RJK5012DPP-VB Datasheet N-Channel 650V (D-S) Power MOSFET

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2025-10-31 VBsemi 数据手册 英文
该文档是RJK5012DPP-VB型号N-Channel 650V功率MOSFET的数据手册。它详细介绍了该MOSFET的关键特性,包括低导通电阻、低栅极电荷、低开关和导通损耗,以及适用于服务器和电信电源、开关模式电源、功率因数校正电源、照明和工业应用。文档还提供了绝对最大额定值、热阻等级、规格参数、典型特性和封装尺寸等信息。
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VBsemi场效应管选型表

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产品型号
品类
Vds(V)
Vth(V)
Ida(A)
沟道
封装
RJK5012DPE-00-J3-VB
MOSFET
650V
3.5V
12A
Single-N
TO263
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SHINDENGEN-MOSFET选型表

选型表  -  SHINDENGEN SHINDENGEN-MOSFET选型:VDSS(V):40~900,ID(A):0.5~300,PT(W):20~441,RDS(ON)(typ.)(Ω):0.00064~9.5,Ciss(typ.)(pF):120~9675。

产品型号
品类
Polarity
VDSS(V)
ID(A)
PT(W)
Tch(℃)
RDS(ON)(typ.)(Ω)
Ciss(typ.)(pF)
Qg(typ.)(nC)
Vth(typ.)(V)
Package(House Name)
P56LA4SN
MOSFET
N-channel
40
56
99
-55 to 150
0.0045
1680
38
3
LA
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SHINDENGEN功率模块选型表

选型表  -  SHINDENGEN SHINDENGEN功率模块选型:VCES(V):650~1250,IC(A):50~400,VCE(sat.)(typ.)(V):1.45~1.85,toff (typ.)(µs):0.358~1.09,Diode trr (typ.)(µs):0.13~0.25。

产品型号
品类
Series
VCES(V)
IC(A)
VCE(sat.)(typ.)(V)
ton(typ.)(µs)
toff (typ.)(µs)
IGBT Rthj-c (Max.)(℃/W)
使用温度范围(Max.)
UL
K38IH100P065TAA
功率模块
PHMB
650
100
1.5
0.085
0.48
0.39
150
UL
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