M-M00062

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发布时间： 2026-04-03 品牌：长晶科技资料类型：测试报告语言：英文

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本报告提供了关于CJAC1R6SN03A型号SMD/MOSFET的可靠性测试结果。报告包括预应力电气测试、C-Scan、烘烤、浸泡、红外回流和后应力电气测试等项目的测试条件、持续时间、样本数量和通过/拒绝情况。测试参考标准为JESD22-A113F/J-STD-020。

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技术资料,数据手册,3D模型库,原理图,PCB封装文件,选型指南来源平台	世强硬创平台www.sekorm.com
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【产品】长晶科技 CJAC1R6SN03A系列 Plastic-Encapsulate MOSFETS Plastic-Encapsulate MOSFETS

产品介绍产品目录数据手册技术问答技术资讯

系列型号： CJAC1R6SN03A_PDFNWB5X6-8L; CJAC1R6SN03A_PDFNWB5×6-8L

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CJAC2R0SN04C PDFNWB5×6-8L塑封MOSFET

2023/3/30 - 数据手册该资料介绍了江苏长景电子科技有限公司生产的PDFNWB5×6-8L塑料封装MOSFET（CJAC2R0SN04C型号）的技术规格和应用。文档详细阐述了该MOSFET的特性，包括其高密度单元设计以实现超低RDS(ON)，良好的稳定性与均匀性，适用于高效快速切换应用。

长晶科技 - N沟道功率MOSFET,N沟道增强型功率场效应晶体管,N-CHANNEL POWER MOSFET,PLASTIC-ENCAPSULATE MOSFET,塑料封装MOSFET,N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER FIELD EFFECT TRANSISTORS,CJAC2R0SN04C,HIGH EFFICIENCY FAST SWITCHING APPLICATIONS,HIGH FREQUENCY CIRCUITS,开关模式电源,UNINTERRUPTIBLE POWER SUPPLY,不间断电源,高效率快速开关应用,SMPS,高频电路,HARD SWITCHED CIRCUITS,硬开关电路

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M-E260012

February-2026 - 测试报告本报告由江苏长景电子科技有限公司提供，针对CJAC1R6SN03A元器件进行人体模型（HBM）和机器模型（MM）的静电放电（ESD）测试。测试标准遵循JESD22-A114和JESD22-A115。测试结果显示，该元器件在HBM测试中达到1C级别，在MM测试中达到C级别。报告指出，ESD测试的失效标准基于器件是否满足其产品规格（数据表）。如果器件在规定的ESD脉冲应力后，电气参数超出数据表规定的限制或逻辑功能或预设功能无法实现，则认为器件失效。江苏长景电子科技有限公司保留对本报告最终解释的权利。

长晶科技 - ESD测试报告,ESD TEST REPORT,CJAC1R6SN03A

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CJAC2R5SNO4C产品工程变更通知(CJAC2R5SN04C products Process Change Notice)（EA2024120013）

2024/12/16 - 产品变更通知及停产信息

长晶科技 - CJAC2R5SN04C,CJAC2R5SN04C_PDFNWB5X6-8L

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CJAC1R6SN03A PDFNWB5x6-8L

2026/01/15 - 技术文档本资料为元器件材料分析数据表，详细列出了CJAC1R6SN03A型号元器件的成分分析，包括硅晶圆、铜引线框架、金线等材料的化学成分和重量百分比。资料中包含材料名称、CAS编号、重量百分比等信息，并声明了材料披露免责声明。

长晶科技 - CJAC1R6SN03A

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【产品】长晶科技 CJAC1R9SN04AL系列 Plastic-Encapsulate MOSFETS Plastic-Encapsulate MOSFETS

产品介绍产品目录数据手册技术问答技术资讯

系列型号： CJAC1R9SN04AL_PDFNWB5×6-8L

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CJAC2R5SN04C PDFNWB5×6-8L塑封MOSFET

2023/4/24 - 数据手册本资料介绍了江苏长景电子科技有限公司生产的PDFNWB5×6-8L塑料封装MOSFET——CJAC2R5SN04C N沟道功率场效应晶体管。该器件采用SGT技术，具有低导通电阻、优异的开关性能和高能脉冲承受能力，适用于高效率快速切换应用。

长晶科技 - N沟道功率MOSFET,N沟道增强型功率场效应晶体管,N-CHANNEL POWER MOSFET,PLASTIC-ENCAPSULATE MOSFET,塑料封装MOSFET,N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER FIELD EFFECT TRANSISTORS,CJAC2R5SN04C,HARD SWITCHED,HIGH FREQUENCY CIRCUITS,开关模式电源,高效率快速开关,UNINTERRUPTIBLE POWER SUPPLY,HIGH EFFICIENCY FAST SWITCHING,不间断电源,硬交换,SMPS,高频电路

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平均故障时间报告

2026/04/03 - 测试报告本报告详细描述了元器件CJAC50P03的可靠性测试结果。测试项目为HTRB，持续时间为1000小时，样本数量为77件，无故障发生。报告提供了加速温度、正常工作温度、活化能、玻尔兹曼常数和置信水平下的卡方常数等信息。结果显示，在55℃的工作条件下，90%置信水平下的故障率为115.4 FIT，平均失效时间（MTTF）为8668504小时，即990年。报告还包含了MTTF/FIT的计算公式，并注明JSCJ实验室保留对报告的最终解释权。

长晶科技 - 可靠性测试,RELIABILITY TEST,CJAC50P03

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平均故障时间报告

Not provided - 测试报告本报告详细描述了元器件CJAC5R0SN06AL的可靠性测试结果。测试项目为HTRB，持续时间为1000小时，样本数量为77个，无故障发生。报告提供了加速温度、正常工作温度、活化能等关键参数，并计算了在90%置信水平下的失效率和平均失效时间（MTTF）。还包括了MTTF/FIT的计算公式和实验室对报告的最终解释权声明。

长晶科技 - 可靠性测试,RELIABILITY TEST,CJAC5R0SN06AL,COMPONENT TESTING,组件测试

平均故障时间报告

2026/04/03 - 测试报告该报告详细描述了元器件CJAC1R6SN03A的可靠性测试结果。测试项目为HTRB，持续时间为1000小时，样品数量为77件，无故障发生。报告提供了加速温度、正常工作温度、活化能、玻尔兹曼常数和置信水平下的卡方常数等信息。结果显示，在55℃的工作条件下，90%置信水平下的故障率为115.4 FIT，平均失效时间为8668504小时，即990年。报告还包含了MTTF/FIT的计算公式，并注明JSCJ实验室保留对该报告的最终解释权。

长晶科技 - FIT,合身,MTTF,可靠性测试,RELIABILITY TEST,CJAC1R6SN03A,COMPONENT TESTING,组件测试

平均故障时间报告

2026/04/03 - 测试报告该报告详细描述了元器件CJAC6R0SN04AL的可靠性测试结果。测试项目为HTRB，持续时间为1000小时，样本数量为77个，无故障发生。报告提供了加速温度、正常工作温度、活化能、玻尔兹曼常数和置信水平下的卡方常数。结果显示，在55℃工作温度和90%置信水平下，故障率为115.4 FIT，平均失效时间（MTTF）为990年。报告还包含了MTTF/FIT计算公式和备注，指出JSCJ实验室保留对报告最终解释的权利。

长晶科技 - 可靠性测试,RELIABILITY TEST,CJAC6R0SN04AL

平均故障时间报告

2026/04/03 - 测试报告该报告详细描述了元器件CJAC1R9SN04AL的可靠性测试结果。测试项目为HTRB，持续时间为1000小时，样本数量为77个，无故障发生。报告提供了加速温度、正常工作温度、活化能、玻尔兹曼常数和置信水平下的卡方常数等信息。结果显示，在55℃的工作条件下，90%置信水平下的故障率为115.4 FIT，平均失效时间为8668504小时，即990年。报告还包含了MTTF/FIT计算公式，并注明JSCJ实验室保留对报告的最终解释权。

长晶科技 - 可靠性测试,RELIABILITY TEST,CJAC1R9SN04AL,应力测试,STRESS TESTING

平均故障时间报告

2026/04/03 - 测试报告该报告详细描述了元器件CJAC1R3SN06AL的可靠性测试结果。测试项目为HTRB，持续时间为1000小时，样品数量为77件，无故障发生。报告提供了加速温度、正常工作温度、活化能等关键参数，并计算了在90%置信水平下的加速因子和故障率。此外，报告还提供了故障率FIT和平均失效时间MTTF的计算公式，并声明JSCJ实验室保留对报告最终解释的权利。

长晶科技 - 可靠性测试,RELIABILITY TEST,CJAC1R3SN06AL

平均故障时间报告

2026/04/03 - 测试报告该报告详细描述了元器件CJAC90P02的可靠性测试结果。测试包括1000小时的高温高湿测试（HTRB），在150°C的加速温度下，无故障发生。报告提供了在55°C正常工作温度下的失效率和平均失效时间（MTTF），以及计算MTTF和FIT的公式。报告还包含置信水平为90%时的加速因子（Af）和卡方常数（chi）。

长晶科技 - 可靠性测试,RELIABILITY TEST,CJAC90P02

平均故障时间报告

Not provided - 测试报告本报告详细介绍了CJAC70P06型号PDFNWB5x6-8L封装元器件的可靠性测试结果。测试项目为HTRB，持续时间为1000小时，样本数量为77件，无故障发生。报告提供了加速温度、正常工作温度、活化能等关键参数，并计算了在90%置信水平下的失效率和平均故障时间（MTTF）。报告还包含了MTTF/FIT计算公式和实验室保留最终解释权。

长晶科技 - FIT,合身,MTTF,可靠性测试,RELIABILITY TEST,CJAC70P06,温度测试,TEMPERATURE TESTING,压力测试,STRESS TEST

平均故障时间报告

Not provided - 测试报告本报告详细描述了CJAC0610元器件的可靠性测试结果。测试包括1000小时的高温高湿测试，无故障发生。报告提供了加速温度、活化能、玻尔兹曼常数等关键参数，并计算了在55℃操作条件下的故障率和平均故障时间（MTTF）。报告还包含了MTTF/FIT的计算公式，并注明了实验室保留最终解释权。

长晶科技 - FIT,合身,MTTF,可靠性测试,RELIABILITY TEST,CJAC0610,应力测试,温度测试,TEMPERATURE TESTING,STRESS TESTING

平均故障时间报告

2026/04/03 - 测试报告该报告详细描述了元器件CJAC5R9SN10MS的可靠性测试结果。测试项目为HTRB，持续时间为1000小时，样品数量为77件，无故障发生。报告提供了加速温度、正常工作温度、活化能等关键参数，并计算了在90%置信水平下的故障率和平均故障时间。此外，还给出了MTTF/FIT的计算公式和备注，说明实验室保留对报告最终解释的权利。

长晶科技 - RELIABILITY TESTING,可靠性试验,CJAC5R9SN10MS

平均故障时间报告

2026/04/02 - 测试报告本报告详细描述了元器件CJAC3R5P03MJ的可靠性测试结果。测试项目为HTRB，持续时间为1000小时，样本数量为77个，无故障发生。报告提供了加速温度、正常工作温度、活化能等关键参数，并计算了在90%置信水平下的故障率和平均故障时间。此外，还提供了MTTF/FIT计算公式和实验室保留最终解释权。

长晶科技 - 可靠性测试,RELIABILITY TEST,CJAC3R5P03MJ

平均故障时间报告

2026/04/02 - 测试报告本报告详细描述了元器件CJAC5R5P04MJ的可靠性测试结果。测试包括1000小时的高温高湿（HTRB）应力测试，未发生故障。报告提供了加速温度、正常工作温度、活化能等关键参数，并计算了在90%置信水平下的失效率和平均失效时间（MTTF）。报告还包含了MTTF/FIT的计算公式，并注明了实验室保留最终解释权。

长晶科技 - 可靠性测试,RELIABILITY TEST,CJAC5R5P04MJ

平均故障时间报告

2026/04/02 - 测试报告本报告详细描述了元器件CJAC2R8P02MJ的可靠性测试结果。测试包括1000小时的高温高湿测试，无故障发生。报告提供了加速温度、活化能、玻尔兹曼常数等关键参数，并计算了在55℃操作条件下的故障率和平均失效时间（MTTF）。报告还包含了MTTF/FIT的计算公式，并注明了实验室保留最终解释权。

长晶科技 - 可靠性测试,RELIABILITY TEST,CJAC2R8P02MJ

CJAC150N03A_PDFNWB5x6-8L & CJAC70SN15_PDFNWB5x6-8L 工程变更通知 (EA202312012)

2023/12/29 - 产品变更通知及停产信息

长晶科技 - CJAC70SN15,CJAC150N03A

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您好，寻求PDC6901X替代，用于光伏电源项目

2021-08-05 - 技术问答您好，推荐一款长晶的CJAC70P06替代pdc6901x，是一款P沟道MOSFET，Vds是-60V,ID是-70A，

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【产品】长晶科技 CJAC6R0SN04AL系列 Plastic-Encapsulate MOSFETS Plastic-Encapsulate MOSFETS

产品介绍产品目录数据手册技术问答技术资讯

系列型号： CJAC6R0SN04AL_PDFNWB5×6-8L

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CJAC90P02 PDFN5×6-8L塑封MOSFET

2020/8/4 - 数据手册该资料介绍了江苏长景电子科技有限公司生产的CJAC90P02型P沟道功率MOSFET。该器件采用先进的槽栅技术设计，具有低导通电阻和低栅极电荷，适用于多种应用场景。

长晶科技 - P通道功率MOSFET,塑料封装MOSFET,P-CHANNEL POWER MOSFET,PLASTIC-ENCAPSULATE MOSFETS,CJAC90P02,HIGH FREQUENCY CIRCUITS,开关模式电源,UNINTERRUPTIBLE POWER SUPPLY,不间断电源,SMPS,高频电路,HARD SWITCHED CIRCUITS,硬开关电路

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长晶科技MOSFET选型表

选型表 - 长晶科技长晶科技提供MOSFET（金属 - 氧化物半导体场效应晶体管）选型，含 414 款型号，涵盖 N 沟道（309 款）、P 沟道（106 款），采用 Trench 工艺，支持 ESD 防护。漏源击穿电压 - 100~650V，漏极电流 - 100.0~350.0A，4.5V 下导通电阻 0.82~5800.0mΩ，栅源电压 6.0~30.0V，阈值电压 - 4.0~4.0V，栅极电压0.65~750.0nC，适配不同功率场景。提供 PDFNWB、SOT、TO、SOP、DFN 等系列封装（如 PDFNWB5×6-8L、SOT-23），适用于电源管理、电机驱动、消费电子、工业控制等领域。

RDS(on) @4.5V TYP(mΩ)

ID(A)

RDS(on) @4.5V MAX(mΩ)

CJAC1R6SN03A_PDFNWB5×6-8L

立即选型

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长晶科技推出新一代SGT 30V MOSFET：CJAC6R8SN03AL和CJAC2R8SN03AL

2025-12-10 - 产品长晶科技推出SGT Gen2.0工艺30V MOSFET，Fom值降低50%，Rsp值降低41.6%，系统损耗和温升显著改善，性能达国际一线厂商水平。

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长晶科技MOS选型表

选型表 - 长晶科技长晶科技提供如下MOS的技术选型:VDS(V)范围：-100~+650；VGS(V)范围：±6~±30；ID(A)范围：-100~+248.....长晶科技的MOS有SOP8、SOT-223、CSPC3420-10、DFN1006-3L等多种封装形式，可广泛应用于汽车,工业,电源,家电,电脑周边,通讯,照明,医疗,新能源,电汽等领域。