Thyristor Module

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发布时间： 2026-04-19 品牌：捷捷微电资料类型：数据手册语言：英文

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This document provides detailed technical information about a thyristor module featuring a half-bridge SCR configuration integrated in a single package. The module utilizes high thermal conductivity DBC as insulation and is焊接 using vacuum welding technology for high reliability. The applications include temperature control, light control systems, and DC motors. The document includes a parameter table, absolute maximum ratings, electrical characteristics, thermal characteristics, ordering information, typical electrical and thermal characteristics, circuit diagrams, and package outlines.

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晶闸管模块

18 March 2026 - 数据手册

捷捷微电 - 晶闸管模块,THYRISTOR MODULE,JMT110KH16T1,HEATING CONTROL,DC MOTOR,LIGHT CONTROL SYSTEM,灯光控制系统,直流电机,加热控制

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2026年3月18日 - 数据手册

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18 March 2026 - 数据手册

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30 March 2026 - 数据手册

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2 April 2026 - 数据手册

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2 April 2026 - 数据手册

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3 April 2026 - 数据手册

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2 April 2026 - 数据手册

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2 April 2026 - 数据手册

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2 April 2026 - 数据手册

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2026/04/18 - 技术文档

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4 April 2026 - 数据手册

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2 April 2026 - 数据手册

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2 April 2026 - 数据手册

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4 April 2026 - 数据手册

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17 March 2026 - 数据手册该资料详细介绍了JMT50KT16T1型号的晶闸管模块，包括其特性、电气特性、热特性、订购信息、典型电热特性、电路图和封装尺寸。该模块采用半桥SCR配置，具有高热导率DBC绝缘和真空焊接技术，适用于加热控制、照明控制系统和直流电机等领域。

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17 March 2026 - 数据手册本资料介绍了JMT70KT16T1型晶闸管模块，该模块采用半桥SCR配置，集成于单一封装中。具有高热导率DBC绝缘材料，真空焊接技术，适用于加热控制、照明控制系统和直流电机等领域。

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2026年3月3日 - 数据手册该资料详细介绍了JMT90KT16T1型号的晶闸管模块，包括其半桥SCR配置、高热导率DBC绝缘材料、真空焊接技术等特性。资料还提供了该模块的绝对最大额定值、电气特性、热特性、订购信息以及电路图和封装尺寸。

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2026年3月18日 - 技术文档该资料详细介绍了JMT110KT16T1型号的晶闸管模块，包括其半桥SCR配置、高热导率DBC绝缘材料、真空焊接技术等特性。资料涵盖了该模块的绝对最大额定值、电气特性、热特性、订购信息、典型电热特性、电路图和封装尺寸。此外，还提供了产品信息和使用注意事项。

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18 March 2026 - 数据手册该资料详细介绍了JMT120KT16T1型号的晶闸管模块，包括其半桥SCR配置、高热导率DBC绝缘材料、真空焊接技术等特性。资料还涵盖了该模块的电气特性、热特性、封装尺寸等信息，以及典型电路图和订购信息。

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17 March 2026 - 数据手册该资料详细介绍了JMT50KT18T1型号的晶闸管模块，包括其特性、电气参数、热特性、订购信息、典型电气和热特性曲线、电路图以及封装尺寸。该模块采用半桥SCR配置，具有高热导率DBC绝缘材料和真空焊接技术，适用于加热控制、灯光控制系统和直流电机等领域。

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2026年3月3日 - 数据手册本资料介绍了JMT90KT18T1型晶闸管模块，该模块采用半桥SCR配置，集成于单一封装中，具有高热导率DBC绝缘材料和真空焊接技术，适用于加热控制、照明控制系统和直流电机等领域。

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2026年3月17日 - 数据手册本资料介绍了JMT70KT18T1型号的晶闸管模块，该模块采用半桥SCR配置，集成为单一封装。具有高热导率DBC绝缘材料，提供良好的散热性能。资料详细列出了该模块的绝对最大额定值、电气特性、热特性、订购信息以及典型电气和热特性曲线。此外，还包括了电路图和封装轮廓图。

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18 March 2026 - 数据手册该资料详细介绍了JMT110KT18T1型号的晶闸管模块，包括其半桥SCR配置、高热导率DBC绝缘材料、真空焊接技术等特性。资料还提供了该模块的绝对最大额定值、电气特性、热特性、订购信息、典型电气和热特性曲线、电路图以及封装轮廓图。

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2026年3月18日 - 数据手册该资料详细介绍了JMT120KT18T1型晶闸管模块，包括其特性、电气特性、热特性、订购信息、典型电热特性、电路图和封装尺寸。该模块采用半桥SCR配置，具有高热导率DBC绝缘和真空焊接技术，适用于加热控制、照明控制系统和直流电机等领域。

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30 March 2026 - 数据手册该资料详细介绍了JMT160KT16T2C型号的晶闸管模块，包括其半桥SCR配置、高热导率DBC绝缘材料、真空焊接技术等特性。资料还涵盖了该模块的绝对最大额定值、电气特性、热特性、典型电气和热特性曲线、电路图、封装尺寸等信息。

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30 March 2026 - 数据手册本资料介绍了JMT200KT16T2C型号的晶闸管模块，该模块采用半桥SCR配置，具有高热导率DBC绝缘材料，适用于加热控制、照明控制系统和直流电机等领域。

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30 March 2026 - 数据手册本资料介绍了一种半桥SCR配置的晶闸管模块，具有高热导率DBC绝缘和真空焊接技术，适用于加热控制、照明控制系统和直流电机等领域。资料详细描述了产品的电气特性、热特性、封装信息以及典型电路图。

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晶闸管模块

30 March 2026 - 数据手册本资料详细介绍了JMT200KT18T2C型号的晶闸管模块，包括其半桥SCR配置、高热导率DBC绝缘材料、真空焊接技术等特性。资料涵盖了产品的主要参数、电气特性、热特性、应用领域等信息。

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晶闸管模块

30 March 2026 - 数据手册本资料介绍了JMT160KT18T2C型号的晶闸管模块，该模块采用半桥SCR配置，集成为单一封装。具有高热导率DBC绝缘材料，提供良好的散热性能。适用于加热控制、照明控制系统和直流电机等领域。

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晶闸管模块

30 March 2026 - 数据手册该资料介绍了一种半桥SCR配置的晶闸管模块，具有高热导率DBC绝缘材料和真空焊接技术，适用于加热控制、照明控制系统和直流电机等领域。

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JSKT090/JSKH090晶闸管模块

Aug. 5 2022 - 数据手册本资料介绍了两款芯片系列，采用DBC作为绝缘材料，真空焊接技术提供高可靠性。适用于直流电机控制、温度控制和灯光控制系统。

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JSKT162和JSKH162晶闸管模块

July 27 2022 - 数据手册本资料介绍了两款芯片系列（JSKT162 & JSKH162），采用DBC作为绝缘材料，真空焊接技术提供高可靠性。适用于直流电机控制、温度控制和照明控制系统。

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JSKT120B晶闸管模块

Sept. 21 2022 - 数据手册本资料介绍了JSKT120B系列双芯片模块，采用DBC作为绝缘材料，真空焊接技术提供高可靠性。适用于直流电机控制、温度控制和灯光控制系统。

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JSKT200和JSKH200晶闸管模块

July 27 2022 - 数据手册

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技象科技TPUNB通信模组选型表

选型表 - 技象科技技象科技提供如下无线通信TPUNB模组选型，工作频率470-510MHz，射频接口包括邮票孔、SMA-K、邮票孔IPEX；通讯距离高达6KM，接收灵敏度-142dBm@0.3kbps、-150dBm@0.01kbps

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银河微电子IGBT功率模块选型表

选型表 - 银河微电子银河微电子IGBT功率模块选型：涵盖650V/1200V两大电压等级，电流覆盖10A至600A。产品包含2-pack半桥、PIM功率集成、1-pack单管及6-pack全桥等细分品类，提供S1/S2/S4/E1/E2/C1/C2/C3等多封装选项。适用于工业变频、新能源、电源等应用场景，满足从中小功率到中大功率的多样化设计需求。

产品型号	品类	BV	IC(A)@100 ℃	Configuration	Package
GM40HF120S2F2A	IGBT模块	1200	40	2-pack	S2

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NH晶闸管浪涌抑制器选型表

选型表 - NH NH提供晶闸管浪涌抑制器（TSS/Thyristor Surge Suppressor）选型，涵盖P0080至P4200全系列产品。断态重复峰值电压（VDRM）覆盖6V-390V宽范围，转折电压（Vs）25V-500V分级可选，浪涌电流能力（IPP@8/20μs）提供150A/250A/400A三档规格，分别对应SA/SB/SC后缀型号。关键参数包括：通态压降4V（@2.2A）、维持电流50mA/150mA、结电容30pF-100pF、漏电流5μA。SMB贴片封装，结温150℃。适用于通信接口、电源、工业控制等场景的雷击/浪涌防护，是TVS与气体放电管的理想替代方案。

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台面芯片(5 寸) RoHS (SGS) 检测报告(SHAEC24009720602)

2024 年 05 月 21 日 - 测试报告本检测报告由SGS出具，针对江苏捷捷微电子股份有限公司提供的台面芯片（5寸）进行多项有害物质检测，包括铅、汞、镉、六价铬、多溴联苯（PBB）、多溴二苯醚（PBDE）、邻苯二甲酸酯类等。检测结果均符合欧盟RoHS指令2011/65/EU附录II的修正指令（EU）2015/863的要求。报告详细列出了检测方法、限值、检测结果和流程图等。

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MOS RoHS（SGS）测试报告（SHAEC24022821701）

Oct 15, 2024 - 测试报告本报告为SGS对Jie Jie Microelectronics (Nan Tong) Technology Co., Ltd.提供的MOS样品进行的RoHS指令测试报告。测试内容包括铅、汞、镉、六价铬、多溴联苯、多溴联苯醚、邻苯二甲酸酯等有害物质的检测。所有测试项目均符合欧盟RoHS指令2015/863的要求，测试结果均为未检测到（ND）。

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TO-220A POPs（SGS）测试报告（SHAEC24012121005）

Jun 26, 2024 - 测试报告本报告为SGS对江苏洁捷微电子有限公司提供的TO-220A样品进行的测试报告。报告内容包括样品信息、测试要求、测试结果和结论。测试项目涉及多项有害物质，如多溴联苯醚、全氟和多氟和多氯化合物等，所有测试项目均未检测到限值以下的有害物质，符合欧洲法规要求。

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SOP-8 RoHS（SGS）检测报告（SHAEC24015145501）

Jul 15, 2024 - 测试报告本报告为江苏捷捷微电子有限公司提供的样品测试报告，测试内容包括欧盟RoHS指令中的铅、汞、镉、六价铬等有害物质检测，以及卤素和聚氯乙烯（PVC）含量的分析。测试结果显示，所有样品均符合欧盟RoHS指令的要求。报告详细列出了测试方法、测试结果和测试流程图。

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SOP-8 RoHS (SGS) 检测报告(SHAEC24015145504)

2024 年 07 月 15 日 - 测试报告本报告为捷捷半导体有限公司提供的多种型号元器件的检测报告，包括SOP、DFN、DIP、SOT等封装类型的元器件。报告内容涵盖欧盟RoHS指令2011/65/EU附录II的修正指令(EU) 2015/863中的有害物质检测，包括铅、汞、镉、六价铬、多溴联苯(PBB)、多溴二苯醚(PBDE)等，以及卤素和聚氯乙烯(PVC)的检测。所有样品均符合相关限值要求。

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MOS（SGS）测试报告（SHAEC24004256205）

Mar 16, 2024 - 测试报告本报告为SGS对Jie Jie Microelectronics (Nan Tong) Technology Co.Ltd.提供的MOS样品进行的卤素含量测试报告。测试内容包括氟、氯、溴、碘等卤素元素，测试方法参照EN 14582:2016标准，通过离子色谱法进行检测。测试结果显示，样品中未检测到任何卤素元素，符合相关标准要求。

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平面器件芯片（5英寸）RoHS（SGS）检测报告（SHAEC24009720607）

May 21, 2024 - 测试报告本报告为SGS对JieJie Semiconductor Co.,LTd提供的平面器件芯片（5英寸）进行的测试报告。测试内容包括欧盟RoHS指令规定的有害物质检测，如铅、汞、镉、六价铬等，以及卤素元素检测。所有测试项目均符合欧盟RoHS指令要求，测试结果均为合格。

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