Schottky Barrier Rectifiers Reverse Voltage - 100 V Forward Current - 20 A
| 世强先进(深圳)科技股份有限公司 | |
| 世强硬创平台www.sekorm.com | |
| 世强硬创平台电子商城www.sekorm.com/supply/ | |
| 世强硬创平台www.sekorm.com | |
| 世强硬创平台www.sekorm.com |
- |
- +1 赞 0
- 收藏
- 评论 0
本文内容由晶导微电子品牌授权世强硬创平台转载,旨在分享知识与信息,如有内容侵权或者其他违规问题,请及时与我们联系,我们将在核实情况后尽快删除或提供适当的版权信息。对于通过本网站上传或发布的内容,世强硬创平台不承担任何版权责任。
相关推荐
肖特基势垒整流器 反向电压 - 100 伏 正向电流 - 20 安培
2026/03/11 - 数据手册 本资料介绍了MBR20100FD型肖特基势垒二极管,该产品具有高电流能力、低正向压降、可靠的高温运行、低功耗、高效率和高的浪涌能力。产品采用TO-220F-3L封装,适用于各种电子设备中的整流应用。
晶导微电子 - 肖特基势垒二极管,MBR20100FD,开关电源,电机控制,电源管理
Forward Current - 20 Amperes Schottky Barrier Rectifiers Reverse Voltage - 40~200 Volts
2026/03/11 - 技术文档 本资料主要介绍了一系列肖特基势垒二极管(MBR2040GT至MBR20200GT),包括其特性、电气参数、机械数据、封装信息和标记代码。这些二极管具有高电流能力、低正向电压降、低功耗、高浪涌能力和高温焊接保证。资料还包含了最大额定值、电气特性、封装轮廓、标记代码以及重要通知和免责声明。
晶导微电子 - SCHOTTKY BARRIER RECTIFIERS,肖特基势垒整流器,MBR2060GT,MBR2040GT,MBR20100GT,MBR20200GT,MBR2045GT,MBR20150GT,电源供应,ETC.,等。,INVERTERS,HIGH CURRENT APPLICATIONS,倒相器,POWER SUPPLIES,高电流应用
MBR2040FT THRU MBR20200FT Schottky Barrier Rectifiers Reverse Voltage - 40 to 200 V Forward Current - 20 A
2026/03/11 - 数据手册 本资料介绍了Jingdao Microelectronics公司生产的MBR2040FT至MBR20200FT系列肖特基势垒二极管。这些二极管具有高电流能力、低正向电压降、低功耗、高浪涌能力和高温焊接保证等特点。资料中详细列出了产品的电气特性、机械数据、封装类型、标记代码以及重要注意事项和免责声明。
晶导微电子 - 肖特基整流器,MBR20100FT,MBR2060FT,MBR2040FT,MBR20200FT,MBR20150FT,MBR2045FT,适用于各种需要高电流、低功耗和高温焊接保证的电路
特性 机械数据 • 外壳:TO-220ACW • 大约重量:1.855g (0.065oz) **肖特基势垒整流器 反向电压 - 100 伏 正向电流 - 20 安培** • 超低正向压降 • 可靠的高温工作 • 最软、快速开关能力 • 150 °C 工作结温 • 符合RoHS A TO-220ACW **外壳 引脚1 外壳** 符合RoHS
2026/03/19 - 数据手册 本资料主要介绍了MBR20100C型号的肖特基整流器,包括其机械数据、最大额定值和电气特性、典型曲线以及封装信息。资料详细描述了该产品的性能参数和应用条件。
晶导微电子 - SCHOTTKY整流器,MBR20100C
MBR20100DY肖特基势垒整流器
2021.11 - 数据手册 该资料介绍了山东晶导微电子股份有限公司生产的SCHOTTKY BARRIER RECTIFIERS(肖特基势垒二极管)。产品具有高电流能力、低正向压降、低功耗、高效能等特点。资料提供了详细的电学特性参数,包括最大反向峰值电压、平均正向整流电流、瞬态正向浪涌电流等。此外,还包含了产品的封装尺寸图和标记说明。
晶导微电子 - 肖特基势垒整流器,SCHOTTKY BARRIER RECTIFIERS,MBR20100DY
Extreme Low VF Schottky Barrier Rectifiers Reverse Voltage - 100 V Forward Current - 20 A
22-Aug.-24 - 数据手册 本资料介绍了一种极端低正向电压肖特基势垒二极管,具有高电流能力、低正向电压降、低功耗、高浪涌能力等特点。产品适用于多种电子设备,具有TO-220-3L封装,符合RoHS标准。
晶导微电子 - 肖特基整流器,MBR20100LCD,开关电源,电机控制,电源管理
Low VF Schottky Barrier Rectifiers Reverse Voltage - 100 V Forward Current - 20 A
2026/03/11 - 数据手册 本资料介绍了一种低正向压降的肖特基势垒二极管,型号为MBR20100DY。该二极管具有低功耗、高效率、高浪涌能力等特点,适用于各种电子设备中的整流应用。
晶导微电子 - 肖特基整流器,MBR20100DY,适用于各种电子设备中
肖特基势垒整流器反向电压 - 100V 正向电流 - 20A
14-Nov.-24 - 数据手册 本资料主要介绍了MBR20100VY型号的肖特基整流器,包括其特性、机械数据、最大额定值和电气特性、典型特性曲线以及封装尺寸和标记信息。
晶导微电子 - SCHOTTKY整流二极管,MBR20100VY,用于需要低功耗、高效率和快速开关的应用
查看更多版本MBR2040xT至MBR20200xT肖特基势垒整流器
2018.12 - 数据手册 该资料介绍了山东晶导微电子股份有限公司生产的肖特基整流器产品系列,包括MBR2040T至MBR20200T型号。这些整流器具有高电流能力、低正向电压降、低功耗和高浪涌能力等特点,适用于各种电路设计。
晶导微电子 - 肖特基势垒整流器,SCHOTTKY BARRIER RECTIFIERS,MBR20200XT,MBR2040XT,MBR2060VT,MBR20100DT,MBR2040VT,MBR20150DT,MBR20200VT,MBR20150VT,MBR2045VT,MBR20100VT,MBR2060DT,MBR20200DT,MBR2040DT,MBR2045DT
查看更多版本SCHOTTKY BARRIER RECTIFIERS
2026/03/11 - 数据手册 本资料介绍了SCHOTTKY BARRIER RECTIFIERS(肖特基势垒整流器)的产品特性、最大额定值和电气特性。资料详细描述了产品的电流能力、正向电压降、功率损耗、浪涌能力等关键参数,并提供了产品的封装类型、推荐安装垫尺寸和标记代码。
晶导微电子 - 整流器,MBR20100DYC
MBR2040WT至MBR20200WT肖特基势垒整流器反向电压 - 40至200V 正向电流 - 20A
2025/08/26 - 数据手册 本资料介绍了MBR2040WT至MBR20200WT系列肖特基整流器的主要特性、电气参数、机械数据和应用信息。这些整流器具有高电流能力、低正向电压降、低功耗、高浪涌能力等特点,适用于各种电子设备中的电源转换。
晶导微电子 - 肖特基整流器,MBR2060WT,MBR2040WT,MBR20100WT,MBR20200WT,MBR2045WT,MBR20150WT,开关电源,电机驱动,电源管理
Jingdao Microelectronics co.LTD MBR2040xT THRU MBR20200xT 山 东 晶 导 微 电 子 股 份 有 限 公 司 Schottky Barrier Rectifiers Reverse Voltage - 40 to 200 V Forward Current - 20 A Features
2026/03/11 - 数据手册 该资料介绍了山东晶导微电子股份有限公司生产的MBR2040xT至MBR20200xT系列肖特基整流器。这些整流器具有低正向电压降、低功耗、高浪涌能力等特点,适用于多种电子设备。
晶导微电子 - 肖特基整流器,MBR20100VT,MBR2060VT,MBR20100DT,MBR2040VT,MBR2060DT,MBR20200DT,MBR20200VT,MBR2040DT,MBR20150DT,MBR20150VT,MBR2045VT,MBR2045DT,高电流应用
晶导微肖特基二极管选型表
选型表 - 晶导微电子 晶导微电子提供丰富多样的肖特基二极管选型,涵盖1A至10A的额定电流范围,以及20V至200V的反向电压范围,满足不同应用场景需求。产品具备低正向压降(0.45V至1.0V)、低反向漏电流(低至2uA)等优势特性,确保高效能与高可靠性。封装形式多样,包括SOD-123、SOD-323、SMA、SMB、TO-251W、TO-252W等,适应多种电路设计需求。适用于电源管理、逆变器、开关电源等应用,助力用户实现高效电路设计与性能优化。
|
产品型号
|
品类
|
Package Outline
|
链接
|
状态
|
IFSM(A)
|
VF(V)
|
IR(uA)
|
VRRM(V)
|
@IF(A)
|
@VR(V)
|
Marking
|
Tj(℃)
|
Io(A)
|
|
MBR20100FTS
|
肖特基二极管
|
ITO-220ABW
|
下载链接
|
终版
|
150
|
0.85
|
50
|
100
|
10
|
100
|
MBR20100FTS
|
-55℃-150℃
|
20
|
晶导微电子二极管选型表
选型表 - 晶导微电子 晶导微电子提供以下参数的二极管选型:平均整流电流(lo)1~40A;反向重复峰值电压(VRRM)20~200V;浪涌电流(IFSM)25~250A;顺向电压(VF)0.45~0.95V;最大正向电流(IF)1~20A;反向漏电流(IR)0.05~1mA;最大反向电压(VR)20~200V;封装外形有 SMA、 SMAF、SMB、SMBF等多种
|
产品型号
|
品类
|
IR(μA)@VR(V)
|
VF(V)@IF(A)
|
IFSM(A)
|
IR(μA、mA)
|
VF(V)
|
VRRM(V)
|
Package
|
Io(A)
|
|
MBR20100FCT
|
肖特基二极管
|
100
|
10
|
150
|
0.05mA
|
0.85
|
100
|
ITO-220AB
|
20
|
晶导微电子肖特基二极管选型表
选型表 - 晶导微电子 晶导微电子提供以下参数的肖特基二极管:平均整流电流(lo)1~40A;反向重复峰值电压(VRRM)20~200V;浪涌电流(IFSM)25~250A;顺向电压(VF)0.45~0.95V;最大正向电流(IF)1~20A;反向漏电流(IR)0.05~1mA;最大反向电压(VR)20~200V;封装外形有 SMA、 SMAF、SMB、SMBF等多种
|
产品型号
|
品类
|
IR(μA)@VR(V)
|
VF(V)@IF(A)
|
IFSM(A)
|
VF(V)
|
VRRM(V)
|
Package
|
Io(A)
|
IR(mA)
|
|
MBR20100FCT
|
肖特基二极管
|
100
|
10
|
150
|
0.85
|
100
|
ITO-220AB
|
20
|
0.05
|
电子商城
服务市场
支持铲齿散热器鳍片最大加工厚度0.1-10mm,最大宽度600mm,铝挤散热器鳍片最小铝挤厚度5mm,最小鳍片间距1cm;定制散热器产品工艺有热管焊接,穿片,打磨,铲齿,铝挤及CNC加工修边飞面等。
最小起订量:2pcs 提交需求>
可定制波导隔离器频率覆盖5.5GHz~110GHz,插损损低至0.25dB、隔离度、正向方向功率、封装尺寸参数。
最小起订量:1pcs 提交需求>
现货市场
登录 | 立即注册
提交评论