟道 200V（漏极-源极）MOSFET

2025/10/30 - 数据手册本资料详细介绍了CEP630N-VB型号的N-Channel 200V MOSFET的特性、规格和应用。资料涵盖了该产品的绝对最大额定值、热阻率、典型特性曲线、封装尺寸以及免责声明等内容。

VBSEMI - N-CHANNEL MOSFET,N沟道贴片MOS管,CEP630N-VB,主要侧开关D

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N沟道60V（漏极-源极）MOSFET NCEP60T20T-VB 数据手册

2025/10/30 - 数据手册本资料详细介绍了NCEP60T20T-VB型号的N-Channel 60 V (D-S) MOSFET。资料涵盖了该产品的特性、绝对最大额定值、热阻率、规格参数、典型特性曲线、热性能以及封装信息。

VBSEMI - N-CHANNEL MOSFET,N沟道贴片MOS管,NCEP60T20T-VB,电源应用

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NCEP60T20D-VB 数据手册 N沟道 60V（D-S）MOSFET

2025/10/30 - 数据手册本资料详细介绍了NCEP60T20D-VB N-Channel 60 V (D-S) MOSFET的产品特性、绝对最大额定值、热阻率、规格参数、典型特性、热评级、封装尺寸和推荐的最小焊盘尺寸。资料中未提及具体的应用领域。

VBSEMI - N-CHANNEL MOSFET,N沟道贴片MOS管,NCEP60T20D-VB,适用于各种应用场景，如电源管理、电机控制、开关电源等

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CEP6042-VB 数据手册 N沟道 60V（漏源）MOSFET

2025/10/30 - 数据手册本资料详细介绍了CEP6042-VB型N-Channel 60V MOSFET的产品特性、绝对最大额定值、热阻评级、规格参数、典型特性曲线、热评级以及封装尺寸。资料中未提及具体的应用领域。

VBSEMI - N-CHANNEL MOSFET,N沟道贴片MOS管,CEP6042-VB,适用于各种应用，包括符合ROHS指令2002/95/EC

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CEP6601-VB 规格书

2025/10/30 - 数据手册本资料详细介绍了CEP6601-VB型P-Channel 60V MOSFET的产品特性、应用领域和典型特性。该产品是一款 trench power MOSFET，具有低导通电阻、高可靠性等特点，适用于高电流应用中的负载开关和DC/DC转换器等。

VBSEMI - P通道MOSFET晶体管,P-CHANNEL MOSFET,CEP6601-VB,高电流应用中的负载开关,DC/DC转换器,电源开关

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CEP6056-VB 数据手册 N沟道 60V（漏源）MOSFET

数据手册本资料详细介绍了CEP6056-VB型N通道60V(D-S)MOSFET的产品特性、电气参数、热阻性能以及封装尺寸。资料中包含了产品的绝对最大额定值、静态和动态电气特性、开关特性、源极-漏极二极管特性和封装尺寸信息。

VBSEMI - MOSFET,CEP6056-VB,电源,开关应用

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选型表 - 鑫飞宏鑫飞宏提供MOSFET功率器件选型，涵盖N沟道、P沟道、N+P双沟道及半桥驱动等细分品类，电压覆盖±12V至500V，电流范围0.7A-330A，Rds(on)低至0.8mΩ。产品支持2.5V/4.5V/10V多栅极驱动电压，部分型号集成ESD保护。封装形式多样，包括SOT-23/523、DFN2x2/3x3、PDFN3.3x3.3/5x6、TO-252/263、TOLL及WLCSP等，适用于消费电子、电机驱动、电源管理及工业控制领域。

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鲁光电子(LGE)MOSFET选型表

选型表 - 鲁光电子鲁光提供多种MOSFET选型，覆盖N沟道/P沟道、高压600V-1700V、大电流0.1A-152A全谱；封装含TO-220/247/263、SOT-23/323/523、DFN、PDFN5×6-8L等，Rdson低至0.0024Ω，Qg<5nC超低栅荷，Coss<50pF高速，TJ 150-175℃，适配电源、电机、光伏、车载等需求。