RJK5012DPP-VB Datasheet N-Channel 650V (D-S) Power MOSFET
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VBsemi场效应管选型表
选型表 - VBsemi VBsemi提供如下参数的场效应管选型,Vds(V):-250V~900V,Vth(V):-3V~5V,Ida(A):-90A~98A及TO252,TO251,TO220F等多种不同封装, 广泛应用于消费电子,汽车电子,工业应用及通讯等领域
|
产品型号
|
品类
|
Vds(V)
|
Vth(V)
|
Ida(A)
|
沟道
|
封装
|
|
RJK5012DPE-00-J3-VB
|
MOSFET
|
650V
|
3.5V
|
12A
|
Single-N
|
TO263
|
SHINDENGEN-MOSFET选型表
选型表 - SHINDENGEN SHINDENGEN-MOSFET选型:VDSS(V):40~900,ID(A):0.5~300,PT(W):20~441,RDS(ON)(typ.)(Ω):0.00064~9.5,Ciss(typ.)(pF):120~9675。
|
产品型号
|
品类
|
Polarity
|
VDSS(V)
|
ID(A)
|
PT(W)
|
Tch(℃)
|
RDS(ON)(typ.)(Ω)
|
Ciss(typ.)(pF)
|
Qg(typ.)(nC)
|
Vth(typ.)(V)
|
Package(House Name)
|
|
P56LA4SN
|
MOSFET
|
N-channel
|
40
|
56
|
99
|
-55 to 150
|
0.0045
|
1680
|
38
|
3
|
LA
|
SHINDENGEN功率模块选型表
选型表 - SHINDENGEN SHINDENGEN功率模块选型:VCES(V):650~1250,IC(A):50~400,VCE(sat.)(typ.)(V):1.45~1.85,toff (typ.)(µs):0.358~1.09,Diode trr (typ.)(µs):0.13~0.25。
|
产品型号
|
品类
|
Series
|
VCES(V)
|
IC(A)
|
VCE(sat.)(typ.)(V)
|
ton(typ.)(µs)
|
toff (typ.)(µs)
|
IGBT Rthj-c (Max.)(℃/W)
|
使用温度范围(Max.)
|
UL
|
|
K38IH100P065TAA
|
功率模块
|
PHMB
|
650
|
100
|
1.5
|
0.085
|
0.48
|
0.39
|
150
|
UL
|
电子商城
现货市场
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