本文内容由长晶科技品牌授权世强硬创平台转载，旨在分享知识与信息，如有内容侵权或者其他违规问题，请及时与我们联系，我们将在核实情况后尽快删除或提供适当的版权信息。对于通过本网站上传或发布的内容，世强硬创平台不承担任何版权责任。
相关推荐
CJAC2R0SN04C PDFNWB5×6-8L塑封MOSFET
2023/3/30 - 数据手册 该资料介绍了江苏长景电子科技有限公司生产的PDFNWB5×6-8L塑料封装MOSFET（CJAC2R0SN04C型号）的技术规格和应用。文档详细阐述了该MOSFET的特性，包括其高密度单元设计以实现超低RDS(ON)，良好的稳定性与均匀性，适用于高效快速切换应用。
长晶科技 - N沟道功率MOSFET,N沟道增强型功率场效应晶体管,N-CHANNEL POWER MOSFET,PLASTIC-ENCAPSULATE MOSFET,塑料封装MOSFET,N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER FIELD EFFECT TRANSISTORS,CJAC2R0SN04C,HIGH EFFICIENCY FAST SWITCHING APPLICATIONS,HIGH FREQUENCY CIRCUITS,开关模式电源,UNINTERRUPTIBLE POWER SUPPLY,不间断电源,高效率快速开关应用,SMPS,高频电路,HARD SWITCHED CIRCUITS,硬开关电路
150V 表面贴装/MOSFET CJAC012SN15BH PDFNWB5x6-8L
July-25 - 测试报告 本报告由江苏长景电子科技有限公司提供，针对CJAC012SN15BH型号的150V SMDs/MOSFET进行可靠性测试。测试项目包括预应力电气测试、C-san前测试、烘焙、浸泡、红外回流、C-san后测试和后应力电气测试。所有测试均通过，无分层现象。报告日期为2023年7月25日，JSCJ实验室保留对报告的最终解释权。
长晶科技 - SMDS/MOSFET,表面贴装器件/MOS场效应晶体管,CJAC012SN15BH,150V SMDS/MOSFET,150V 表面贴装/MOSFET
查看更多版本
CJAC2R5SNO4C产品工程变更通知(CJAC2R5SN04C products Process Change Notice)（EA2024120013）
2024/12/16 - 产品变更通知及停产信息
长晶科技 - CJAC2R5SN04C,CJAC2R5SN04C_PDFNWB5X6-8L
部件编号：CJAC012SN15BH
2026/01/15 - 技术文档 本报告详细描述了元器件CJAC012SN15BH的可靠性测试结果。测试项目为HTRB，持续时间为1000小时，样本数量为231件，无故障发生。报告提供了加速温度、正常工作温度、活化能、玻尔兹曼常数和置信水平下的卡方常数等信息。结果显示，在55℃的工作条件下，90%置信水平下的故障率为38.5 FIT，平均失效时间为26005512小时，即2969年。报告还包含了MTTF/FIT计算公式及备注。
长晶科技 - 电子元器件,CJAC012SN15BH
CJAC2R5SN04C PDFNWB5×6-8L塑封MOSFET
2023/4/24 - 数据手册 本资料介绍了江苏长景电子科技有限公司生产的PDFNWB5×6-8L塑料封装MOSFET——CJAC2R5SN04C N沟道功率场效应晶体管。该器件采用SGT技术，具有低导通电阻、优异的开关性能和高能脉冲承受能力，适用于高效率快速切换应用。
长晶科技 - N沟道功率MOSFET,N沟道增强型功率场效应晶体管,N-CHANNEL POWER MOSFET,PLASTIC-ENCAPSULATE MOSFET,塑料封装MOSFET,N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER FIELD EFFECT TRANSISTORS,CJAC2R5SN04C,HARD SWITCHED,HIGH FREQUENCY CIRCUITS,开关模式电源,高效率快速开关,UNINTERRUPTIBLE POWER SUPPLY,HIGH EFFICIENCY FAST SWITCHING,不间断电源,硬交换,SMPS,高频电路
查看更多版本
CJAC150N03A_PDFNWB5x6-8L & CJAC70SN15_PDFNWB5x6-8L 工程变更通知 (EA202312012)
2023/12/29 - 产品变更通知及停产信息
长晶科技 - CJAC70SN15,CJAC150N03A
CJAC10H02 PDFNWB5×6-8L塑封MOSFET
2021/03/24 - 数据手册 该资料介绍了江苏长景电子科技有限公司生产的CJAC10H0N型N沟道功率MOSFET。这款器件采用先进的槽栅技术设计，具有低导通电阻和低栅极电荷，适用于多种应用场景。
长晶科技 - N沟道功率MOSFET,N-CHANNEL POWER MOSFET,塑料封装MOSFET,PLASTIC-ENCAPSULATE MOSFETS,CJAC10H02,HARD SWITCHED,GENERAL PURPOSE APPLICATIONS,HIGH FREQUENCY CIRCUITS,开关模式电源,UNINTERRUPTIBLE POWER SUPPLY,通用应用,不间断电源,硬交换,POWER SWITCHING APPLICATION,电源切换应用,SMPS,高频电路
M-E260013
February-2026 - 测试报告 本报告由江苏长景电子科技有限公司提供，针对CJAC012SN15BH型号的元器件进行人体模型（HBM）和机器模型（MM）的静电放电（ESD）测试。测试依据JESD22-A114和JESD22-A115标准，测试结果符合产品规格要求。HBM测试电压范围200V至8000V，MM测试电压范围200V至800V，均分为多个等级。测试结果显示，样品均达到CLASS 1C和CLASS C等级。报告指出，ESD测试的失效标准是测试器件是否满足其产品规格，包括电气参数测试和功能检查。如出现电气参数超出规格或逻辑功能无法实现等情况，则判定为失效。
长晶科技 - ESD测试报告,ESD TEST REPORT,CJAC012SN15BH,COMPONENT TESTING,组件测试
长晶科技MOSFET选型表
选型表 - 长晶科技 长晶科技提供MOSFET（金属 - 氧化物半导体场效应晶体管） 选型，含 414 款型号，涵盖 N 沟道（309 款）、P 沟道（106 款），采用 Trench 工艺，支持 ESD 防护。漏源击穿电压 - 100~650V，漏极电流 - 100.0~350.0A，4.5V 下导通电阻 0.82~5800.0mΩ，栅源电压 6.0~30.0V，阈值电压 - 4.0~4.0V，栅极电压0.65~750.0nC，适配不同功率场景。提供 PDFNWB、SOT、TO、SOP、DFN 等系列封装（如 PDFNWB5×6-8L、SOT-23），适用于电源管理、电机驱动、消费电子、工业控制等领域。
|
产品型号
|
品类
|
VGS(th)MAX(V)
|
Configuration
|
Ciss PF
|
Primary Promotion
|
Process
|
V(BR)DSS(V)
|
ID(A)
|
Crss PF
|
RDS(on) @10V MAX(mΩ)
|
PACKAGING TYPE
|
Qg nC
|
TYPE
|
VGS（±V）
|
RDS(on) @10V TYP(mΩ)
|
Coss PF
|
|
CJAC012SN15BH_PDFNWB5×6-8L
|
MOSFET
|
4
|
Single
|
1683
|
Primary Promotion
|
SGT
|
150
|
70
|
9.2
|
11.5
|
PDFNWB5×6-8L
|
21.6
|
N
|
20
|
9.4
|
346
|
长晶科技推出新一代SGT 30V MOSFET：CJAC6R8SN03AL和CJAC2R8SN03AL
2025-12-10 - 产品 长晶科技推出SGT Gen2.0工艺30V MOSFET，Fom值降低50%，Rsp值降低41.6%，系统损耗和温升显著改善，性能达国际一线厂商水平。
长晶科技MOS选型表
选型表 - 长晶科技 长晶科技提供如下MOS的技术选型:VDS(V)范围：-100~+650；VGS(V)范围：±6~±30；ID(A)范围：-100~+248.....长晶科技的MOS有SOP8、SOT-223、CSPC3420-10、DFN1006-3L等多种封装形式，可广泛应用于汽车,工业,电源,家电,电脑周边,通讯,照明,医疗,新能源,电汽等领域。
|
产品型号
|
品类
|
Status
|
Type
|
Process
|
ESD(Yes/No)
|
VDS(V)
|
VGS(V)
|
ID(A)
|
VGS(TH)(V)
|
RDS(mΩ)@VGS(10V Typ)
|
RDS(mΩ)@VGS(10V Max)
|
RDS(mΩ)@VGS（4.5V Typ）
|
RDS(mΩ)@VGS（4.5V Max）
|
Package
|
|
2N7000_TO-92
|
Trench MOS
|
Active
|
Single-N
|
Trench
|
No
|
60
|
-
|
0.2
|
0.8~3
|
-
|
5000
|
-
|
6000
|
TO-92
|
电子商城
服务市场
雷卯电子EMC实验室，面向所有企业客户免费开放，雷击浪涌（Surge）测试、雷击浪涌抗扰度试验。资深EMC专家全程免费技术指导，依托成熟的测试体系与丰富的整改经验，助力企业完成产品浪涌抗扰性摸底、验证与优化。
实验室地址：上海/北京/广东 提交需求>
深圳市启威测实验室，面向所有企业提供信号完整性测试服务，主要包括USB、HDMI 、DP、MIPI、PCIe 、SD/EMMC、DDR接口信号测试。测试手段有波形测试、眼图测试、抖动测试等。
提交需求>
授权代理品牌：集成电路
授权代理品牌：分立元件
授权代理品牌：接插件及结构件
授权代理品牌：部件、组件及配件
授权代理品牌：电源及模块
授权代理品牌：电子材料
授权代理品牌：仪器仪表及测试配组件
授权代理品牌：电工工具及材料
授权代理品牌：机械电子元件
授权代理品牌：加工与定制
我要提问
登录 | 立即注册
提交评论