2N0680-VB Datasheet N-Channel 60 V (D-S) MOSFET
| 世强先进(深圳)科技股份有限公司 | |
| 世强硬创平台www.sekorm.com | |
| 世强硬创平台电子商城www.sekorm.com/supply/ | |
| 世强硬创平台www.sekorm.com | |
| 世强硬创平台www.sekorm.com |
本文内容由VBsemi品牌授权世强硬创平台转载,旨在分享知识与信息,如有内容侵权或者其他违规问题,请及时与我们联系,我们将在核实情况后尽快删除或提供适当的版权信息。对于通过本网站上传或发布的内容,世强硬创平台不承担任何版权责任。
相关推荐
2N0680-VB 数据手册 N沟道 60V(漏源)MOSFET
数据手册 本资料详细介绍了2N0680-VB N-Channel 60V MOSFET的产品特性、应用领域和典型特性。资料中包含了该MOSFET的绝对最大额定值、电气特性、热阻评级、典型特性曲线以及封装尺寸等信息。
VBSEMI - MOSFET,2N0680-VB,DC/AC INVERTERS,电机驱动,DC/DC CONVERTERS,直流/交流逆变器,DC/DC转换器,MOTOR DRIVES
VBsemi场效应管选型表
选型表 - VBsemi VBsemi提供如下参数的场效应管选型,Vds(V):-250V~900V,Vth(V):-3V~5V,Ida(A):-90A~98A及TO252,TO251,TO220F等多种不同封装, 广泛应用于消费电子,汽车电子,工业应用及通讯等领域
|
产品型号
|
品类
|
Vds(V)
|
Vth(V)
|
Ida(A)
|
沟道
|
封装
|
|
2N0680-VB
|
MOSFET
|
60V
|
1.7V
|
18A
|
Single-N
|
TO252
|
P沟道200V(漏-源)MOSFET
2025/12/15 - 数据手册 本资料主要介绍了一种P-Channel 200V (D-S) MOSFET产品,包括其产品概述、特性、绝对最大额定值、热阻额定值、规格、典型特性等详细信息。
VBSEMI - MOSFET,P-CHANNEL 200V (D-S) MOSFET
查看更多版本P沟道20-V(漏-源)MOSFET
2025/12/15 - 数据手册 本资料介绍了一种P-Channel 20-V (D-S) MOSFET,详细描述了其产品特性、应用领域、绝对最大额定值、规格参数、典型特性、热阻、封装尺寸和推荐焊盘布局。资料中未提及具体的产品特性,但提供了详细的技术参数和应用信息。
VBSEMI - MOSFET,P-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET,便携式设备(负载开关、电池开关、充电器开关)
查看更多版本P沟道30v(D-S)MOSFET
2025/10/29 - 数据手册 本资料详细介绍了P-Channel 30 V (D-S) MOSFET的产品特性、规格参数、典型特性曲线、热性能、封装尺寸等信息。资料涵盖了该MOSFET的绝对最大额定值、电气特性、热阻、封装类型等关键参数。
VBSEMI - MOSFET,P-CHANNEL 30 V (D-S) MOSFET
查看更多版本N沟道30 V(D-S)MOSFET
2025/12/15 - 数据手册 本资料介绍了一种N-Channel 30-V (D-S) MOSFET,详细描述了其产品特性、应用领域、绝对最大额定值、热阻等级、规格参数、典型特性曲线以及封装尺寸等信息。
VBSEMI - MOSFET,N-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET,同步整流,电源供应
查看更多版本N沟道60V(漏极-源极)MOSFET
2025/11/08 - 数据手册 本资料详细介绍了N-Channel 60V (D-S) MOSFET的产品特性、绝对最大额定值、热阻等级、规格参数、典型特性和热性能。资料涵盖了产品的电气特性、热性能、封装尺寸和免责声明等内容。
VBSEMI - MOSFET,N-CHANNEL 60V (D-S) MOSFET,电机控制,电源管理
查看更多版本N沟道60-V(D-S)MOSFET
2025/10/29 - 技术文档 本资料详细介绍了N-Channel 60-V (D-S) MOSFET的产品特性、应用范围、绝对最大额定值、热阻等级、MOSFET规格、典型特性曲线、封装尺寸和推荐最小焊盘尺寸。资料中包含了产品的主要技术参数,如漏源电压、栅极-源极电压、连续漏极电流、静态和动态特性等,并提供了典型应用场景下的性能数据。
VBSEMI - MOSFET,N-CHANNEL 60-V (D-S) MOSFET,电池开关,DC/DC转换器
查看更多版本P沟道40v(D-S)MOSFET
2025/10/29 - 数据手册 本资料详细介绍了P-Channel 40 V (D-S) MOSFET的产品特性,包括绝对最大额定值、规格参数、典型特性、热性能、封装尺寸等,旨在为用户提供全面的产品信息。
VBSEMI - MOSFET,P-CHANNEL 40 V (D-S) MOSFET,适用于各种需要高电压和低导通电阻的应用,如电源管理、电机控制和开关电源
查看更多版本P沟道60V(漏源)MOSFET
2025/12/15 - 数据手册 本资料详细介绍了P-Channel 60 V (D-S) MOSFET的产品特性,包括绝对最大额定值、热阻率、静态和动态规格、典型特性曲线等。资料还提供了产品的热性能、封装尺寸和免责声明。
VBSEMI - MOSFET,P-CHANNEL 60 V (D-S) MOSFET,适用于各种功率应用,如电源管理、电机控制等
查看更多版本N沟道20v(D-S)MOSFET
2025/12/09 - 数据手册 本资料介绍了一种N-Channel 20 V (D-S) MOSFET,详细描述了其产品特性、应用领域、绝对最大额定值、规格参数、典型特性曲线以及推荐焊盘布局。资料中未提及具体的产品特性,但提供了详细的技术参数和应用信息。
VBSEMI - MOSFET,N-CHANNEL 20 V (D-S) MOSFET,DC/DC转换,便携式设备的负载切换
查看更多版本N沟道40-V(D-S)MOSFET
2025/12/15 - 数据手册 本资料主要介绍了一种N-Channel 40-V (D-S) MOSFET,包括其产品概述、特性、应用领域、绝对最大额定值、热阻率、典型特性曲线、封装尺寸以及免责声明等内容。
VBSEMI - MOSFET,N-CHANNEL 40-V (D-S) MOSFET,同步整流,电源供应
查看更多版本WG碳化硅MOS管选型表
选型表 - WG WG(威谷)提供碳化硅MOS管(SiC MOSFET)的选型。该系列产品具备650V-3300V的BVDSS耐压与9A-108A的ID电流规格。其核心优势参数包括:VTH范围2.0V-4.5V,VGS Max涵盖-10/+22V与-10/+25V,RDS(ON)@VGS=10V低至0.011Ω-0.8Ω。产品具有低导通电阻与高频高效特性,提供TO-247-4L、TO-247、TO-252、TO-220F及TO-263等丰富封装。可广泛应用于新能源汽车、光伏逆变器、储能系统及工业开关电源等高效率功率转换场景。
|
产品型号
|
品类
|
ID(A)
|
BVDSS(V)
|
VTH Min(V)
|
VTH Max(V)
|
VGS Max(V)
|
RDS(ON)@VGS=10V TYP(Ω)
|
RDS(ON)@VGS=10V MAX(Ω)
|
Package
|
|
SICMA75R014GL-4L
|
碳化硅MOS管
|
108A
|
750V
|
2.2V
|
4.2V
|
-10/+22V
|
0.011Ω
|
0.014Ω
|
TO-247-4L
|
领晨科技低压功率MOSFET选型表
选型表 - 领晨科技 领晨科技提供低压功率MOSFET选型:采用SOT-523/SOT-23/TO-252/PDFN5X6共4种封装形式,提供N沟道和P沟道两种极性,导通电阻低、开关速度快、驱动功率小,漏源电压VDS绝对值覆盖20V至100V(N沟道为正、P沟道为负);连续漏极电流ID绝对值最高达100A;漏极耗散功率PD覆盖0.15W至108W;栅源电压VGS最高±20V;栅极阈值电压VGS(th)绝对值覆盖1V至3V;最大导通电阻RDS(on)覆盖0.38mΩ至580mΩ,广泛应用于负载开关、DC-DC同步整流、电机驱动及电源管理等低压大电流场合
|
产品型号
|
品类
|
Polarity
|
PD(W)
|
VDS(V)
|
VGS(V)
|
ID(A)
|
VGS(th)Min(V)
|
VGS(th)Max(V)
|
RDS(on)Max(mΩ)
|
Package
|
|
LTM30P100
|
低压功率MOSFET
|
P
|
108
|
-100
|
±20
|
-30
|
-1
|
-2.5
|
45
|
TO-252
|
电子商城
服务市场
汉华硅胶导热绝缘套定制,高绝缘、导热优良、弹性贴合、耐高低温、安装便捷,适用于各类电子元器件、功率器件、三极管、MOS 管、稳压管等器件的导热绝缘、防护包裹
提交需求>
现货市场
登录 | 立即注册
提交评论