3989I-VB Datasheet N-Channel 650V (D-S) Power MOSFET
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选型表 - VBsemi VBsemi提供如下参数的场效应管选型,Vds(V):-250V~900V,Vth(V):-3V~5V,Ida(A):-90A~98A及TO252,TO251,TO220F等多种不同封装, 广泛应用于消费电子,汽车电子,工业应用及通讯等领域
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产品型号
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品类
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封装
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沟道
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Vds(V)
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Vth(V)
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Ida(A)
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12N10-VB
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MOSFET
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TO252
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Single-N
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100V
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1.8V
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15A
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FMIC SIC MOSFET选型表
选型表 - FMIC FMIC方正微电子提供SiC MOSFET、SiC肖特基二极管及功率模块的选型。产品涵盖1200V耐压等级,SiC MOSFET导通电阻13mΩ-85mΩ,二极管正向电流10A-40A,功率模块电流支持63A-210A。封装包含TO247-2/3/4/4NL/7、EASY2B、DIP32等。产品分为车规级(符合AEC-Q101标准)和工业级,适用于汽车电子及工业控制领域。
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产品型号
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品类
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封装
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耐压(V)
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Rds(on)mΩ
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应用等级
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认证标准
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FM120D013CA
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SiC MOSFET功率半导体
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TO247-4
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1200V
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13mΩ
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车规级
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AEC-Q101
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晶新功率晶体管芯片选型表
选型表 - 晶新 晶新提供如下功率晶体管芯片选型,中大功率BJT裸片是一套2~15A全电流、20~350V超宽耐压的线性/驱动功率三极管芯粒矩阵,分为通用中小功率、标准宽压、超大电流功放、高压特种四大系列,配套完整NPN/PNP配对型号。产品线区50~150MHz高频线性放大工艺与10~15MHz低频大电流驱动工艺,裸片尺寸0.86~5.0mm梯度全覆盖,兼容各类直插、贴片功率封装
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产品型号
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品类
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BVᴄᴇᴏ(V)
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BVᴄʙᴏ(V)
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BVᴇʙᴏ(V)
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hғᴇ min
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hғᴇ max
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Vᴄᴇ(sat)(V)
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fᴛ(MHz)
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Die Size(mm×mm)
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Wafer Size
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Iᴄ(A)
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CJZM718
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功率晶体管芯片
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-25
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-25
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-7.5
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300
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600
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-0.35
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150
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0.86×0.86
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4"
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-2.5
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电子商城
服务市场
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