2SK2843_06-VB Datasheet N-Channel 650V (D-S) Power MOSFET
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产品型号
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品类
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封装
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沟道
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Vds(V)
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Vth(V)
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Ida(A)
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12N10-VB
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MOSFET
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TO252
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Single-N
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100V
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1.8V
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15A
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中微爱芯MOSFET驱动器选型表
选型表 - 中微爱芯 中微爱芯提供全系列MOSFET驱动器选型。核心可选参数：工作电压覆盖4.5V-24V多档位，输入输出相位支持反相、同相、同&反相、三相低侧同相多类型，高低电平峰值短路电流覆盖0.3A-9A区间，输出阻抗最低可达1.4Ω，上升/下降时间低至10ns，延迟时间最短20ns，最大负载驱动能力支持10000pF，适配常规款及车规级-40℃~125℃宽温工作需求。可选封装：包含SOT23-5/6、SOP8、SOP14、DIE等多类，适配不同功率场景的MOS管驱动选型需求。
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产品型号
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品类
|
工作电压Supply Voltage(V)
|
输入与输出相位关系Input-Output Phase Relation
|
输出高电平峰值短路电流Output High-level Peak Short Circuit Current(A)
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输出低电平峰值短路电流Output Low-level Peak Short Circuit Current(A)
|
输出阻抗Output Impedance(Ω)
|
上升和下降时间 Rise and Fall Times(ns)
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延迟时间Delay Time(ns)
|
负载驱动能力Load Drive Capability(pF)
|
工作温度Operating Temperature (℃)
|
封装Package
|
|
AiP4415
|
MOSFET
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4.5V ~ 18V
|
反相
|
1.5
|
1.5
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2
|
10
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20
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1000
|
-40℃~85℃
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SOT23-5
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华润微电子N+P MOS选型表
选型表 - 华润微电子 华润微电子提供N+P沟道MOSFET选型表。涵盖CRM及CRMD系列器件，耐压±30V至±100V，电流±4A至±28A。提供VGS=10V及5V条件下的导通电阻、阈值电压、栅极电荷与输入电容等核心参数。适用于需精确控制导通损耗与开关速度的电路设计场景。
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产品型号
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品类
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Polarity
|
VDS(V)
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ID(A)
|
Typ RDS(ON)@VGS=10V(mΩ)
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Max RDS(ON)@VGS=10V(mΩ)
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Typ RDS(ON)@VGS=4.5V(mΩ)
|
Max RDS(ON)@VGS=4.5V(mΩ)
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Min VGS(TH) (V)
|
Max VGS(TH) (V)
|
Qg(nC)
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Ciss(pF)
|
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CRMM4606
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N+P沟道MOSFET
|
N+P
|
±30
|
±7
|
25/26
|
30/31.2
|
35/37
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42/44.4
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1/-1
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3/-2
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10.1
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382
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电子商城
现货市场
授权代理品牌：集成电路
授权代理品牌：分立元件
授权代理品牌：接插件及结构件
授权代理品牌：部件、组件及配件
授权代理品牌：电源及模块
授权代理品牌：电子材料
授权代理品牌：仪器仪表及测试配组件
授权代理品牌：电工工具及材料
授权代理品牌：机械电子元件
授权代理品牌：加工与定制
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