12CN10N-VB TO263 Datasheet N-Channel 100-V (D-S) MOSFET
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产品型号
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品类
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Vds(V)
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Vth(V)
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Ida(A)
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沟道
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封装
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12CN10N-VB TO263
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MOSFET
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100V
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2.5V
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100A
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Single-N
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TO263
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|
产品型号
|
品类
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VDS
|
ID
|
Vgs (±V)
|
Vth(V)
|
ESD
Diode
|
RDS(on) mΩ 10V(Typ)
|
RDS(on) mΩ 10V(Max)
|
RDS(on) mΩ 4.5V(Typ)
|
RDS(on) mΩ 4.5V(Max)
|
RDS(on) mΩ 2.5V(Typ)
|
RDS(on) mΩ 2.5V(Max)
|
Ciss Typ(pF)
|
Qg Typ(nC)
|
Type
|
Package
|
|
FHC1208
|
MOS管
|
12(Vss)
|
8(Is)
|
8
|
0.4~1.4
|
Yes
|
/
|
/
|
4.7(Rss)
|
5.5(Rss)
|
6.8(Rss)
|
9.0(Rss)
|
2760
|
24.7
|
N+N
|
WLCSP6-2.14x1.67x0.1
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选型表 - 鲁光电子 鲁光提供多种MOSFET选型，覆盖N沟道/P沟道、高压600V-1700V、大电流0.1A-152A全谱；封装含TO-220/247/263、SOT-23/323/523、DFN、PDFN5×6-8L等，Rdson低至0.0024Ω，Qg<5nC超低栅荷，Coss<50pF高速，TJ 150-175℃，适配电源、电机、光伏、车载等需求。
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产品型号
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品类
|
封装/外壳/尺寸
|
PD(W)
|
ID
|
VDSS(V)
|
Polarity
|
Qg(nC)@10V(typ)
|
VGSS(V)
|
RDS(on)mΩ@10V
|
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LGE1N60P
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MOSFET
|
TO-220AB
|
40
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1.2A
|
600
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N
|
5
|
±30
|
9300
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